С общей базой
1. дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока
при 
, (7)
2. дифференциальное входное сопротивление транзистора
при , (8)
3. дифференциальное выходное сопротивление транзистора
при 
, (9)
4. коэффициент внутренней связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное
при . (10)
Схема с ОБ среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.
· Коэффициент усиления по току: I ВЫХ/ I ВХ = I К/ I Э = α; α<1,
· Входное сопротивление R ВХ = Δ U ВХ/Δ I ВХ = Δ U БЭ/Δ I Э.
Входное сопротивление для схемы с общей базой мало, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.
Достоинства схемы с общей базой:
· хорошие температурные и частотные свойства,
· высокое допустимое напряжение.
Недостатки схемы с общей базой:
· малое усиление по току, так как α<1,
· малое входное сопротивление,
· два разных источника напряжения для питания.
Схема с общим эмиттером
Схема с общим эмиттером (ОЭ) представлена на рисунке 5.
|
| Рисунок 5 – Схема с общим эмиттером |
Всхеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы, а выходной – цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение U БЭ > 0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение U КЭ распределяется между обоими переходами: U КЭ = U КБ + U БЭ. Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо U КБ = U КЭ – U БЭ > 0, что обеспечивается при U КЭ> U БЭ> 0.
Вид характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером отличается от вида характеристик, снятых в схеме с общей базой. Входная характеристика, как и в предыдущем случае, имеет вид ВАХ диода в прямом направлении. Под влиянием напряжения U КЭ > 0 эта характеристика смещается вниз и вправо. Это значит, что повышению потенциала коллектора соответствует уменьшение тока базы I Б при том же значении напряжения U БЭ. Такое явление объясняется действием обратной связи в транзисторе. Часть напряжения U КЭ оказывается приложенной к переходу база-эмиттер; во внешней цепи это напряжение действует навстречу напряжению источника, подключенного к этому переходу, и приводит к уменьшению тока базы.
Семейство выходных характеристик показано на рисунке 6. Как правило, характеристики даются при различных токах базы. Первая характеристика при I Б = 0 выходит из начала координат и напоминает обычную характеристику для обратного тока полупроводникового диода.
|
| Рисунок 6 – Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером |
Если I Б > 0, то выходная характеристика расположена выше, чем при I Б = 0, и тем выше, чем больше ток I Б. Следовательно, пропорционально возрастает и ток I К.
Особенностью выходной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером по сравнению с характеристикой в схеме с общей базой, является то, что она целиком лежит в первом квадранте. Это связано с тем, что в схеме ОЭ напряжение U КЭ распределяется между обоими переходами, и при U КЭ < U БЭ напряжение на коллекторном переходе меняет знак и становится прямым, в результате транзистор переходит в режим насыщения при U КЭ >0. В режиме насыщения характеристики сливаются в одну линию, то есть ток коллектора не зависит от тока базы.
При дальнейшем увеличении U КЭ характеристики идут с небольшим подъемом, что означает сравнительно малое влияние выходного напряжения на ток коллектора. Эта часть характеристики соответствует активному режиму работы транзистора.
Выходные характеристики также показывают, что чем больше токи I К, тем раньше, то есть при меньших значениях U КЭ,наступает электрический пробой.