Подставляем значения в формулы (4.3) и (4.4) получаем

;

Значение коэффициента взято из таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99.

Строим -карту для индивидуальных значений пробивного напряжения «эмиттер-база» U_ЭБ (рисунок 4.7), по данным таблицы 4.4.

Рисунок 4.7 – Контрольная -карта для индивидуальных значений пробивного напряжения «эмиттер-база» U_ЭБ

Проверяем структуры точек на особые причины раздела 7 ГОСТ Р 50.779.42 – 99. Все точки находятся в рамках контрольных границ, необычные структуры и тренды отсутствуют. Процесс находится в состоянии статистической управляемости.

а)

б)

Рисунок 4.8 - Контрольная -mR карта для U_ЭБ

а) индивидуальных значений U_ЭБ;

б) размахов U_ЭБ.

4.3 Анализ состояния процесса на основе мониторинга значений U_КЭ

На основе мониторинга,приведенного в таблице 4.1 для двадцати пяти партий, прошедших операцию «Диффузии фосфора в эмиттер», составляем таблицу 4.5 для значений U_КЭ,, используя пример 12.3 ГОСТ Р 50779. 42-99.[9]

Таблица 4.5 - Значения пробивного напряжения «коллектор-эмиттер» U_КЭ для двадцати пяти последовательных выборок.

Наименование показателя

Значение для подгруппы

U_КЭ

Скользящий размах R

Продолжение таблицы 4.5

Наименован. показателя

Значение для подгруппы

U_КЭ

Скользящий размах R

Вычисляем средний скользящий размах

Для расчета контрольных границ mR-карты используем формулы из таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 при n = 2, тогда центральная линия = 2,87.

Подставляем полученное значение в формулы (4.1) и (4.2), получаем

ВКП =

НКП =

Значения множителей и берутся из таблицы 2 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 для n = 2.

Строим контрольную карту размахов mR для значений напряжения «коллектор-эмиттер» U_КЭ (рисунок 4.9) по данным, приведенным в таблице 4.5 и по ней определяем состояние процесса.

Рисунок 4.9 - Контрольная mR-карта для значений напряжения «коллектор-эмиттер» U_КЭ

Все точки находятся в рамках контрольных границ.

Рассчитываем среднее значение , исходя из данных таблицы 5.5

Для расчета контрольных границ - карты используем формулы из таблицы 2 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 при n = 2, тогда центральная линия .

Подставляем значения в формулы (4.3) и (4.4) получаем

Значение коэффициента взято из таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99

Строим контрольную -карту для значений напряжения «коллектор-эмиттер» U_КЭ (рисунок 4.10) по данным, приведенным в таблице 4.1

НКП=45,16

ВКП=60,43

Рисунок 4.10 – Контрольная -карта для значений напряжения «коллектор-эмиттер» U_КЭ

а)

б)

Рисунок 4.11 - Контрольная карта -mR для U_КЭ

а) индивидуальные значения U_КЭ;

б) размахи U_КЭ.

4.4 Анализ состояния процесса на основе мониторинга значений R_S

На основе мониторинга значений поверхностного сопротивления R_S, приведенных в таблице 4.1 по двадцати пяти партиям, прошедшим операцию диффузии фосфора в эмиттер, составляем таблицу 4.6, используя пример 12.3 ГОСТ Р 50779. 42-99. [9]

Таблица 4.6 – Значения R_S для двадцати пяти последовательных выборок

Наименование показателя	Значение для подгруппы

R_S
44,05		44,15		44,05	44,15	44,25	44,05	44,05	44,3	44,25	44,05
Скользящий размах R		00,05	00,15	00,15	00,05	00,1	00,1	00,2		00,25	00,05	00,2

Продолжение таблицы 4.6

Наименование показателя	Значение для подгруппы

R_S
44,1	44,15	44,2	44,1	44,1	44,2	44,25	44,15	44,0	44,25	44,4	44,2	44,25
Скользящий размах R	00,05	00,05	00,05	00,1		00,1	00,05	00,1	00,15	00,25	00,15	00,2	00,05

Вычисляем средний скользящий размах

Для расчета контрольных границ mR-карты используем формулы из Таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 при n = 2 тогда центральная линия = 0,11.

Подставляем значения в формулы (4.1) и (4.2) получаем

- ВКП =

- НКП

Значения множителей и берутся из таблицы 2 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 для n = 2.

Строим контрольную карту размахов mR для значений поверхностного сопротивления R_S, (рисунок 4.12) по данным, приведенным в таблице 5.6, и по ней определяем состояние процесса.