+ имеют малую диффузионную емкость
- перенос тока осуществляется основными носителями
- имеют малую площадь перехода
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображено условное обозначение туннельного диода. 
- номер «1»
- номер «5»
- номер «9»
+ номер «7»
- номер «2»
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите рисунок, на котором изображена энергетическая диаграмма туннельного диода в состоянии равновесия. 
- номер «1»
- номер «2»
+ номер «3»
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите рисунок, на котором изображена энергетическая диаграмма обращенного диода в состоянии равновесия. 
- номер «1»
+ номер «2»
- номер «3»
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображена вольт-амперная характеристика туннельного диода. 
+ номер «1»
- номер «2»
- номер «3»
##theme 6
##score 1
##type 2
##time 0:00:00
Основные параметры туннельного диода, определяемые по вольт-амперной характеристике в точке «А», называются 
+ пиковый ток
- ток впадины
- отрицательное дифференциальное сопротивление
- напряжение впадины
+ пиковое напряжение
##theme 6
##score 1
##type 2
##time 0:00:00
Основные параметры туннельного диода, определяемые по вольт-амперной характеристике в точке «С», называются 
- пиковый ток
+ ток впадины
- отрицательное дифференциальное сопротивление
+ напряжение впадины
- пиковое напряжение
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображена вольт-амперная характеристика обращенного диода. 
- номер «1»
+ номер «2»
- номер «3»
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
У обращенных диодов высокая проводимость при низких напряжениях существует
|
|
-в прямом включении
+в обратном включении
- как в прямом, так и в обратном направлении
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики обращенных диодов из германия и антимонида галлия. Укажите номера кривых, которые характеризуют германиевый диод 
( при Т=0 К ширина запрещенной зоны ΔW Ge = 0,746 эВ; ΔW GaSb = 0,72 эВ)
+ 2 и 3
- 1 и 4
- 1 и 3
- 2 и 4
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики обращенных диодов из германия и из антимонида галлия. Укажите номера кривых, которые характеризуют диод из антимонида галлия. 
(при Т=0 К ширина запрещенной зоны ΔW Ge = 0,746 эВ; ΔW GaSb = 0,72 эВ)
- 2 и 3
+ 1 и 4
- 1 и 3
- 2 и 4
##theme 6
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Полупроводниковый прибор, содержащий p-n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя, в котором носители заряда проходят сквозь потенциальный барьер благодаря квантово- механическому процессу туннелирования называется
- варикап
- выпрямительный диод
- диод Шоттки
+ туннельный диод
##theme 7
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Полупроводниковый прибор, в котором при прохождении электрического тока генерируется оптическое излучение называется
+ излучающий диод
- фотодиод
- оптрон
- фототранзистор
##theme 7
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображено условное обозначение светодиода 
- номер «2»
- номер «3»
+ номер «4»
- номер «9»
##theme 7
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Для работы фотодиода требуется
- прямое включение перехода
+ обратное включение перехода
|
|
- как прямое, так и обратное включение
##theme 7
##score 1
##type 1
##time 0:00:00