ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ
По дисциплине «Основы электроники»
Для направления 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника»
Вопросы к защите лабораторных работ
Лабораторная работа 1. Исследование статической вольт-амперной характеристики полупроводникового диода
1. Каков принцип работы полупроводникового диода?
2. Какими уравнениями описываются прямая и обратная ветви ВАХ электронно-дырочного перехода?
3. Что обозначает каждый из параметров диода в этой работе?
4. Чем отличаются ВАХ идеального электронно-дырочного перехода от ВАХ реального диода?
5. Объяснить структуру и назначение эквивалентной линейной схемы диода.
Лабораторная работа 2. Измерение барьерной ёмкости
Электронно-дырочного перехода
1. Почему образуется запирающий слой в электронно-дырочном переходе? Каковы его электрические свойства?
2. Что такое барьерная ёмкость электронно-дырочного перехода? От каких параметров электронно-дырочного перехода она зависит?
3. Как зависит барьерная ёмкость от напряжения электронно-дырочного перехода? Почему?
4. Как зависит барьерная ёмкость от температуры? Почему?
5. Как влияет барьерная ёмкость на быстродействие и частотные свойства полупроводниковых приборов?
6. Как используют барьерная ёмкость в электронной технике?
Лабораторная работа 3. Исследование работы выпрямителя однофазного синусоидального тока с ёмкостным фильтром
1. Чем отличается работа однополупериодного выпрямителя от двухполупериодного?
2. Каковы преимущества и недостатки однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей?
3. Как влияет изменение ёмкости конденсатора на выходное напряжение выпрямителя?
4. Как влияет изменение величины активного сопротивления на выходное напряжение выпрямителя?
5. Какова роль RC-фильтра?
6. Каково соотношение между входными и выпрямленными токами в различных схемах выпрямления?
7. Почему в основу сглаживающих фильтров положены реактивные элементы электрической цепи?
Лабораторная работа 4. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Как устроен биполярный транзистор, какие существуют схемы его включения в электрическую цепь?
2. Как происходит в транзисторе процесс усиления мощности электрических колебаний?
3. Почему толщина базы транзистора на должна превышать определённого значения? Какого?
4. Почему схема включения транзистора с ОЭ является наиболее распространённой?
5. Обосновать теоретически формы характеристик транзистора?
6. Как определить физический смысл h-параметров транзистора?
Лабораторная работа 5. Исследование полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом
1. Как устроен полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом, каков принцип его действия?
2. Как происходит в полевом транзисторе процесс усиления мощности электрических сигналов?
3. Почему исследованный транзистор называется полевым или униполярным?
4. Обосновать полярность подключения источников электроэнергии к полевому транзистору с управляющим электронно-дырочным переходом в зависимости от типа проводимости канала.
5. Обосновать теоретически формы характеристик полевого транзистора.
6. Обосновать физический смысл основных параметров полевого транзистора.
Лабораторная работа 6. Исследование схем на операционных усилителях
1. Что составляет основу ОУ?
2. Каковы основные параметры ОУ?
3. Где используются инвертирующие и неинвертирующие усилители?
4. Что представляет собой передаточная характеристика усилителя?
5. Как определяется коэффициент усиления неинвертирующего и инвертирующего усилителей?
6. Виды обратных связей в усилителях. Какую роль играет отрицательная обратная связь? Какую роль играет положительная обратная связь?
7. Что представляют собой АЧХ и ФЧХ операционной схемы?
8. Что такое постоянная времени цепи? Какое влияние она оказывает на выходное напряжение интегратора и дифференциатора?
9. Какие свойства ОУ используются для реализации импульсных схем?
Лабораторная работа 7. Исследование тиристора в качестве
Регулятора мощности
1. Как устроен тиристор, какие существуют типы тиристоров?
2. Как происходит процесс включения и выключения динистора?
3. Что такое напряжение переключения тиристора, ток удержания?
4. Как включается тринистор с помощью управляющего электрода?
5. Как используются тиристоры?
6. Какие способы управления открытием тиристоров на переменном токе?
Лабораторная работа 8. Исследование работы логических элементов и триггеров
1. В чем отличия и преимущества цифрового способа обработки информации по сравнению с аналоговым?
2. Какие существуют типы электронных логических элементов (типы логик)? В чем заключаются их преимущества и недостатки?
3. Какими основными параметрами характеризуются цифровые микросхемы?
4. Какие схемные решения применяются для создания логических электронных элементов КМОП?
Вопросы к экзамену
1. Предмет электроники. Классификация электронных приборов. Перспективы и область применения полупроводниковых приборов.
2. Технологии изготовления полупроводниковых электронных приборов.
3. Основы теории электропроводности полупроводников. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
4. Электропроводность полупроводников. Дрейф носителей заряда в полупроводниках. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.
5. Электронно-дырочный переход (p-n-переход) при отсутствии внешнего напряжения.
6. p-n-переход при прямом напряжении.
7. p-n-переход при обратном напряжении.
8. Виды пробоев p-n-перехода.
9. Параметры полупроводниковых диодов
10. Классификация и маркировка полупроводниковых диодов
11. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода
12. Применение диодов для выпрямления переменного напряжения
13. Варикап, стабилитрон, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
14. Биполярные транзисторы (принцип действия, характеристики, малого, большого сигналов и постоянного тока).
15. Схемы включения транзисторов. Статические ВАХ.
16. Эквивалентные схемы замещения транзисторов.
17. Режимы работы транзистора.
18. Температурные и частотные свойства транзистора. Схемы стабилизации рабочего режима усилительного каскада на биполярном транзисторе.
19. Работа транзистора в ключевом режиме
20. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
21. Полевой транзистор с изолированным затвором
22. Транзисторы с плавающим затвором (флэш-память)
23. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT - транзисторы)
24. Диодный тиристор (динистор)
25. Триодный тиристор (тринистор)
26. Переходные процессы при включении тиристора
27. Групповое соединение полупроводниковых приборов.
28. Операционные усилители. Структура, параметры, характеристики.
29. ОУ с обратной отрицательной связью. Основные схемы включения ОУ.
30. Полупроводниковые интегральные схемы.
31. Базовые логические элементы цифровых интегральных схем
32. Триггеры
Вопросы тестирования