Выбор метода формирования конфигураций тонкоплёночных структур зависит от способа нанесения плёнок, плотности размещения элементов и требований по точности, экономичности, производительности и стойкости.
Масочный метод
Метод свободной маски
Метод свободной маски применяется при термическом напылении. Маска - тонкий экран из металлической фольги с соответствующими очертаниями, закреплённый в маскодержателе. Маску обычно изготавливают из стали, молибдена, никеля, тантала, бронзы и т.д. электрохимическим, фотохимическим, механическим методом или методом электронно-лучевой обработки. Существуют монометаллические и биметаллические маски (слой бериллиевой бронзы толщиной 100 микрон, покрытый слоем никеля 20 микрон).
К недостаткам метода можно отнести изменение толщины маски и искажение рисунка маски в процессе её эксплуатации из-за осаждения распыляемого материала. Кроме того маска искажает электрическое поле, так как является проводящим материалом, что не даёт возможности использовать данный метод для катодного и ионно-плазменного напыления. Следует отметить, что между такой маской и подложкой всегда существует зазор, приводящий к размытости рисунка.
Метод контактной маски
Метод контактной маски заключается в формировании маски на подложке, поверх которой напыляется тонкая плёнка. Необходимая конфигурация элементов достигается при удалении маски.
В зависимости от материала маски существует два способа:
1. Для прямого метода в качестве материала маски используется фоторезист. Конфигурация маски в этом случае формируется фотолитографией.
2. При косвенном методе используется металлическая пленка. Материал маски должен химически не взаимодействовать с материалом тонкой плёнки, обладать малым коэффициентом диффузии и легко удаляться с подложки без повреждения тонкоплёночного рисунка.
На рисунке показан технологический процесс формирования рисунка методом контактной маски.
Сначала на подложку наносится материал маски (1). Затем наносится слой фоторезиста (2). После этого производится фотолитография: выполняется засвечивание фоторезиста (3); освещённые участки задубливаются, незадубленный фоторезист смывается (4); вытравливается незащищённая часть материала маски (5). Удаляется фоторезист и напыляется плёнка (6). Удаляется маска (7).
Метод фотолитографии
Фотолитография – совокупность фотохимических процессов, позволяющая получить на поверхности пластины микроизображения, повторяющие отдельные элементы интегральной схемы.
Основной рабочий инструмент – фотошаблон, а для формирования фоторезистивного слоя применяются фоторезисты.
Контактная фотолитография
Метод применяется при изготовлении топологически сложных тонкоплёночных структур или схем с большим количеством элементов. Фотолитографией формируются резисторы, индуктивности, внутрисхемные соединения и контактные площадки.
Сначала изготавливается фотооригинал: чёрно-белое или другое контрастное изображение в увеличенном масштабе. Обычно фотооригинал вычерчивается тушью в масштабе 1000:1 в позитивном изображении. После этого изготавливают фотошаблон - рисунок в масштабе 1:1 на плёнке или пластине путём перефотографирования фотооригинала. Затем на поверхность пластины наносят фоторезист - светоточувствительное многокомпонентное вещество, устойчивое после проявления к воздействию агрессивных сред. В негативном методе фоторезист под действием УФ облучения полимеризуется и становится устойчивым к травителям, в позитивном методе будут вытравливаться засвеченные участки.
Технология контактного фотолитографического процесса:
1. Очистка поверхности платы;
2. Нанесение фоторезиста;
3. Сушка;
4. Совмещение фотошаблона с подложкой;
5. Экспонирование УФ облучением;
6. Проявление;
7. Задубливание;
8. Травление скрытых участков подложки (травитель не должен воздействовать на материал основания);
9. Удаление фоторезиста.
Различают одинарную и двойную фотолитографию. Одинарная фотолитография выполняется в сочетании с методом съёмной маски. При двойной фотолитографии сначала напыляют резистивный и проводящий слои, после этого первой фотолитографией формируют конфигурацию проводников и контактных площадок, а затем второй фотолитографией формируют резисторы.
Факторы, ограничивающие возможности применения контактной фотолитографии:
§ Неизбежность механических повреждений рабочих поверхностей фотошаблонов и пластин при их совмещении;
§ Налипание фоторезиста на фотошаблон;
§ Неидеальность плоскостности контактируемых поверхностей;
§ Неизбежность смещения фотошаблона относительно пластины при переходе от совмещения к экспонированию.
Бесконтактная фотолитография
Фотолитография на микрозазоре: метод основан на использовании эффекта множественного источника излучения. УФ лучи падают на фотошаблон и подложку под углом. За счёт наклона лучей дифракционные явления устраняются, что приводит к повышенной точности рисунка.
Проекционная фотолитография: метод отличается техникой выполнения операций совмещения и экспонирования. Изображение фотошаблона проецируется на пластину, покрытую фоторезистом через специальный объектив с высокой разрешающей способностью. При этом отсутствует контакт фотошаблона с фоторезистом. Процесс упрощается, исключается проблема тонкой установки зазора пластина – фотошаблон. Сложность заключается в разработке высокоразрешающих объективов на большие поля изображения.
Комбинированный процесс
Данный метод основан на комбинации масочного метода и метода фотолитографии. Масочным методом формируют плёночные элементы простой конфигурации, а также элементы, изготовить которые фотолитографией невозможно (конденсаторы). Методом фотолитографии изготавливают сложные тонкоплёночные структуры.
Технологический процесс:
1. Нанесение резистивного слоя;
2. Нанесение слоя для внутрисхемных соединений;
3. Первая фотолитография;
4. Вторая фотолитография;
5. Напыление через маску нижних обкладок конденсатора;
6. Напыление диэлектрика;
7. Напыление верхних обкладок конденсатора;
8. Нанесение защитного слоя.