К выполнению домашней контрольной работы




ВАРИАНТЫДОМАШНЕЙ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА»

I курс

 

для студентов специальности

11.02.02 «Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники

(по отраслям)», заочное отделение

 

 

Разработал

преподаватель КГБПОУ «ККРИТ»

Комаров Н.Д.

 

Красноярск, 2016

 

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

К ВЫПОЛНЕНИЮ ДОМАШНЕЙ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

 

Учебная дисциплина «Электронная техника» является общепрофессиональной и предусматривает изучение физических основ электронной техники, полупроводниковых, фотоэлектронных приборов, устройств отображения информации, типовых электронных устройств, а также основ микроэлектроники, что является необходимой базой для изучения специальных дисциплин.

В процессе изучения каждый студент заочной формы обучения должен представить контрольную работу. Даны 25 вариантов, охватывающие все темы программы. Номер варианта соответствует порядковому номеру из списка в журнале.

При выполнении контрольной работы студенту следует опираться на программу курса «Электронная техника», где дана структура изучения данной темы и основная литература, краткие методические рекомендации к изучению тем курса, разработанные преподавателем. Необходимо использовать рекомендуемую в программе основную литературу, справочные материалы и другие источники.

Для правильного восприятия работы, большое значение имеет ее правильное оформление, которое оценивается по следующим параметрам:

· на обложку тетради следует наклеить адресный бланк учебного заведения;

· на первом листе написать номера вопросов;

· оставить поля для замечаний рецензента;

· работа должна быть выполнена грамотно и аккуратно, четким разборчивым почерком. Объем работы – не более 18 страниц ученической тетради;

· в конце текста указать список изученной и использованной литературы, поставить разборчиво подпись и дату выполнения работы.

Качество письменной работы оценивается, прежде всего, по тому, насколько самостоятельно и правильно раскрыто содержание вопросов темы, даны конкретные и правильные ответы на вопросы задач.

Работа выполняется в сроки, установленные учебным графиком. Работа студента рецензируется в установленном порядке, в случае получения неудовлетворительной оценки, она возвращается автору с рецензией для доработки и вновь представляется для проверки.

Выполнение работы считается завершенным после ее индивидуальной защиты.

 

 

  1. ТАБЛИЦА ВЫБОРА ВАРИАНТОВ ДКР
№ варианта №№ Теоретических вопросов № Задачи
1.        
2.        
3.        
4.        
5.        
6.        
7.        
8.        
9.        
10.        
11.        
12.        
13.        
14.        
15.        
16.        
17.        
18.        
19.        
20.        
21.        
22.        
23.        
24.        
25.        

 

  1. ПЕРЕЧЕНЬ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ВОПРОСОВ ДЛЯ ДКР

 

 

№ п/п Перечень вопросов Литература.  
 
  Введение: цели и задачи дисциплины; история развития. [1] Стр. 3-7  
Раздел 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.      
  Тема 1.1. Физические основы электронной техники    
  Собственный полупроводник. Зонная теория электропроводности [1] Стр. 8-16  
  Собственная и примесная проводимость. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике. [1] Стр. 17-20  
  Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы. Устройство, типы. [1] Стр. 21-22  
  Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках    
  PN-переход. Свойства PN-перехода. [1] Стр. 22-27  
  PN-переход при прямом и обратном включении. Несимметричный PN-переход. [1] Стр.27-32  
  Явление пробоя p-n-перехода. [1] С.33-40, [3]С.37  
  Тема 1.4. Полупроводниковые диоды.    
  Выпрямительные диоды. [1] Стр. 41-45  
  Диоды: высокочастотные; импульсные. Параметры. [1] Стр.46-50  
  Диоды Шотки. [1] Стр.58-59  
  Стабилитроны. Обозначение. Основные параметры. [1] Стр.52-54  
  Варикапы. Обозначение. Основные параметры. [1] Стр.52-54  
  Туннельные диоды. [1] Стр.54-59  
  Система обозначений диодов. Маркировка. [1] Стр.54-59  
  Тема 1.5. Биполярные транзисторы.    
  Устройство. Процессы и токи протекающие в транзисторе. [1] Стр.60-64  
  Схемы включения транзисторов. Включение с общей базой. [1] Стр.65-69  
  Схемы включения с общим эмиттером и общим коллектором. [1] Стр.69-75  
  Входные статические характеристики транзистора при включении с ОБ и ОЭ. [1] Стр.65-73  
  Выходные статические характеристики транзистора при включении с ОБ и ОЭ. [1] Стр.65-73  
  Статические параметры транзисторов. Система H-параметров. [1] Стр.78-87  
  Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим PN-переходом [1] Стр.101-109  
  Тема 1.6. Полевые транзисторы    
  Полевые транзисторы со встроенным каналом. [1] Стр.114--119  
  Полевые транзисторы с индуцированным каналом. [1] Стр.114--119  
  Тема 1.7. Тиристоры.    
  Типы тиристоров. Назначение и принцип действия тиристоров. [1] Стр.119-126  
  Особенности работы и параметры тиристоров. Маркировка. [1] Стр.127-129  
  Тема 1.8. Фото и оптоэлектронные приборы. [1] Стр.186-198  
Раздел 2. ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ      
  Тема 2.1. Неуправляемые выпрямители    
  Классификация выпрямителей. Однофазные однополупериод-ные выпрямители, временные диаграммы токов и напряжений. [1] Стр. 43-46 [4] Стр. 98-104  
  Однофазные двухполупериодные выпрямители, временные диаграммы токов и напряжений. [1] Стр. 43-46 [4] Стр. 98-104  
  Трехфазные выпрямители, принцип действия, временные диаграммы. [4] Стр. 104-108  
  Тема 2.2. Управляемые выпрямители    
  Схемы и временные диаграммы управляемых выпрямителей. [4] Стр. 112-113  
  Тема 2.3. Стабилизаторы напряжения и тока.    
  Параметрические стабилизаторы. [2] Стр.312-321  
  Компенсационные стабилизаторы. [2] Стр.312-321  
Раздел 3. УСИЛИТЕЛИ И ГЕНЕРАТОРЫ      
  Тема 3.1. Усилители напряжения.    
  Принцип усиления электрических сигналов. [1] Стр.225-240  
  Режимы работы усилительных элементов. [1] Стр.225-240  
  Тема 3.2. Резонансные усилители.    
  Схемы резонансных усилителей. [3] Стр.186  
  Обратная связь и ее влияние на характеристики усилителей [2]С.204-216, [1]С.250-257  
  Тема 3.2. Усилители постоянного тока.    
  Дифференциальные усилители.Схемы, особенности работы.. [2] Стр. 245 – 250  
  Операционные усилители. Свойства. Применение. [1] Стр. 443 – 446  
  Тема 3.3. Генераторы гармонических колебаний.    
  Типы генераторов. RC - генераторы. Принцип действия. [4] Стр.178 – 182  
  LC - генераторы. Принцип действия. [4] Стр.178 – 182  
Раздел 4. СХЕМОТЕХНИКА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ      
  Тема 4.1. Виды связей между каскадами    
  Дроссельно-емкостная связь. Трансформаторная связь. [5] Стр.227 – 228  
  Резисторно-емкостная связь. Непосредственная связь. [5] Стр.228 – 230  
  Тема 4.2. Схемы соединения транзисторов    
  Составной транзистор. Каскодный усилитель. [5] Стр.231 – 234  
  Тема 4.3. Преобразователи напряжения. Типы, простейшие схемы, принцип действия. [2] Стр. 321-326  
Раздел 5. ОСНОВЫМИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.      
  Тема 5.1. Элементы интегральных микросхем. Классификация ИМС. . Основные элементы, методы изоляции эл-тов. [2]С.153-156, [3]С.143-147  
  Тема 5.2. Цифровые ИМС. []С.31-41  
  Тема 5.3. Функциональная микроэлектроника - направления: оптоэлектроника; магнитоэлектроника; акустоэлектроника и др [2]С.195-204, [1]С.209-249  
  1. ПЕРЕЧЕНЬ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАДАНИЙ ДЛЯ ДКР

1. Транзистор ГТ329А. По выходным характеристикам указанного транзистора определить коэффициент передачи по току при неизменном напряжении на коллекторе UКЭ =2,5 В и токах базы: IБ1 = 15 мкА; IБ2 = 45 мкА; IБ3 = 75 мкА; IБ4 =105 мкА. Построить график зависимости h21 = f /IБ / при UКЭ = 2,5 В.

2. При постоянном напряжении на коллекторе транзистора, ток эмиттера изменился с 20 мА до 30 мА. Определить соответствующее изменение тока коллектора ΔIк, если коэффициент передачи по току транзистора при короткозамкнутом выходе в схеме с ОБ /общая база/ равен h21 = 0,98.

3. В схеме с ОЭ /общий эмиттер/ рассчитать: сопротивление резисторов базового делителя - Rб1, Rб2 ; сопротивление элемента стабилизации в цепи эмиттера – Rэ. Известно, что напряжение питания каскада Ек = 24 В, ток базового делителя Iд = 1,8 мА, ток покоя коллектора Iкп = 8 мА, напряжение на базе UБЭП = 0,45 В, напряжени е на резисторе Uэп = 8 В, h21 = 50.

4. В схеме с ОБ /общая база/ сопротивление на входных зажимах транзистора h11 = 10 Ом, ток эмиттера 6 мА. Как изменится напряжение на эмиттере Uэб, если ток эмиттера уменьшится до 4 мА?

5. Для транзистора, в схеме с ОБ /общая база/, дано значение коэффициента передачи по току h21 = 0,95. Определить коэффициенты передачи по току для транзистора в схемах с ОЭ /общий эмиттер/, ОК /общий коллектор/.

6. Транзистор КТ316А. Для указанного транзистора построить нагрузочную характеристику при Ек = 12 В, Rн = 400 Ом. Задаться рабочей точкой в режиме класса А и для выбранной РТ /рабочей точки/ определить IБП, IКП, Uкэп, мощность рассеяния на коллекторе в режиме покоя.

7. Транзистор ГТ322А. Определить рабочую область на ВАХ транзистора ГТ322А. Определить по ВАХ транзистора параметры - h21, h22.

8. Транзистор ГТ308А. На семействе выходных характеристик указанного транзистора построить нагрузочные характеристики: при RК1 = 600 Ом; RК2 = 400 Ом; RК3 = 240 Ом; RК4 = 200 Ом и Ек = 12 В. определить какие из нагрузочных характеристик укладываются в рабочую область ВАХ, а какие нет.

9. Условие 1. Обратный ток коллекторного перехода транзистора IКО = 2 мкА при напряжении между коллектором и базой UКБ = 5 В и отключенном эмиттере. Опред елить обратное сопротивление коллекторного перехода постоянному току. Условие 2. Напряжение на коллекторе запертого транзистора ЕК = 60 В. транзистор нагружен на сопротивление в коллекторной цепи RН = 2 кОм. Определить ток через транзистор в режиме насыщения.

10. Транзистор ГТ308Б. По выходным характеристикам транзистора найти изменение коллекторного тока при изменении тока базы от 200 мкА до 400 мкА, при напряжении на коллекторе UКЭ = 6 В. Определить параметр h22 при IБ = 400 мкА, UКЭ = 6 В.

11. Транзистор ГТ305. Дано: ЕК = 8 В.; RК = 200 Ом, РДОП. = 75 мВт. Построить нагрузочную характеристику при заданных условиях. Определить протяженность рабочего участка на нагрузочной прямой ВАХ. Указать на характеристике области, соответствующие режимам насыщения, отсечки, активному режиму. Определить, укладывается ли нагрузочная характеристика в рабочую область. Задать положение рабочей точки на ВАХ, определить РК в рабочей точке. Сравнить с РК ДОП..

12. Транзистор ГТ308Б. Дано: ЕК = 10 В.; RК = 200 Ом. Построить нагрузочную характеристику при указанных ЕК и RК. Определить амплитудные значения тока коллектора и напряжения на коллекторе. Определить коэффициент усиления по току в рабочем режиме.

13. Транзистор ГТ308В. Дано: ЕК = 16 В.; RК = 400 Ом, РК. ДОП. = 0,15 Вт. Построить нагрузочную характеристику, определить, укладывается ли она в рабочую область ВАХ. Определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя. На ВАХ указать области соответствующие режимам: насыщения, отсечки, активному.

14. Транзистор КТ312А. По входным характеристикам транзистора определить параметры h11; h12 при IБ = 0,6 мА и UК = 5 В. Объяснить физическую сущность параметров.

15. Транзистор ГТ308Б. Дано: ЕК = 12 В.; R К = 300 Ом. Построить нагрузочную характеристику на семействе статических ВАХ. Определить: IБП, IКП, IЭП, - токи покоя базы, коллектора и эмиттера соответственно.

 

Примечание.

1. Входные и выходные характеристики транзисторов приведены в Справочнике, указанном ниже, в списке литературы - [6].

2. Необходимые характеристики вычертить с увеличением масштаба, в пределах ½ листа формата А 4.

 

 

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

Основная

1. Ф.И. Вайсбурд. Электронные приборы и усилители».- М: Едиториал УРСС, 2003;

2. В.И. Лачин. Электроника.- Ростов н/Д: Феникс, 2002.;

3. В.Ш. Берикашвили. Электронная техника. - М: Академия, 2007;

4. Акимова Г.Н. Электронная техника. - М.: Маршрут, 2003.

 

Дополнительная

5. И.В. Сиренький, В.В. Рябинин, и др. Электронная техника. Учебное пособие для среднего профессионального образования. – Спб.: Питер, 2006. - 413 с.;

6. СПРАВОЧНИК по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под редакцией Н.Н. Горюнова. - М.: ЭНЕРГИЯ, 1978;

7. СПРАВОЧНИК для аппаратуры широкого применения. Под ред. Б.Л. Перельмана;

8. Протопопов А.С. Усилительные устройства. - М.: Радиотехни­ка, 2003;

9. Протопопов А.С. Усилители с обратной связью, дифференци­альные и операционные усилители и их применение. - М.: Радиотехни­ка, 2003;

10. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.- СПб.: Лань, 2002;

11. Полещук В.И., Задачник по электротехнике и электронике: учеб. пособие для студ. сред. проф. образования. - М.: Издательский центр «Академия», 2009.

 

Интернет ресурсы:

www.electrolib.narod.ru

bookssearch.ru/elektrotehnika-uchebnic-skachat.html

www.stf.mrsu.ru/toe/mainuch.html

djvu-inf.narod.ru/telib.htm

toe.stf.mrsu.ru/demo_versia/book/index.htm

lib.e-science.ru/book/?c=8

www.toehelp.ru/books

elektrik-soft.ru/index.php?topic=1090.0

stf.mrsu.ru/toe/demo_versia

www.energyland.info/library-group-123

 

 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2017-11-23 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: