Методическое ПОСОБИЕ
по курсу
«Процессы микро- и нанотехнологий»
для студентов, обучающихся по направлению
«Электроника и микроэлектроника»
2016
1. Последовательность изготовления ИС
Интегральная микросхема (ИС) – это конструктивно законченное микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования информации, содержащее совокупность электрически связанных между собой элементов. Основным типом современных ИС являются так называемые монолитные ИС, изготовляемых на основе монокристаллического кремния. Со схемотехнической точки зрения монолитная ИС представляет собой совокупность связанных системой проводников отдельных элементов (транзисторов, резисторов и т.п.), которые тем или иным способом изолированы от подложки. В конструктивно-технологическом отношении каждый из элементов состоит из ряда областей полупроводника, различающихся по электрофизическим свойствам (типу и концентрации примесей), и изолирующих областей диэлектрика.
По типу используемых основных активных элементов полупроводниковые микросхемы подразделяют на биполярные и полевые (на МДП-транзисторах). Выпускаются также комбинированные биполярно-полевые полупроводниковые микросхемы, в которых наряду с биполярными используются и полевые транзисторы. Частью конструкции микросхемы является ее подложка. Она выполняет функции: механического основания, изоляции элементов друг от друга, теплопровода. Подложки выпускаются в виде тонких круглых пластин толщиной 50 – 200 мкм. Часть подложки, отведенную под одну микросхему, отделенную от других частей вместе со сформированными на ней элементами, в полупроводниковой технологии называют кристаллом. На завершающей стадии формирования ИС пластина разрезается на отдельные кристаллы прямоугольной формы.
При групповой технологии, когда на одной пластине одновременно изготовляется большое количество (до нескольких сотен) идентичных кристаллов ИС, совокупность областей с одинаковыми электрофизическими свойствами, толщиной и расположением по отношению к поверхности подложки принято называть слоем. Фрагменты каждого слоя в плоскости подложки имеют разную геометрию (рисунок), определяемую функциональным назначением формируемой им области. Формирование рисунка всех областей одного слоя также производится одновременно путем локального легирования, окисления, удаления частей слоя, не используемых в окончательной структуре схемы или для формирования рисунка последующих слоев.
На рис. 1 изображена структура биполярного транзистора монолитной ИС на основе кремния с изоляцией p-n переходом. В качестве подложки использована пластина кремния p‑типа проводимости, на которой сформирована эпитаксиальная пленка с проводимостью n‑типа. Для изоляции транзисторных структур и иных элементов ИС сквозь эпитаксиальную пленку по периферии элементов методом локальной диффузии акцепторной примеси созданы области с проводимостью p‑типа. Таким образом, сформирована ограниченная область с проводимостью n‑типа, которую обычно называют карманом. Карман с проводимостью n‑типа, со всех сторон окруженный областями с проводимостью p‑типа, реализует изоляцию элемента p-n переходом, который в рабочем режиме смещен в обратном направлении. Поэтому такой метод изоляции элементов ИС и называют изоляцией обратно смещенным p-n переходом.
Рис. 1. Структура биполярного транзистора с изоляцией p-n переходом
Все области транзистора расположены внутри такого кармана. Они изготовляются многократно повторяющимися операциями локального легирования кремния соответствующими примесями. Кроме функционально основных областей транзистора – коллектора, эмиттера и базы – транзисторная структура имеет ряд вспомогательных областей. Наиболее важной является область, которую называют скрытым коллекторным слоем. Она расположена вдоль границы эпитаксиальная пленка – подложка, и, как и весь коллектор, легирована донорной примесью. Эта область имеет высокую проводимость, ее наличие обеспечивает более равномерное распределение плотности тока коллектора по его площади, уменьшает последовательное сопротивление коллектора. Изготовляется такая область перед осаждением эпитаксиальной пленки. В отдельных карманах размещают диффузионные резисторы, во многих случаях по несколько резисторов в одном кармане.
Кроме того, транзисторные структуры часто имеют области, которые называют глубоким коллектором. Глубокий коллектор также представляет собой сильно легированную область n-типа проводимости, одна сторона такого слоя выходит на поверхность полупроводниковой подложки, а вторая смыкается со скрытым слоем. Основное назначение этой области – снижение последовательного сопротивления коллектора. В пределах этой области одновременно с формированием области эмиттера обычно создается дополнительный сильно легированный слой, который обеспечивает лучшее качество контакта материала металлизации к коллектору. Нередко также создается дополнительная область, называемая областью пассивной базы. Она или примыкает с одной стороны к области активной базы или окружает всю область активной базы. Такая, также достаточно сильно легированная область, благоприятно сказывается на равномерности распределения тока по периметру эмиттера, обеспечивает лучшее качество контакта к базе.
После формирования всех диффузионных областей поверхность кристалла покрывается пленкой диэлектрика, обеспечивающей изоляцию слоя металлизации от кремниевой подложки с расположенными в ее объеме элементами. В этом слое создаются окна – контактные площадки к отдельным элементам структур транзисторов, резисторов и т.д. Затем наносится пленка металла и в ней формируется рисунок межсоединений. Слой металлизации защищается от внешних воздействий дополнительным слоем диэлектрика, в котором вскрываются окна над участками металлизации, предназначенными для подсоединения внешних выводов. Соответствующие контактные площадки в простейшем случае размещаются по периферии кристалла и зачастую занимают значительную долю его общей площади. Предварительно области под контактными площадками изолируются p-n переходом от подложки.
Последовательность основных групп технологических операций при изготовлении биполярных ИС с изоляцией р-п переходом
1. Окисление подложки, фотолитография по оксиду для вскрытия в нем окна, сквозь которое вводится примесь, формирующая сильно легированный скрытый п +-коллекторный слой (рис 2, а).
2. Удаление оксида с поверхности пластины и осаждение эпитаксиального слоя п -типа электропроводности.
3. Окисление пластины, фотолитография по слою оксида, введение акцепторной примеси с целью создания разделительных областей, окружающих участок со скрытым коллекторным слоем. Результатом этой группы операций является создание кармана с электропроводностью п -типа, в котором в дальнейшем формируются основные слои транзисторной структуры (рис 2, б).
4. Окисление, фотолитография по оксиду, введение примеси акцепторной для формирования области базы (рис 2, в).
5. Окисление, фотолитография по оксиду, введение донорной примеси, формирующей области эмиттера и приконтактной области коллектора (рис 2, г).
6. Нанесение слоя оксида, фотолитография по нему с целью вскрытия контактных площадок к областям эмиттера, базы и коллектора (рис 2, д).
7. Нанесение слоя металла, фотолитография по нему – создание рисунка межсоединений, объединяющих ранее созданные элементы ИС в единую электрическую схему.
8. Нанесение слоя защитного диэлектрика, фотолитография по нему с целью вскрытия площадок для подсоединения к кристаллу внешних выводов.
Если в структуре есть глубокий коллектор, его создают после создания разделительных областей. Затем создается пассивная база (если она предусмотрена в изготовляемой структуре), а уже после нее – активная база.
Современные ИС на биполярных транзисторах изготавливают с применением комбинированной изоляции элементов, котораяобеспечивает повышение плотности размещения элементов микросхем и микропроцессоров.
а
б
в
г
д
Рис. 2. Фрагменты фотошаблонов и изменения структуры
При использовании изопланарной технологии (Рис. 3)элементы изолируются друг от друга оксидом кремния. На поверхности эпитаксиального слоя последовательно формируют диэлектрики: тонкий окисел кремния, нитрид кремния и окисел кремния из газовой фазы. Нитрид кремния используется в качестве маски для глубокого селективного окисления, верхний слой окисла кремния – в качестве маски при селективном травлении нитрида кремния, а нижний слой окисла – для снижения напряжений между осажденным слоем нитрида кремния и эпитаксиальным слоем, приводящих к образованию дислокаций в последнем. Использование маски из нитрида кремния позволяет проводить локальное окисление эпитаксиального слоя на всю его глубину. Эта технологическая операция основана на большой разности скоростей окисления кремния и нитрида кремния: скорость окисления нитрида при температурах выше 1000 0С в чистом кислороде и в парах воды на порядок ниже скорости окисления кремния. В связи с тем, что плотность SiO2 меньше плотности кремния в полтора-два раза, а ее удельный объем соответственно в полтора-два раза выше, в технологический маршрут вводится операция травления (на 60...65 % толщины) кремния перед глубоким окислением для обеспечения плоскостности поверхности пластины.
Широко используется технология анизотропного травления с заполнением канавок поликристаллическим кремнием такая изоляция называется щелевой (Рис. 4). После вытравливания разделительных канавок их поверхность защищают слоем оксида кремния (иногда используют двухслойный диэлектрик SiO2 – Si3N4), затем осаждают поликристаллический кремний до тех пор, пока канавка будет заполнена. Излишний поликристаллический кремний сошлифовывают до получения плоской поверхности.
Рис. 3. Биполярный транзистор, изготовленный по изопланарной технологии
Рис. 4. Биполярный транзистор с щелевой изоляцией
2. Расчет профилей распределения примесей
2.1. Выбор легирующей примеси
При выборе примесей, используемых для создания слоев интегральной схемы, пользуются следующими критериями:
1) тип проводимости области полупроводника, который нужно получить введением примеси;
2) предельная растворимость примеси в полупроводнике при температуре проведения «загонки»;
3) коэффициент диффузии примеси в полупроводнике и в маскирующей пленке при температуре проведения «загонки», и их соотношение.
Исходя из этих критериев, для создания слоев n-типа используется фосфор (Р), для слоев p-типа – бор (В), так как они обладают высокой предельной растворимостью и большим коэффициентом диффузии (причем коэффициент диффузии в кремний больше, чем в оксид кремния, используемый в качестве маски при проведении локальной диффузии). Для создания скрытого слоя используют мышьяк (As) или сурьму (Sb), так как они имеют меньший коэффициент диффузии, чем фосфор, следовательно, профиль скрытого слоя «расплывется» не сильно.
2.2. Фотолитография, травление и снятие пленок
Фотолитография – совокупность фото- и физико-химических процессов, применяющихся для получения необходимых размеров и конфигураций компонентов микроэлектронных элементов и устройств. Сущность процесса фотолитографии заключается в следующем. На поверхность материала наносят слой особого светочувствительного материала – фоторезиста. Рельеф образуется в результате того, что под действием света, падающего через маску (фотошаблон) на определенные участки позитивного фоторезистивного слоя, последние растворятся в тех или иных растворителях.
Допустим, что нами выбран позитивный фоторезист ФП383 [2] – вязкая прозрачная жидкость оранжевого цвета, представляющая собой раствор светочувствительных продуктов и новолачной смолы в диоксане. Позитивный резист имеет более высокую разрешающую способность по сравнению с негативными. Вязкость при 293 К равна (5,9+0,5)*10-6 м2/с; разрешающая способность 400 лин/мм, кислотопроницаемость пленки ФР толщиной 1 мкм характерезуется плотностью дефектов в пленке диоксида кремния и равна 0,5 мм-2. Проявление фоторезиста осуществляется в 1-2% растворе тринатрийфосфата. Травление в случае SiO2 проводят в плавиковой кислоте. После травления пластину подвергают тщательной промывке в деионизированной воде. Удаление задубленного слоя фоторезиста производят в горячей концентрированной серной кислоте или щелочи. Кроме удаления SiO2 с поверхности полупроводниковой пластины и проведение локальной диффузии фотолитографию используют для гравировки тонкопленочных металлических покрытий. Для травления Al используют кислоты. Применяют 50%-ный раствор ортофосфорной кислоты, нагретой до температуры 60-700 С. Качество проведения каждой операции в процессе фотолитографии в основном определяет процент выхода годных изделий.
2.3. Эпитаксия кремния
Ориентированный рост поверхности монокристалла, т.е. рост слоя, повторяющего структуру подложки, называют эпитаксиальным ростом, а процесс получения такого слоя – эпитаксией.
Эпитаксиальное осаждение вещества на монокристаллические подложки проводят из различных сред: пара, газа, раствора, ионных потоков. Применительно к технологии ИС чаще всего использую методы осаждения из газовой фазы, т.к. он обеспечивает хорошую управляемость процессов, получение однородных слоёв большой площади, высокую воспроизводимость, возможность легирования с концентрацией примеси в широком диапазоне.
Этот метод основан на использовании следующих химических реакций:
- восстановление водородом тетрахлорида кремния (хлоридный метод):
SiCl4 (пар)+ 2H2 (газ)=Si (тв.)+4HCl (газ)
Здесь возможны десятки промежуточных реакций и кремний может находиться в различных состояниях:SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, SiH4, Si (тв.), Si(газ).
- пиролитическое разложение силана (силановый метод):
SiH4 (газ)=Si (тв.)+2H2 (газ)
Силановый метод, по сравнению с хлоридным методом, проводится при более низкой температуре осаждения и имеет более резкий профиль распределения концентрации на границе подложка – эпитаксиальный слой, что позволяет получать тонкие эпитаксиальные слои. Можно принять, что эпитаксиальная пленка выращивается хлоридным методом при температуре 1200 0С со скоростью 20 нм/с.
2.4. Расчет концентрации примеси в подложке и эпитаксиальном слое
Подложка равномерно легирована p-типом примеси. Ее объемное сопротивление и объемное сопротивление эпитаксиального слоя указаны в КТВ - rv [Ом·см].
, (2.1)
Значение подвижности (для дырок и электронов соответственно) можно найти из эмпирического выражения (для T=300 К):
. (2.2)
. (2.3)
Подставляем (2.2) или (2.3) в (2.1) и методом подбора получаем: Nподл и Nэпит.
2.5. Многостадийная диффузия
Процесс диффузии проводят в две стадии: “загонка” и “разгонка” примеси.
На первой стадии (“загонка”) диффузия проводиться из неограниченного источника. Распределение в этом слое соответствует дополнительной функции ошибок:
. (2.4)
Выражение (2.4) можно получить из второго закона Фика при условии постоянства концентрации примеси на границе, где D=D(T) - коэффициент диффузии. Зависимость коэффициента диффузии от температуры приведена на рис. 5 [2].
Рис. 5. Зависимость коэффициентов диффузии от температуры
На практике, как правило, поддержание постоянства концентрации обеспечивается введением предельно возможного количества примеси. Т.е. эта концентрация равна предельной растворимости данной примеси в полупроводнике, которая обозначается Ns=Ns(T). Зависимость предельной растворимости от температуры приведена на рис. 6 [2].
Количество атомов в слое, созданном за время первой операции, следует определять из уравнения:
, (2.5)
Где 
– поток диффундирующих атомов.
Рис. 6. График зависимости предельной растворимости от температуры
С учётом плотности тока через границу, получим:
.
Значит, количество атомов примеси, поступившее из полуограниченного источника за время t равно:
. (2.6)
Поверхностное сопротивление полученного слоя rs [Ом/] определяется соотношением:
, (2.7)
где h слоя – толщина слоя.
На второй стадии (“разгонка”) диффузия проводится из ограниченного источника (считаем, что в результате загонки получен бесконечно тонкий слой).
Результирующее распределение примеси рассчитывается по функции Гаусса:
. (2.8)
Толщины слоев определяются из условия равенства концентраций на границе слоя (точка p-n перехода). При диффузии примеси в подложку (разделительные области) граничное условие примет вид N(hслоя) = Nподл, при диффузии в эпитаксиальный слой (глубокий коллектор и база) N(hслоя) = Nэпитакс. В случае эмиттерной диффузии примесь диффундирует в неравномерно легированную активную базу и граничное условие принимает вид Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера).
При разгонке скрытого слоя примесь будет диффундировать и в подложку и в выращенный впоследствии эпитаксиальный слой. В подложке глубина залегания p-n -перехода xподл находится из профиля распределения примеси в ходе разгонки при граничном условии N(xподл)=Nподл. Граница скрытого слоя в эпитаксиальном слое xэпитакс находится из профиля распределения примеси в ходе разгонки при граничном условии N(xэпитакс)=Nэпитакс. Считая, что в подложку и в эпитаксиальный слой поступит равное количество примеси, можем оценить толщину скрытого слоя
(2.9)
Если в КТВ даны толщины и сопротивления слоев после разгонки, то в выражение (2.7) следует подставлять выражения (2.3), (2.8) для слоев n-типа и выражения (2.2), (2.8) для слоев p-типа, а также поверхностное сопротивление и толщину соответствующего слоя из КТВ. Вторым уравнением в системе будет (2.8), в которое подставляем толщину слоя из КТВ и N(x), равное концентрации примеси в слое, в который ведется загонка. Неизвестными будут количество загнанной примеси, Q и произведение D·t – характеристические параметры разгонки слоя (D·tхаракт= ∑ D·ti). Решая систему уравнений в MathCad, получаем количество примеси и параметры разгонки для каждого слоя. Рассчитываем профиль распределения примеси (рис. 7, рис. 8), произведения D·tхаракт вносим в таблицу 2.
Рис. 7. Парциальное распределение легирующей примеси в структуре
Рис. 8. Эффективное распределение легирующей примеси в структуре
Затем подбираем подходящие параметры загонки. Для этого нужно задаться температурой, при которой будет проводиться загонка слоя (рекомендуется выбрать температуру в пределах от 900 до 1100 0С) и определить по графику коэффициент диффузии и предельную растворимость для вводимой примеси, соответствующие данной температуре. Зная количество загнанной примеси, Q, определяем из (2.6) необходимое время загонки. Если время находится в пределах от 10 минут до 10 часов, записываем параметры загонки (T, t, Ns, D·t) в таблицу 2, если полученное время загонки выходит из рекомендованных пределов – изменяем температуру и ищем параметры загонки снова.
Реальные времена разгонки примеси в областях структуры определяются с учетом того, что каждый последующий термический процесс влияет на разгонку ранее загнанной примеси и определяются как:
(D·t)реальн.=(D·t)характ.- ∑ (D·t)всех послед. процессов (2.10)
Начинаем расчет с последнего высокотемпературного процесса – разгонки эмиттера, ∑ (D·t)всех послед. процессов =0, (D·t)реальн.=(D·t)характ. Затем считаем разгонку активной базы, (последующими процессами будут загонка и разгонка эмиттера, произведения D·t для этих процессов уже известны), потом разгонку пассивной базы и т.д. Полученные значения произведения D·t для каждого процесса вносим в таблицу 2. Температуру и время разгонки примеси выбираем, учитывая необходимость получить во время разгонки маскирующий слой SiO2 для следующего процесса загонки.
При загонке примеси ионной имплантацией выбираются энергия ионов, определяющая длину пробега (рис. 9), и количество загнанной примеси, Q. Считаем, что разгонка идет из точечного источника, расположенного на глубине, равной проецированной длине пробега ионов.
При изготовлении биполярных транзисторов процесс ионной имплантации используется для введения примеси в дно канавки при создании комбинированной изоляции элементов. Следовательно, пробег ионов будет начинаться не с поверхности пластины, а со дна вытравленной канавки, т.е., чтобы найти точку залегания точечного источника при разгонке введенной примеси, надо к глубине канавки прибавить проецированную длину пробега ионов. Количество введенной в канавку примеси при создании изопланарной изоляции определяется исходя из заданной толщины разделительных областей, а при создании щелевой изоляции – так, чтобы после разгонки максимальная концентрация равнялась 6 1018 см-3.
а б
Рис.9. Проецированная длина (а) и рассеяние (б) пробега ионов [2]
2.6. Расчет процессов окисления
При проведении локальной диффузии на поверхности кремния необходимо создавать маску для диффундирующей примеси. В качестве маски используется оксид кремния SiO2, получаемый термическим окислением поверхности пластины. Коэффициент диффузии примеси бора, фосфора и мышьяка в SiO2 на порядок меньше, чем в кремнии, поэтому оксид кремния для этих примесей обладает маскирующими свойствами.
Минимальная толщина маскирующего слоя SiO2 для заданной примеси, времени и температуры диффузии (процесс загонки), определяется из графика, приведенного на рис. 10, а затем по этой толщине из графика зависимости толщины SiO2 от времени окисления в сухом кислороде и в парах воды (рис.11), определяем необходимое время и температуру проведения процесса окисления. Поскольку окисление совмещено с разгонкой примеси, то произведение D·t нам известно из расчета процесса разгонки. Выбираем температуру процесса (рекомендуется выбрать температуру в пределах от 1000 до 1200 0С) и находим время. По графику на рис 11, а определяем толщину оксида, который получится при проведении процесса окисления в парах воды. Если толщина окисла меньше, чем необходима для следующего процесса загонки, выбираем другую температуру разгонки-окисления. Если толщина получающегося окисла существенно больше необходимой, лучше проводить окисление в сухом кислороде (график на рис 11, б). Время и температуру разгонки-окисления, получающуюся и необходимую толщину окисла заносим в таблицу 2.
Рис 10. Зависимость толщины маскирующей пленки SiO2 от режимов проведения диффузии [2]
Рис 11. Зависимости толщины SiO2 от t и Т при окислении в парах воды (а) и в сухом кислороде (б) [3]
Толщина защитного слоя окисла под металлизацию определяется, исходя из пробивного напряжения, и составляет обычно (при напряжении питания 5В) 0.5-0.7 мкм. Данный слой окисла будем получать пиролитическим осаждением оксида кремния. Этот процесс является низкотемпературным и поэтому не влияет на разгонку примесей, введенных в предыдущих процессах. Однако пирогенный слой оксида кремния осажденный непосредственно на кремний имеет неудовлетворительное качество границы раздела Si-SiO2, ухудшая тем самым пробивное напряжение. В связи с этим поверхность кремния предварительно окисляется в сухом кислороде на небольшую толщину для получения высококачественного окисла. А затем на выращенный слой окисла осаждается пирогенный SiO2.
| Операция | T, К | t, сек | Dt | Реальная толщина SiO2, мкм | Толщина маскир. SiO2, мкм | Ns, см-3 | Q, см-2 | |||||
| Скрытый слой | Разделит области | Глубокий коллект. | Пассивн. база | Активная база | Эмиттер | |||||||
| Создание маски под скрытый слой | из рис.10 | из рис.10 | из рис.10 | |||||||||
| Загонка скрытого слоя | из расчета загонки скр.сл. | из расчета загонки скр.сл. | из расчета загонки скр.сл. | из рис.9 | из расчета загонки | из расчета загонки | ||||||
| Разгонка скрытого слоя /создание маски под разделительные области | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | по формуле (2.10) | из рис.10 | ||||||||
| Загонка разделительных областей | из расчета загонки разд.обл. | из расчета загонки разд.обл. | DAs(Tзаг)·tзаг | из расчета загонки разд.обл. | из рис.9 | из расчета загонки | ||||||
| Разгонка разделительных областей / создание маски под глуб. коллектор | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | DAs(Tразг)·tразг | по формуле (2.10) | из рис.10 | из расчета разгонки | ||||||
| Загонка глубокого коллектора | из расчета загонки гл.к. | из расчета загонки гл.к. | DAs(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | из расчета загонки гл.к. | из рис.9 | из расчета загонки | |||||
| Разгонка глубокого коллектора / создание маски под пассивную базу | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | DAs(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | по формуле (2.10) | из рис.10 | из расчета разгонки | |||||
| Загонка пассивной базы | из расчета загонки п.базы | из расчета загонки п.базы | DAs(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | DP(Tзаг)·tзаг | из расчета загонки п.базы | из рис.9 | из расчета загонки | ||||
| Разгонка пассивной базы / создание маски под активную базу | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | DAs(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | DР(Tразг)·tразг | по формуле (2.10) | из рис.13 | из расчета разгонки | ||||
| Загонка активной базы | из расчета загонки акт.базы | из расчета загонки акт.базы | DAs(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | DP(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | из расчета загонки акт.б. | из рис.9 | из расчета загонки | |||
| Разгонка активной базы / создание маски под эмиттер | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | DAs(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | DР(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | по формуле (2.10) | из рис.10 | из расчета разгонки | |||
| Загонка эмиттера | из расчета загонки эмиттера | из расчета загонки эмиттера | DAs(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | DP(Tзаг)·tзаг | DB(Tзаг)·tзаг | DВ(Tзаг)·tзаг | из расчета загонки эмиттера | из рис.9 | из расчета загонки | ||
| Разгонка эмиттера / создание изолирующего окисла | из Dt и рис.10 | из Dt и рис.10 | DAs(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | DР(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | DВ(Tразг)·tразг | по формуле (2.10) | из рис.10 | из расчета разгонки | ||
| Dt характеристическое | как сумма всех Dt | из расчета разг. разд.обл. | из расчета разгонки гл.к. | из расчета разгонки п.б. | из расчета разгонки а.б. | из расчета разгонки э. |
Таблица 2. Режимы обработки.