Включить компьютер и подождать, пока загрузится система. Запустить моделирующую программу Multisim.
Выбрать файл по указанию преподавателя и открыть его. Поиск файла вести по пути, указанному преподавателем.
Включить режим моделирования.
Генератор кодов выдает поочередно входные коды, которые можно фиксировать по индикаторам Х1 и Х2. Сигналы на выходах индицируются индикаторами Y1 – Y6. Свечение индикатора соответствует лог.1, погашенный индикатор, соответственно, лог.0. Индикацию сигналов на входах и выходах можно также наблюдать на экране логического анализатора.
Заполнить таблицу измерений.
Выключить режим моделирования. Проверить значения функций в таблице по экрану логического анализатора. Определить по значениям Y1-Y7, занесенным в таблицу, названия соответствующих логических функций и указать их в таблице.
Контрольные вопросы.
1 Каковы таблицы истинности всех изученных логических функций?
2 Какие УГО (отечественное, и зарубежное) соответствующих логических элементов у функции Y1, Y2, … Y7?
3 Каковы названия функций Y1, … Y7?
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №7
Исследование работы электронного ключа на биполярном транзисторе
Цель работы: Исследование работы электронного ключа на биполярном транзисторе
Используемое оборудование
– ПК, Multisim
Краткие сведения
Одним из основных элементов импульсной и цифровой техники является ключевое устройство. Ключевые устройства (ключи) служат для коммутации (переключения) цепей нагрузки под воздействием внешних управляющих сигналов. Ключи входят в качестве отдельных элементов в состав сложных устройств: триггеров, мультивибраторов и т. д. Ключ может находиться либо в замкнутом, либо в разомкнутом состоянии. В замкнутом состоянии (ключ включен) сопротивление ключа мало, через него течет большой ток и все напряжение источника выделяется на резисторе R. Напряжение на выходе Uвых равно нулю. В разомкнутом состоянии (ключ выключен) сопротивление ключа бесконечно большое, поэтому ток через него практически не протекает. Напряжение на выходе Uвых равно Е. Следовательно, при коммутации ключа на выходе создаются перепады напряжения с амплитудой Um=E.
Для построения электронных ключей используют диоды, транзисторы, электронные лампы и т. д. В зависимости от того, какой прибор использован, различают диодные, транзисторные, ламповые и т. п. ключи.
При создании транзисторных ключей используются биполярные или полевые транзисторы.
ПРОЦЕССЫВ КЛЮЧЕ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
Принцип работы ключа. В качестве основного примера рассмотрим транзисторный ключ на кремниевом транзисторе типа п-р-п. Такие ключи являются одним из основных элементов цифровых интегральных микросхем, они также могут быть реализованы и на дискретных элементах Наибольшее распространение получил транзисторный ключ по схеме с общим эмиттером. Его принципиальная схема приведена на рисунке 1. Транзисторный ключ может находиться в одном из двух состояний: ВЫКЛЮЧЕНО, когда транзистор закрыт и ключ разомкнут, и ВКЛЮЧЕНО, в этом случае транзистор открыт и ключ замкнут.
Рисунок 1 – Схема электрическая принципиальная ключа
Ключом управляют, подавая на его вход управляющее напряжение Uвх. Включенному состоянию соответствует низкий положительный уровень входного сигнала Uвых=U0. Включенное состояние обеспечивается высоким положительным уровнем входного сигнала Uвых=U1. Ключ удерживается в одном из состояний, пока на входе сохраняется соответствующий уровень сигнала. Резистор R ограничивает ток базы,, Rк - коллекторная нагрузка, Ек - источник коллекторного напряжения. Транзистор ключа описывается с помощью семейства входных и выходных характеристик, изображенных на рисунке 2.
Рисунок 2 – ВАХ транзистора
Особенностью входных характеристик кремниевого транзистора является наличие достаточно большого порога отпирания Uп. При напряжении на базе, меньше порога отпирания, транзистор всегда закрыт.
Для анализа работы ключа на семейство выходных характеристик наносят нагрузочную прямую, соответствующую определенному сопротивлению резистора Rк и пересекающую координатные оси в точках Ек и Ек / Rк. При изменении базового тока iб рабочая точка перемещается вдоль этой прямой, определяя в каждый момент времени коллекторный ток, напряжение между коллектором и эмиттером и режим работы транзистора.
Режимы транзистора. В соответствии с функциями ключа транзистор может находиться в одном из двух статических режимов: режиме отсечки (транзистор закрыт) и режиме насыщения (транзистор открыт и насыщен). Активный режим работы обусловлен переходом из одного статического режима в другой.
Режим отсечки (транзистор закрыт). На входе действует напряжение Uвх=U0. В этом режиме ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода. Напряжение на выходе ключа практически равно напряжению источника питания Uвых=Ек (определяя Uвых, необходимо суммировать все напряжения, проходя по внешней цепи от коллектора к эмиттеру).
Рабочая точка находится в точке А на нагрузочной прямой (рисунок 2). Для обеспечения такого режима в кремниевых транзисторах необходимо выполнить условие: Uп > Uвых=U0.
Напряжение Uбэ, приложенное к базе транзистора, определяют, проходя от базы к эмиттеру по внешней цепи (рисунок 1). Оно равно сумме двух составляющих: падения напряжения на сопротивлении R от тока Iкбо и остаточного напряжения источника входного сигнала Uвых=U0, которое, как правило, снимается с другого аналогичного ключа и не равно нулю (см. ниже режим насыщения). Оба напряжения имеют одинаковую полярность и стремятся открыть эмиттерный переход.
Таким образом, Uбэ=U0+R*Iкбо и условие отсечки для кремниевых транзисторов определяется неравенством: Un > U0 + R*Iкбо.
Это условие должно выполняться при максимальной температуре коллекторного перехода, когда напряжение Un минимально, а обратный ток коллектора максимален. Нужно иметь в виду, что ток Iкбо кремниевых транзисторов достаточно мал.
При выполнении условия отсечки оба перехода транзистора будут закрыты. Коллекторный переход (верхний по схеме) смещен в обратном направлении, так как напряжение на коллекторе равно +Ек. Учитывая это, часто считают, что в режиме отсечки все выводы транзистора разъединены.
Активный режим (транзистор открыт, но не насыщен). Напряжение на входе лежит в пределах Un < Uвх < U1. В этом режиме транзистор находится короткое время, равное времени переключения из одного статического состояния в другое. Через электроды транзистора протекают прямые токи базы, коллектора и эмиттера. При изменении Uвх меняется ток базы и рабочая точка перемещается по нагрузочной прямой от точки А к точке Б (рисунок 2). Входной (базовый) и выходной (коллекторный) токи связаны между собой линейно с помощью статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Iк=I*h21. Напряжение на выходе равно разности напряжений источника коллекторного питания и падения напряжения на Rк от тока коллектора, протекающего через коллекторный переход:
С увеличением тока базы увеличивается коллекторный ток. Это ведет к увеличению падения напряжения на резисторе Rк, а следовательно, и уменьшению напряжения на коллекторе Uк=Uвых. При некотором токе базы, называемом током базы в режиме насыщения Iбнас, рабочая точка попадает в точку Б (рисунок. 2), которой соответствует значение коллекторного тока Iкнас, называемое током коллектора в режиме насыщения, и транзистор переходит в режим насыщения.
Режим насыщения (транзистор открыт и насыщен). В режиме насыщения на входе действует напряжение Uвх = U1, которое вызывает появление тока, втекающего в базу iб > Iбнас. Этот ток соответствует границе между активным режимом и режимом насыщения (точка Б). В этой точке ток базы еще связан линейной зависимостью с током коллектора.
В режиме насыщения транзистор полностью открыт, т. е. оба перехода смещены в прямом направлении, и коллекторный ток ограничивается только резистором Rк. Пренебрегая падением напряжения на открытом транзисторе, можно записать: Iк = Iк нас = Ек / Rк.
Выходное напряжение ключа Uвых= U0, где U0 - остаточное напряжение на коллекторе открытого транзистора.
Для количественной оценки глубины насыщения часто используют понятие коэффициента насыщения S, который показывает, во сколько раз ток Iб, втекающий в базу транзистора, превышает ток базы, при котором транзистор оказывается на границе насыщения S=Iб/Iбнас.
Поскольку на границе насыщения напряжения между выводами транзистора составляют доли вольта, а дифференциальные сопротивления значительно меньше внешних сопротивлений ключевого устройства, часто считают, что все выводы транзистора в этом режиме замкнуты между собой и транзистор представляет собой точку.
Динамический режим ключа. При анализе работы транзисторного ключа предполагалось, что переход его из состояния ВЫКЛЮЧЕНО в состояние ВКЛЮЧЕНО происходит мгновенно. В действительности, даже если подавать на вход ключа идеальный прямоугольный импульс или перепад, соответствующие изменения выходного напряжения будут происходить не мгновенно, а в конечные промежутки времени, определяемые длительностью переходных процессов.
Инерционные факторы, влияющие на работу ключа. Возникновение переходных процессов объясняется инерционными свойствами, которыми обладают как сам транзистор, так и внешние цепи, подключенные к нему. Инерционность таких цепей связана с наличием паразитных емкостей (монтажа, нагрузки и т. д.), которые при переключении ключа заряжаются и разряжаются за конечное время. Учтем эту емкость введением в схему ключа некоторой нагрузочной емкости Сн (рисунок 3).
Рисунок 3 - Схема, учитывающая инерционные свойства транзистора, и их влияние на параметр h21
Инерционность транзистора, обусловленная процессами накопления и рекомбинации заряда в базе при коммутации ключа, называется внутренней, а инерционность транзистора, вызванная наличием барьерных емкостей переходов, называется внешней.
Внутренняя инерционность транзистора учитывается введением некоторой постоянной времени r. В процессе работы транзистора под действием тока в базе накапливается заряд. Время, в течение которого число неосновных носителей в базе уменьшается в е раз (где е-основание натурального логарифма), обозначается постоянной времени r. Постоянная времени r определяет внутренние инерционные свойства транзистора в схеме с общим эмиттером и называется временем жизни неосновных носителей в базе. Время жизни неосновных носителей в базе зависиn от режима работы и типа транзистора. Так, при работе дрейфовых транзисторов в режиме насыщения постоянная времени, обозначаемая Тнас, увеличится, Тнас=(2-6)*r.
Внутренняя инерционность - общее свойство транзистора - проявляется не только в ключевом, но и в усилительном режиме работы транзистора. В усилительном режиме наличие внутренних инерционных свойств приводит к тому, что динамический коэффициент передачи по току h21 зависит от частоты. Так как на практике эту зависимость легко измерить, то параметр r определяют, пользуясь этой зависимостью.
Время жизни носителей оказывается обратно пропорциональным частоте, на которой коэффициент передачи равен 1.
Следует иметь в виду, что такую же зависимость коэффициента передачи от частоты имеет не только транзистор, но и интегрирующая цепь. Поэтому упрощенно можно полагать, что переходные процессы, возникающие вследствие внутренней инерционности транзистора, описываются дифференциальным уравнением первого порядка с постоянной времени τ. В этом случае для расчетов применимо общее соотношение, являющееся решением дифференциального уравнения первого порядка с постоянной правой частью.
Барьерные емкости Су и Ск, являющиеся причиной внешней инерционности транзистора, нелинейны и зависят от приложенных к переходам напряжений. Усреднив их по всему диапазону напряжения, Сэ и Ск можно отнести к внешней схеме ключа, как постоянные. Поэтому Сэ и Ск и называют внешними инерционными параметрами транзистора.
При работе транзистора в активном режиме возникает обратная связь с коллектора на базу транзистора через емкость коллекторного перехода Ск, что также является причиной внешней инерционности транзистора. Внешнюю инерционность из-за действия обратной связи через Ск учитывают, вводя постоянную времени rк. Общая постоянная времени транзистора в схеме ключа для активного режима равна сумме постоянных времени, обусловленных внутренними и внешними инерционными факторами транзистора.
Описание переходных процессов. Рассмотрим переходные процессы, происходящие в ключе при подаче на его вход прямоугольного импульса. Временные диаграммы, иллюстрирующие изменение тока базы iб(t), заряда Q(t), тока коллектора iк(t) и т. д. изображены на рисунке 4.
Исходное состояние. В исходном состоянии транзистор находится в режиме отсечки, поскольку напряжение на входе Uвх= U0 меньше порога отпирания. Рабочая точка на семействе выходных характеристик находится в точке А.
Включение. В момент t=t1 на вход ключа подается положительный импульс, амплитуда которого больше порогового значения. Этот импульс вызывает появление в цепи базы перепада тока. Ток базы во время действия входного импульса можно считать практически неизменным, так как входное сопротивление транзистора обычно много меньше сопротивления R. Под воздействием входного перепада тока транзистор переходит последовательно из области отсечки в активную область и далее в область насыщения.
Процесс включения транзисторного ключа обычно подразделяют на два этапа: задержка включения (или подготовка включения) и формирование фронта выходного импульса.
Задержка включения. Интервал времени t1-t2 от момента подачи входного импульса до начала нарастания коллекторного тока, определяет время задержки включения tз. Транзистор в это время находится в режиме отсечки.
Рисунок 4 – Временные диаграммы процесса переключения транзистора
Возникновение задержки при включении ключа объясняется зарядом барьерных емкостей Сэ и Ск током БАЗЫ. В процессе заряда напряжение на емкостях Сэ и Ск под действием входного импульса нарастает от значения U0, стремясь к U1. В тот момент, когда напряжение на базе достигает порогового значения Un, эмиттерный переход открывается и транзистор переходит из режима отсечки в активный режим.
Рабочая точка на нагрузочной прямой за время задержки не меняет своего положения.
Заряд барьерных емкостей происходит в цепи первого порядка с постоянной времени τз=R(Ск+Сэ). Практически время задержки весьма мало, поэтому им часто пренебрегают.
Формирование фронта происходит в интервале t2-t3. В момент времени t2 напряжение на базе становится равным пороговому, транзистор открывается и переходит в активный режим. Начинается накопление заряда неосновных носителей, инжектированных в базу. По мере увеличения заряда увеличивается ток коллектора, который пропорционален Q(t), и уменьшается напряжение на коллекторном переходе. Скорость накопления заряда в базе определяет скорость нарастания коллекторного тока.
В момент t3, когда заряд достигает граничного значения, коллекторный переход смещается в прямом направлении и транзистор переходит в состояние насыщения. Рост коллекторного тока прекращается, поскольку он оказывается ограниченным параметрами внешней цепи: Iк = Iк нас = Ек / Rк.
За время формирования фронта рабочая точка по нагрузочной прямой перемещается из точки А в точку Б (рисунок 2). Интервал времени t2-t3, в течение которого коллекторный ток меняется от 0 до Iк нас, называется длительностью фронта. Транзистор в это время находится в активном режиме.
Накопление избыточного заряда. После окончания формирования фронта в момент времени t3 транзистор переходит в режим насыщения. Коллекторный переход смещается в прямом направлении. Коллекторный ток практически постоянен и равен Iк нас. Однако заряд в базе продолжает нарастать, стремясь к стационарному значению, определяемому входным током.
Избыточный заряд возникает только в том случае, если ток базы превышает значение Iб нас. В режиме насыщения нарушается пропорциональность между током базы и током коллектора. Коллекторный ток уже не может следовать за базовым, так как он ограничен сопротивлением Rк. В противном случае закон изменения коллекторного тока повторял бы закон изменения заряда Q(t), вызываемый током базы. Необходимо отметить, что при переходе транзистора в режим насыщения изменяется время жизни неосновных носителей в базе, которое для области насыщения обозначается символом Тнас и называется постоянной времени транзистора в области насыщения. Постоянная времени Тнас определяет как процесс накопления, так и стационарный уровень заряда в базе. Стационарного значения заряд достигает за время, не меньшее, чем 2,3*Тнас после начала накопления. Если длительность входного импульса меньше этого значения, то заряд в базе к концу будет меньше Qст.
В режиме насыщения рабочая точка на нагрузочной прямой остается в точке Б.
Выключение. В момент времени t4 действие входного отпирающего импульса заканчивается. Возникает обратный ток базы. Под воздействием процесса рекомбинации заряд неосновных носителей в базе уменьшается. Спустя некоторое время транзистор выходит из насыщения и переходит в активную область, а затем запирается.
Процесс выключения можно разделить на два этапа: рассасывание избыточного заряда и формирование спада импульса.
Рассасывание избыточного заряда происходит в течение интервала времени t4-t5. Этот процесс является причиной возникновения задержки при выключении ключа. Заряд неосновных носителей в базе мгновенно измениться не может, поэтому требуется время, чтобы он уменьшился от стационарного значения в режиме насыщения Qст до граничного значения. В течение этого времени транзистор остается в режиме насыщения, ток коллектора постоянен и равен Iкнас, а Uк=Uкнас=U0.
Время, в течение которого транзистор продолжает оставаться в режиме насыщения после окончания входного импульса, называется временем рассасывания.
К концу процесса рассасывания положение рабочей точки на нагрузочной прямой не меняется.
Формирование среза импульса. Начинается в момент времени t5, когда избыточный заряд уменьшается до нуля. Коллекторный переход смещается в обратном направлении, и транзистор из режима насыщения переходит в активный режим. В течение интервала t5-t6, называемого длительностью среза, заряд в базе продолжает убывать, уменьшаясь от Qrp до нуля, рабочая точка на нагрузочной прямой возвращается в точку А. Коллекторный ток в активном режиме пропорционален заряду и изменяется от Iк нас, стремясь по экспоненциальному закону к 0. В момент t6 транзистор запирается и Iк=0.
Далее в течение некоторого времени t6,-t7 происходит изменение заряда барьерных емкостей переходов Сэ и Ск. За время этого процесса ток базы уменьшается до нуля, а на базе устанавливается исходное напряжение Uo.
ВЛИЯНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СХЕМЫКЛЮЧА НА ЕГО РАБОТУ
Значения элементов и напряжений в схеме транзисторного ключа влияют на длительности соответствующих процессов.
Изменение параметров коллекторной цепи Rк и Ек приводит к изменению тока Iк нас и влияет на длительности всех трех процессов. Например, уменьшение Ек до Е'к ведет к уменьшению Iк нас до I'к нас. При включении ключа амплитуда коллекторного тока будет нарастать до меньшего значения Iк нас в цепи с неизменной постоянной времени; это приведет к уменьшению длительности фронта. При уменьшении Iкнас транзистор выходит на границу насыщения при меньшем токе базы, поэтому все дальнейшее увеличение тока базы вызывает накопление избыточного заряда, что ведет к увеличению времени рассасывания.
Спадать коллекторный ток начнет с меньшего значения, поэтому время среза уменьшится. Уменьшение Iк нас из-за увеличения Rк влияет на изменение времен двояко. С одной стороны, при уменьшении Iк нас уменьшаются длительности фронта и среза и увеличивается время рассасывания. Но, с другой стороны, особенно при использовании дрейфовых транзисторов, увеличивается постоянная времени транзистора в активном режиме вследствие увеличения слагаемого, обусловленного внешним инерционным фактором. Это увеличение приводит к увеличению tc, поэтому изменением Rк можно изменять потребляемую мощность и пропорционально ей изменять быстродействие при условии, что длительность рассасывания сравнительно мала.
Прямой ток включения базы Iб можно увеличить, повысив напряжение Uвх. При этом длительность фронта уменьшается из-за увеличения скорости нарастания тока, а длительность рассасывания увеличивается вследствие накопления избыточного заряда. Длительность среза остается неизменной. При изменении сопротивления R, например уменьшении, происходит пропорциональное увеличение тока базы, процесс включения протекает быстрее. Сокращается и процесс выключения, поскольку ток Iк спадает от Iк нас до нуля с большей скоростью, стремясь к более низкому уровню. Время рассасывания увеличивается.
Рассмотренные примеры показывают, что изменение режимов работы транзистора, работающего по схеме ключа, не позволяет заметно повысить его быстродействие, поскольку при неизменной потребляемой мощности уменьшение длительности одних процессов сопровождается увеличением длительности других. Для повышения быстродействия используют более сложные схемы ключей.
СХЕМЫКЛЮЧЕЙ С ПОВЫШЕННЫМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ
Как следует из рассмотренного выше, быстродействие ключа можно увеличить, переключив его током базы, временная диаграмма которого представляет на рисунке 5,а. В момент t1 для ускорения процесса ключ включается большим током Iб1, затем в момент времени t2 ток уменьшается до значения I'б1, т. е. транзистор выводится на границу режима насыщения для уменьшения длительности рассасывания. В момент t3 транзистор запирается большим базовым током Iб2.
Ключ с форсирующей (ускоряющей) емкостью. Форму тока, близкую к оптимальной, можно получить, зашунтировав резистор R конденсатором (рисунок 5). При появлении входного напряжения в момент t1 транзистор начинает открываться. Базовый ток транзистора в первый момент замыкается через конденсатор, так как последний представляет собой малое сопротивление, близкое к короткому замыканию для скачка тока. Вследствие этого в момент t1 базовый ток имеет большое значение: Iб1 =(Uвх–Uбэ) / Ru, где Ru - внутреннее сопротивление источника сигнала (например, выходное сопротивление предыдущего ключа); обычно Ru >> R.
Рисунок 5- Схема ключа с ускоряющим конденсатором
Этот ток быстро заряжает барьерные емкости и накапливает заряд в базе транзистора. Благодаря большому току уменьшаются длительности задержки и фронта. По мере заряда конденсатора ток базы уменьшается до значения I'б1=Uвх / R, определяемого сопротивлением R, которое выбирается из условия насыщения. Благодаря этому к моменту окончания входного импульса в базе накапливается сравнительно небольшой избыточный заряд.
В момент t3 окончания входного сигнала конденсатор С разряжается через базу транзистора, создавая большой запирающий ток базы Iб2=Uc / Ru.
Этот ток ускоряет процессы рассасывания и выключения транзистора.
Емкость С не должна быть слишком малой, иначе длительность всплесков токов будет меньше, чем длительность процессов переключения, которую они уменьшают. При этом процесс переключения будет протекать в основном при сравнительно малых токах базы, т. е. не будет ускоряться.
Нельзя выбирать ускоряющий конденсатор и слишком большой емкости, поскольку в этом случае: во-первых, ток базы не успеет уменьшиться до уровня Iб2 к концу входного импульса и в базе накопится весьма большой избыточный заряд; во-вторых, конденсатор не будет успевать заряжаться до уровня входного импульса к моменту его окончания, процессы рассасывания и включения будут протекать медленнее.
Ключ с нелинейной обратной связью. Обеспечить большой базовый ток включения и одновременно уменьшить время рассасывания можно, используя схему ключа с отрицательной обратной связью, в которой не допускается насыщенный режим работы транзистора. Особенно важно это при использовании высокочастотных дрейфовых транзисторов, отличающихся тем, что у них время жизни неосновных носителей в режиме насыщения значительно больше, чем в активном режиме. Схема ненасыщенного ключа приведена на рисунке 6.
Рисунок 6 – Схема ненасыщенного ключа
Нелинейная отрицательная обратная связь осуществляется через диод VD. Состояние диода определяется полярностью и величиной напряжения, действующим между анодом и катодом диода. В исходном состоянии диод закрыт за счет высокого положительного потенциала на катоде. Отрицательная обратная связь не действует. При подаче большого входного сигнала Uвх = U1, входной ток вначале течет через R1 и R2 в базу транзистора, обеспечивая большой ток включения Iб1. В процессе отпирания транзистора напряжение на коллекторе уменьшается от Ек, стремясь к 0, и в тот момент, когда напряжение между базой и коллектором, уменьшаясь достигнет значения, равного падению напряжения от входного тока на R2, диод VD открывается и часть входного тока будет протекать через диод и коллектор на землю в обход базы. В результате ток базы уменьшается до значения I'б1<=I'б нас, и транзистор не входит в насыщение. Сопротивление R2 выбирают таким, чтобы падение напряжения на нем за счет тока базы было больше падения напряжения на открытом диоде. В этом случае напряжение между коллектором и базой остается положительным, хотя и небольшой величины, и вхождение транзистора в насыщение предотвращается.
При изготовлении ключа методами микроэлектроники в цепи обратной связи иногда используются диоды Шотки, выполненные в едином технологическом процессе с интегральным транзистором также с барьером Шотки. Диод Шотки представляет собой переход металл-полупроводник.
Для работы ключа с нелинейной обратной связью необходимо, чтобы диод, включенный параллельно коллекторному переходу транзистора, открывался при сравнительно малом напряжении, когда коллекторный переход еще закрыт. Это и обеспечивает диод с барьером Шотки.
В подобных ключах можно получить очень малые времена выключения, поскольку транзисторы с барьером Шотки имеют, как правило, более высокие значения коэффициента усиления и более низкие значения неуправляемых токов.
Вопросы допуска
1 Какие устройства могут реализовывать функции электронного ключа?
2 Для чего предназначен электронный ключ?
3 По каким параметрам можно осуществить выбор и качественную оценку работы электронного ключа?
4 Как называется характеристика, поясняющая принцип действия электронного ключа.
5 В каких устройствах могут быть использованы электронные ключи?
Задание:
- исследовать осциллограмму биполярного транзистора, работающего в качестве электронного ключа;
- рассчитать Uвкл и Uвыкл;
- рассчитать время включения и выключения электронного ключа.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Принципиальная схема.
Рисунок 1 – Схема электронного ключа на биполярном транзисторе
Рисунок 2. Схема ненасыщенного ключа на биполярном транзисторе
3 Таблица для исследования временных диаграмм электронного ключа
| % изменения Rвх, С | Осциллограмма |
| 0% | |
| 50% | |
| 100% |