Порядок выполнения работы (для снятия входной ВАХ)

Снять выходную ВАХ транзистора в программе моделирования Multisim. Для этого включить режим моделирования и изменять напряжение на коллекторе транзистора: клавишей «k » уменьшая, сочетанием «Shift »+«k » - увеличивая его. Величину напряжения снимать с вольтметра Uke, величину тока - с амперметра Ik Показания приборов занести в таблицу. Выключить режим моделирования.

Выполнить измерения при значениях тока базы Ib=20mkA, Ib=28mkA, Ib=36mkA, ток регулировать клавишей «b » уменьшая, сочетанием «Shift »+«b » - увеличивая его.

Расчетная часть

По полученным данным построить входную и выходную ВАХ транзистора для схемы с ОЭ.

По входной ВАХ определить величину параметра h11э=Uбэ/Iб, при Uкэ=5В.

По выходной ВАХ определить величину параметров h 21э, h 22э по формулам: h21э = Iк/Iб, при Uкэ=5В, h22э = Iк/Uкэ, при Iб согласно заданию.

Контрольные вопросы

1 Каким образом в схеме с ОЭ напряжение на коллекторе влияет на входную вольт – амперную характеристику?

2 Изобразите структурную схему с ОЭ и объясните, в чем состоит отличие ее от схемы с ОБ?

3 Почему схема с ОЭ не имеет недостатков, присущих схеме с ОБ?

4 Как влияет изменение Uкэ на входную ВАХ транзистора?

5 Как влияет ток базы на выходную ВАХ транзистора?

6 Что такое h-параметры?

7 Как определить h21э?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5
Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом в схеме с общим истоком (ОИ)

Цель работы: исследовать работу полевого транзистора с управляющим p-n переходом в схеме с ОИ, построить ВАХ по результатам измерений и рассчитать заданные параметры.

Используемое оборудование

– ПК; ПО Multisim

Краткие теоретические сведения

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении.

Рисунок 1 – Структура полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n-типа и его УГО

Канал такого транзистора объемный, представляет собой полупроводниковый кристалл с определенным типом проводимости с выводами от стока и истока. Затвор – тоже полупроводник с противоположным каналу типом проводимости, технологически соединенный с каналом. P-n переход между каналом и затвором получается обратно направленным за счет подключения к нему источника постоянного напряжения. При изменении величины обратного напряжения, подаваемого от источника на p-n переход, изменяется ширина запирающего слоя (d), а следовательно, и сечение канала (S), то есть изменением напряжения на управляющем электроде Е1 изменяют ток стока Iс.

Если Е1=0, то Iс имеет максимальное значение, следовательно можно говорить, что такой транзистор может работать только в режиме обеднения.

Различают два семейства статических характеристик полевых транзисторов.

Стоковой (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток – исток при постоянной напряжении затвор – исток Iс=f(Uси) при Uзи=const.

Для режима усиления используется область насыщения при Uси>Uси нас.

Стоко–затворной (управляющей или проходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при постоянном напряжении сток – исток Iс=f(Uзи) при Uси=const. Напряжение отсечки Uзиотс возникает, когда Iс приближается к нулю.

Вопросы допуска

1 Какие транзисторы называют полевыми и почему?

2 Что представляет собой канал полевого транзистора с управляющим p-n переходом?

3 В каком режиме может работать полевой транзистор с управляющим p-n переходом?

4 Что такое выходная характеристика, и какие параметры можно по ней рассчитать?

5 Что такое управляющая характеристика, и какие параметры она позволяет рассчитать?

Задание:

- зафиксировать показание входных измерительных приборов при установленных выходных параметрах схемы;

- зафиксировать показания выходных измерительных приборов при заданных входных параметрах исследуемой схемы;

- построить управляющую и выходную характеристики по полученным результатам измерений;

- рассчитать заданные параметры полевого транзистора по построенным характеристикам.

Содержание отчета

1 Название и цель работы.

2 Принципиальная схема исследуемого устройства.

Рисунок 10 - Принципиальная схема исследования полевого транзистора с управляющим p-n переходом

3 Таблицы измерений.

Таблица измерений для построения управляющей характеристики

Таблица измерений для выходной характеристики

4 ВАХ

5 Расчетная часть.