ВАРИАНТЫДОМАШНЕЙ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА»
I курс
для студентов специальности
11.02.02 «Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники
(по отраслям)», заочное отделение
Разработал
преподаватель КГБПОУ «ККРИТ»
Комаров Н.Д.
Красноярск, 2016
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ВЫПОЛНЕНИЮ ДОМАШНЕЙ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
Учебная дисциплина «Электронная техника» является общепрофессиональной и предусматривает изучение физических основ электронной техники, полупроводниковых, фотоэлектронных приборов, устройств отображения информации, типовых электронных устройств, а также основ микроэлектроники, что является необходимой базой для изучения специальных дисциплин.
В процессе изучения каждый студент заочной формы обучения должен представить контрольную работу. Даны 25 вариантов, охватывающие все темы программы. Номер варианта соответствует порядковому номеру из списка в журнале.
При выполнении контрольной работы студенту следует опираться на программу курса «Электронная техника», где дана структура изучения данной темы и основная литература, краткие методические рекомендации к изучению тем курса, разработанные преподавателем. Необходимо использовать рекомендуемую в программе основную литературу, справочные материалы и другие источники.
Для правильного восприятия работы, большое значение имеет ее правильное оформление, которое оценивается по следующим параметрам:
· на обложку тетради следует наклеить адресный бланк учебного заведения;
· на первом листе написать номера вопросов;
· оставить поля для замечаний рецензента;
|
· работа должна быть выполнена грамотно и аккуратно, четким разборчивым почерком. Объем работы – не более 18 страниц ученической тетради;
· в конце текста указать список изученной и использованной литературы, поставить разборчиво подпись и дату выполнения работы.
Качество письменной работы оценивается, прежде всего, по тому, насколько самостоятельно и правильно раскрыто содержание вопросов темы, даны конкретные и правильные ответы на вопросы задач.
Работа выполняется в сроки, установленные учебным графиком. Работа студента рецензируется в установленном порядке, в случае получения неудовлетворительной оценки, она возвращается автору с рецензией для доработки и вновь представляется для проверки.
Выполнение работы считается завершенным после ее индивидуальной защиты.
- ТАБЛИЦА ВЫБОРА ВАРИАНТОВ ДКР
№ варианта | №№ Теоретических вопросов | № Задачи | ||
1. | ||||
2. | ||||
3. | ||||
4. | ||||
5. | ||||
6. | ||||
7. | ||||
8. | ||||
9. | ||||
10. | ||||
11. | ||||
12. | ||||
13. | ||||
14. | ||||
15. | ||||
16. | ||||
17. | ||||
18. | ||||
19. | ||||
20. | ||||
21. | ||||
22. | ||||
23. | ||||
24. | ||||
25. |
- ПЕРЕЧЕНЬ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ВОПРОСОВ ДЛЯ ДКР
|
№ п/п | Перечень вопросов | Литература. | |
Введение: цели и задачи дисциплины; история развития. | [1] Стр. 3-7 | ||
Раздел 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. | |||
Тема 1.1. Физические основы электронной техники | |||
Собственный полупроводник. Зонная теория электропроводности | [1] Стр. 8-16 | ||
Собственная и примесная проводимость. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. | [1] Стр. 17-20 | ||
Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы. Устройство, типы. | [1] Стр. 21-22 | ||
Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках | |||
PN-переход. Свойства PN-перехода. | [1] Стр. 22-27 | ||
PN-переход при прямом и обратном включении. Несимметричный PN-переход. | [1] Стр.27-32 | ||
Явление пробоя p-n-перехода. | [1] С.33-40, [3]С.37 | ||
Тема 1.4. Полупроводниковые диоды. | |||
Выпрямительные диоды. | [1] Стр. 41-45 | ||
Диоды: высокочастотные; импульсные. Параметры. | [1] Стр.46-50 | ||
Диоды Шотки. | [1] Стр.58-59 | ||
Стабилитроны. Обозначение. Основные параметры. | [1] Стр.52-54 | ||
Варикапы. Обозначение. Основные параметры. | [1] Стр.52-54 | ||
Туннельные диоды. | [1] Стр.54-59 | ||
Система обозначений диодов. Маркировка. | [1] Стр.54-59 | ||
Тема 1.5. Биполярные транзисторы. | |||
Устройство. Процессы и токи протекающие в транзисторе. | [1] Стр.60-64 | ||
Схемы включения транзисторов. Включение с общей базой. | [1] Стр.65-69 | ||
Схемы включения с общим эмиттером и общим коллектором. | [1] Стр.69-75 | ||
Входные статические характеристики транзистора при включении с ОБ и ОЭ. | [1] Стр.65-73 | ||
Выходные статические характеристики транзистора при включении с ОБ и ОЭ. | [1] Стр.65-73 | ||
Статические параметры транзисторов. Система H-параметров. | [1] Стр.78-87 | ||
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим PN-переходом | [1] Стр.101-109 | ||
Тема 1.6. Полевые транзисторы | |||
Полевые транзисторы со встроенным каналом. | [1] Стр.114--119 | ||
Полевые транзисторы с индуцированным каналом. | [1] Стр.114--119 | ||
Тема 1.7. Тиристоры. | |||
Типы тиристоров. Назначение и принцип действия тиристоров. | [1] Стр.119-126 | ||
Особенности работы и параметры тиристоров. Маркировка. | [1] Стр.127-129 | ||
Тема 1.8. Фото и оптоэлектронные приборы. | [1] Стр.186-198 | ||
Раздел 2. ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ | |||
Тема 2.1. Неуправляемые выпрямители | |||
Классификация выпрямителей. Однофазные однополупериод-ные выпрямители, временные диаграммы токов и напряжений. | [1] Стр. 43-46 [4] Стр. 98-104 | ||
Однофазные двухполупериодные выпрямители, временные диаграммы токов и напряжений. | [1] Стр. 43-46 [4] Стр. 98-104 | ||
Трехфазные выпрямители, принцип действия, временные диаграммы. | [4] Стр. 104-108 | ||
Тема 2.2. Управляемые выпрямители | |||
Схемы и временные диаграммы управляемых выпрямителей. | [4] Стр. 112-113 | ||
Тема 2.3. Стабилизаторы напряжения и тока. | |||
Параметрические стабилизаторы. | [2] Стр.312-321 | ||
Компенсационные стабилизаторы. | [2] Стр.312-321 | ||
Раздел 3. УСИЛИТЕЛИ И ГЕНЕРАТОРЫ | |||
Тема 3.1. Усилители напряжения. | |||
Принцип усиления электрических сигналов. | [1] Стр.225-240 | ||
Режимы работы усилительных элементов. | [1] Стр.225-240 | ||
Тема 3.2. Резонансные усилители. | |||
Схемы резонансных усилителей. | [3] Стр.186 | ||
Обратная связь и ее влияние на характеристики усилителей | [2]С.204-216, [1]С.250-257 | ||
Тема 3.2. Усилители постоянного тока. | |||
Дифференциальные усилители.Схемы, особенности работы.. | [2] Стр. 245 – 250 | ||
Операционные усилители. Свойства. Применение. | [1] Стр. 443 – 446 | ||
Тема 3.3. Генераторы гармонических колебаний. | |||
Типы генераторов. RC - генераторы. Принцип действия. | [4] Стр.178 – 182 | ||
LC - генераторы. Принцип действия. | [4] Стр.178 – 182 | ||
Раздел 4. СХЕМОТЕХНИКА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | |||
Тема 4.1. Виды связей между каскадами | |||
Дроссельно-емкостная связь. Трансформаторная связь. | [5] Стр.227 – 228 | ||
Резисторно-емкостная связь. Непосредственная связь. | [5] Стр.228 – 230 | ||
Тема 4.2. Схемы соединения транзисторов | |||
Составной транзистор. Каскодный усилитель. | [5] Стр.231 – 234 | ||
Тема 4.3. Преобразователи напряжения. Типы, простейшие схемы, принцип действия. | [2] Стр. 321-326 | ||
Раздел 5. ОСНОВЫМИКРОЭЛЕКТРОНИКИ. | |||
Тема 5.1. Элементы интегральных микросхем. Классификация ИМС. . Основные элементы, методы изоляции эл-тов. | [2]С.153-156, [3]С.143-147 | ||
Тема 5.2. Цифровые ИМС. | []С.31-41 | ||
Тема 5.3. Функциональная микроэлектроника - направления: оптоэлектроника; магнитоэлектроника; акустоэлектроника и др | [2]С.195-204, [1]С.209-249 |
- ПЕРЕЧЕНЬ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАДАНИЙ ДЛЯ ДКР
1. Транзистор ГТ329А. По выходным характеристикам указанного транзистора определить коэффициент передачи по току при неизменном напряжении на коллекторе UКЭ =2,5 В и токах базы: IБ1 = 15 мкА; IБ2 = 45 мкА; IБ3 = 75 мкА; IБ4 =105 мкА. Построить график зависимости h21 = f /IБ / при UКЭ = 2,5 В.
|
2. При постоянном напряжении на коллекторе транзистора, ток эмиттера изменился с 20 мА до 30 мА. Определить соответствующее изменение тока коллектора ΔIк, если коэффициент передачи по току транзистора при короткозамкнутом выходе в схеме с ОБ /общая база/ равен h21 = 0,98.
3. В схеме с ОЭ /общий эмиттер/ рассчитать: сопротивление резисторов базового делителя - Rб1, Rб2 ; сопротивление элемента стабилизации в цепи эмиттера – Rэ. Известно, что напряжение питания каскада Ек = 24 В, ток базового делителя Iд = 1,8 мА, ток покоя коллектора Iкп = 8 мА, напряжение на базе UБЭП = 0,45 В, напряжени е на резисторе Uэп = 8 В, h21 = 50.
4. В схеме с ОБ /общая база/ сопротивление на входных зажимах транзистора h11 = 10 Ом, ток эмиттера 6 мА. Как изменится напряжение на эмиттере Uэб, если ток эмиттера уменьшится до 4 мА?
5. Для транзистора, в схеме с ОБ /общая база/, дано значение коэффициента передачи по току h21 = 0,95. Определить коэффициенты передачи по току для транзистора в схемах с ОЭ /общий эмиттер/, ОК /общий коллектор/.
6. Транзистор КТ316А. Для указанного транзистора построить нагрузочную характеристику при Ек = 12 В, Rн = 400 Ом. Задаться рабочей точкой в режиме класса А и для выбранной РТ /рабочей точки/ определить IБП, IКП, Uкэп, мощность рассеяния на коллекторе в режиме покоя.
7. Транзистор ГТ322А. Определить рабочую область на ВАХ транзистора ГТ322А. Определить по ВАХ транзистора параметры - h21, h22.
8. Транзистор ГТ308А. На семействе выходных характеристик указанного транзистора построить нагрузочные характеристики: при RК1 = 600 Ом; RК2 = 400 Ом; RК3 = 240 Ом; RК4 = 200 Ом и Ек = 12 В. определить какие из нагрузочных характеристик укладываются в рабочую область ВАХ, а какие нет.
9. Условие 1. Обратный ток коллекторного перехода транзистора IКО = 2 мкА при напряжении между коллектором и базой UКБ = 5 В и отключенном эмиттере. Опред елить обратное сопротивление коллекторного перехода постоянному току. Условие 2. Напряжение на коллекторе запертого транзистора ЕК = 60 В. транзистор нагружен на сопротивление в коллекторной цепи RН = 2 кОм. Определить ток через транзистор в режиме насыщения.
10. Транзистор ГТ308Б. По выходным характеристикам транзистора найти изменение коллекторного тока при изменении тока базы от 200 мкА до 400 мкА, при напряжении на коллекторе UКЭ = 6 В. Определить параметр h22 при IБ = 400 мкА, UКЭ = 6 В.
11. Транзистор ГТ305. Дано: ЕК = 8 В.; RК = 200 Ом, РДОП. = 75 мВт. Построить нагрузочную характеристику при заданных условиях. Определить протяженность рабочего участка на нагрузочной прямой ВАХ. Указать на характеристике области, соответствующие режимам насыщения, отсечки, активному режиму. Определить, укладывается ли нагрузочная характеристика в рабочую область. Задать положение рабочей точки на ВАХ, определить РК в рабочей точке. Сравнить с РК ДОП..
12. Транзистор ГТ308Б. Дано: ЕК = 10 В.; RК = 200 Ом. Построить нагрузочную характеристику при указанных ЕК и RК. Определить амплитудные значения тока коллектора и напряжения на коллекторе. Определить коэффициент усиления по току в рабочем режиме.
13. Транзистор ГТ308В. Дано: ЕК = 16 В.; RК = 400 Ом, РК. ДОП. = 0,15 Вт. Построить нагрузочную характеристику, определить, укладывается ли она в рабочую область ВАХ. Определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя. На ВАХ указать области соответствующие режимам: насыщения, отсечки, активному.
14. Транзистор КТ312А. По входным характеристикам транзистора определить параметры h11; h12 при IБ = 0,6 мА и UК = 5 В. Объяснить физическую сущность параметров.
15. Транзистор ГТ308Б. Дано: ЕК = 12 В.; R К = 300 Ом. Построить нагрузочную характеристику на семействе статических ВАХ. Определить: IБП, IКП, IЭП, - токи покоя базы, коллектора и эмиттера соответственно.
Примечание.
1. Входные и выходные характеристики транзисторов приведены в Справочнике, указанном ниже, в списке литературы - [6].
2. Необходимые характеристики вычертить с увеличением масштаба, в пределах ½ листа формата А 4.
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Основная
1. Ф.И. Вайсбурд. Электронные приборы и усилители».- М: Едиториал УРСС, 2003;
2. В.И. Лачин. Электроника.- Ростов н/Д: Феникс, 2002.;
3. В.Ш. Берикашвили. Электронная техника. - М: Академия, 2007;
4. Акимова Г.Н. Электронная техника. - М.: Маршрут, 2003.
Дополнительная
5. И.В. Сиренький, В.В. Рябинин, и др. Электронная техника. Учебное пособие для среднего профессионального образования. – Спб.: Питер, 2006. - 413 с.;
6. СПРАВОЧНИК по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под редакцией Н.Н. Горюнова. - М.: ЭНЕРГИЯ, 1978;
7. СПРАВОЧНИК для аппаратуры широкого применения. Под ред. Б.Л. Перельмана;
8. Протопопов А.С. Усилительные устройства. - М.: Радиотехника, 2003;
9. Протопопов А.С. Усилители с обратной связью, дифференциальные и операционные усилители и их применение. - М.: Радиотехника, 2003;
10. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.- СПб.: Лань, 2002;
11. Полещук В.И., Задачник по электротехнике и электронике: учеб. пособие для студ. сред. проф. образования. - М.: Издательский центр «Академия», 2009.
Интернет ресурсы:
www.electrolib.narod.ru
bookssearch.ru/elektrotehnika-uchebnic-skachat.html
www.stf.mrsu.ru/toe/mainuch.html
djvu-inf.narod.ru/telib.htm
toe.stf.mrsu.ru/demo_versia/book/index.htm
lib.e-science.ru/book/?c=8
www.toehelp.ru/books
elektrik-soft.ru/index.php?topic=1090.0
stf.mrsu.ru/toe/demo_versia
www.energyland.info/library-group-123