Генераторы стабильного тока и их использование в интегральных усилителях.





Генераторами стабильного тока принято называть устройства, выходной ток которых практически не зависит от сопротивления нагрузки. Он может найти применение, например в омметрах с линейной шкалой.

На рис. 1 приведена принципиальная схема генератора стабильного тока на двух кремниевых транзисторах. Величина коллекторного тока транзистора V2 определяется отношением

Iк=0,66/R2.


 

Например, при R2, равном 2,2 к0м. ток коллектора транзистора V2 будет равен 0,3 мА и остается практически постоянным при изменении сопротивления резистора Rx от 0 до 30 к0м. При необходимости величина постоянного тока может быть увеличена до 3 мА, для этого сопротивление резистора R2 необходимо уменьшить до 180 Ом.

Дальнейшее увеличение тока при сохранении высокой стабильности его величины как при смене нагрузки, так и при увеличении температуры возможно лишь при использовании трехтранзисторного генератора, показанного на рис. 2. При этом транзисторы V2 и V3 должны быть средней мощности, а напряжение второго источника питания - в 2...3 раза больше напряжения питания транзисторов V1, V2. Сопротивление резистора R3 рассчитывается по вышеприведенной формуле, но дополнительно корректируется с учетом разброса характеристик транзисторов.


Рассмотренные в предыдущих разделах автоматические способы стабилизации режима в аналоговых интегральных микросхемах (ИМС) не желательны, так как они требуют применение высокоомных резисторов, занимающих большую площадь, и конденсаторов большой емкости, которые не возможно реализовать в интегральном исполнении. Поэтому в аналоговых ИМС для задания режима и его стабилизации используется параметрический метод.

 
 


Наиболее распространенными функциональными элементами, служащими для задания и стабилизации режима в аналоговых ИМС, являются генераторы стабильного тока (ГСТ). ГСТ должен обеспечивать стабильный ток, независящий от параметров цепи (температуры, изменения напряжения питания и нагрузки), т.е. в идеале он должен обладать бесконечно большим динамическим (по переменному току) выходным сопротивлением. Для реализации ГСТ в микросхемах обычно используют два и более транзисторов, параметры которых идентичны. На рис. 2.14, а приведена схема ГСТ, которая нашла большое применение в аналоговых ИМС.

Так как транзистор VT1 включен как диод, то напряжения база-эмиттер транзисторов VT1 и VT2 будут совпадать. Поскольку эти транзисторы – интегральные (имеющие и незначительный разброс параметров), то отношение их эмиттерных, а значит, и коллекторных токов будет равно отношению площадей их эмиттерных областей:

. (2.38)

Пренебрегая токами баз и вводя обозначение , получим . На практике k выбирают в диапазоне 1…5. Таким образом, ток следит за током и точно отображает любое его изменение. Поэтому данная схема получила название токовое зеркало.

Поскольку VT1 используются в диодном включении, то ток I1 можно застабилизировать с требуемой точностью путем задания его с помощью внешних элементов: источника питания и резистора . Из схемы на рис. 2.14 следует, что

, так как .

При изменении температуры

, (2.39)

где .

Таким образом, подбирая нужное значение , можно обеспечить требуемую стабильность , значит и . Данная схема позволяет достичь температурной стабильности порядка 5 %.

Если транзисторы VT1 и VT2 имеют идентичную геометрию (т.е. k=1), то учет базовых токов и приводит к соотношению

= -( + ) (2.40)

или

. (2.41)

Значит, даже при полной стабильности опорного тока , ток ГСТ будет меняться за счет изменения базовых токов.

Температурную стабильность ГСТ можно повысить, если вместо двух транзисторов использовать три (рис. 2.14, б).

В этой схеме ток базы VT2 вначале вычитается из опорного тока , а затем возвращается в базу опорного транзистора VT1, тем самым поддерживая на постоянном уровне токи и при изменениях базового тока. Напряжение база-эмиттер VT3 фиксирует смещение опорного транзистора VT1, который в свою очередь стабилизирует уровень тока VT2. Как показывает анализ схемы:

(2.42)

При и разбросе параметров не более 20% отличие от не превышает 0,5%. Кроме того, данная схема имеет более высокое выходное сопротивление, чем схема на рис. 2.14, а.

Недостатком схем с диодным смещением является ограниченность отношения площадей эмиттеров транзисторов ( ). Поэтому при k>5 желательно применять схему с резисторным смещением (рис. 2.13, в), в которой для фиксации токов используется отношение сопротивлений, а не площадей эмиттеров.

Пренебрегая током базы VT2, получим

(2.43)

или

. (2.44)

Из (2.44) следует

. (2.45)

Если , то

. (2.46)

Из (2.46) следует, что отношение токов можно варьировать в широких пределах (до двух порядков) независимо от температуры с ошибкой до 10%.

Схема имеет более высокое выходное сопротивление, чем схема на рис. 2.13, а, так как за счет резистора в транзисторе VT2 возникает ООС по току.

Если требуется получить низкое значение тока ГСТ при больших значениях опорного тока, то надо в схеме с резисторным смещением исключить резистор ( =0). В этом случае и если геометрии VT1 и VT2 идентичны, то VT2 работает при более низком токе, чем VT1, т.е. < .





Читайте также:
Продление сроков использования СИЗ: Согласно пункта 22 приказа Минздравсоцразвития России от...
Экономика как подсистема общества: Может ли общество развиваться без экономики? Как побороть бедность и добиться...
Опасности нашей повседневной жизни: Опасность — возможность возникновения обстоятельств, при которых...
История русского литературного языка: Русский литературный язык прошел сложный путь развития...

Рекомендуемые страницы:


Поиск по сайту

©2015-2020 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-02-12 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту:

Обратная связь
0.015 с.