Чем ниже частота сигнала w, тем больше емкостное сопротивление Ср (1/wCр), и тем меньшая часть напряжения попадает на выход, в результате чего происходит снижение усиления. Таким образом, Ср определяет поведение АЧХ усилителя в области НЧ и практически не оказывает влияния на АЧХ усилителя в области средних и высоких частот. Чем больше Ср, тем менбше искажения АЧХ в области НЧ, а при усилении импульсных сигналов - тем меньше искажения импульса в области больших времен (спад плоской части вершины импульса
Общий вид АЧХ усилителя 
22.Составные транзисторы. Пара Дарлингтона. Каскодная схема.
Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала.
Схема является каскадным соединением двух (реже трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом транзисторы соединяются коллекторами.
Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. 
Каскодная схема.
Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и улучшает частотные свойства.
23. Режимы работы транзисторов в усилительных каскадах А, В, АВ
|
|
В режиме класса А начальная рабочая точка А, определяемая подаваемым на транзистор смещением, находится в середине линейного участка входной характеристики, а, следовательно, и проходной (рис. 1.6). Ток в выходной цепи протекает в течение всего периода действия входного сигнала (т.е. в течение 360º), а угол отсечки θ равен 180º. Транзистор работает в, так называемом, активном режиме на близких к линейным участках характеристик, поэтому искажения усиливаемого сигнала здесь минимальны. КПД такого усилителя низкий, поэтому такой режим применяют в маломощных каскадах предварительного усиления.
В режиме класса В начальная рабочая точка А находится в начале проходной характеристики (рис. 1.8). Начальный ток коллектора равен нулю (Iк0 = 0). Ток нагрузки протекает по коллекторной цепи транзистора только в течение одного полупериода входного сигнала (т.е. в течение 180º), а в течение второго полупериода транзистор закрыт: транзистор находиться в, так называемом, режиме отсечки и ток через транзистор не протекает. Угол отсечки θ в режиме В равен 90º. Поэтому КПД усилителя значительно выше, чем КПД в режиме класса А, что связано с тем, что начальный коллекторный ток в режиме класса В равен нулю. Существенный недостаток режима класса В – большой уровень нелинейных искажений, вызванных повышенной нелинейностью усиления транзистора, когда он находится вблизи режима отсечки.
|
|
Режиму класса АВ соответствует режим работы усилительного элемента (каскада), при котором ток в выходной цепи протекает больше половины периода напряжения входного сигнала (рис. 1.10). Этот режим используется для уменьшения нелинейных искажений усиливаемого сигнала, которые возникают из-за нелинейности начальных участков входных ВАХ транзисторов. Угол отсечки θ в этом случае составляет 120 … 130º. КПД усилительного каскада в этом случае несколько меньше, чем в режиме класса В, но больше, чем в режиме класса А.