ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ
I. Выбор транзистора. Для обеспечения временно устойчивых состояний равновесия необходимо выбирать транзисторы, у которых
где 
- максимально допустимое напряжение сток-исток,
- напряжение отсечки.
По справочнику выбираем ПТ КП103Л, имеющий следующие параметры:
При напряжениях 
=10 В и 
=0 ток стока 
=3 - 6,6 мА, крутизна характеристики S=1.8 – 3.8 мА/В; ток затвора 
20 нА, входная ёмкость 
пФ, проходная ёмкость 
пФ и рассеиваемая на коллекторе мощность P = 120 мВт. Рассчитаем средние значения напряжения отсечки и входного сопротивления.
Для расчёта принимаем 
3,4В. Это значение удовлетворительно согласуется с усреднёнными выходными характеристиками КП103Л (рис.4).
Рис.4.
Проверяем отношение
Среднее значение входного сопротивления
II.Выбор сопротивления резистора 
. Выбираем сопротивление резисторов из условия получения амплитуды импульса равной Uвых.u: -10 В
(2,7кОм)
III.Вычисление ёмкости большего из конденсаторов 
(рис.2). Она должна быть такой, чтобы за время длительности выходного импульса 
=10 мкс он успевал зарядиться. Поэтому 
или 
(1200пФ)
IV.Сопротивление резисторов 
(39 кОм)
Полученное значение сопротивлений резисторов удовлетворяет двум условиям: оно значительно меньше входного сопротивления транзистора (
=500 МОм) и значительно больше сопротивления открытого p-n перехода. Первое условие важно с точки зрения влияния входного сопротивления транзистора на период следования импульсов, а второе – для обеспечения на затворе (относительно истока) напряжения открытого транзистора, близкого к нулю.
V.Ёмкость конденсатора 
(120пФ)
VI.Длительность среза импульса
VII.Длительность фронта импульса
, где 
при этих значениях 
форма импульсов будет хорошей.
Выбор и обоснование элементной базы
На основании приведенного выше расчета выбираем элементы (для схемы электрической принципиальной данной в пункте 1):
1) В качестве транзисторов Т1 и Т2 был взят полевой транзистор КП103Л, со следующими характеристиками:
Ø Структура: p-n;
Ø Канал p-типа;
Ø 
=10 В;
Ø 
3,4В;
Ø Ток затвора 
20 нА;
Ø Входная ёмкость 
пФ,проходная ёмкость 
пФ;
Ø Максимально допустима рассеивающая мощность коллектора:120 мВт.
2) В соответствии с рассчитанной емкостью С1 и С2 , подбираем следующие конденсаторы соответственно: М47 Uном=10 В; С=120 пФ ±5% и П33 Uном=10 В; С=1200 пФ ±10% - удовлетворяющие нашим требованиям и расчетам.
В соответствии с рассчитанными номиналами резисторов в пункте 2.1., имеем:
= 39 кОм: МЛТ-0,125-39кОм±2%;
=2,7 кОм С5-36,47-2700 Ом±2%;
Заключение
В ходе выполнения данной курсовой работы была рассчитана схема мультивибратора на полевых транзисторах с заданными характеристиками:
период следования импульсов Т: 200 мкс
длительность : 10 мкс
длительность среза 
: 1 мкс
амплитуда импульсов Uвых.u: -10 В
Были рассчитаны и проверены параметры данной схемы.
список использованной литературы
1. Бочаров Л. Н. Расчет электронных устройств на транзисторах, М. 1978.
2. Четвертаков И.И. Резисторы (справочник), М.: Энергоиздат, 1981.
3. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы (справочное пособие), М.: Солон-Р, 2000.
4. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Резисторы, конденсаторы, провода, припои, флюсы (справочное пособие), М.: Солон-Р, 2000.