1. Тема: Элементная база современных электронных устройств
На рисунке приведено условное графическое обозначение …
| биполярного транзистора типа 
| |
биполярного транзистора типа 
| ||
| триодного тиристора | ||
| полупроводникового фотоэлемента |
Решение:
На рисунке приведено условное графическое обозначение биполярного транзистора типа .
2. Тема: Элементная база современных электронных устройств
На рисунке приведено условное графическое обозначение …
|
| биполярного транзистора типа
| |
| биполярного транзистора типа
| ||
| триодного тиристора | ||
| полупроводникового фотоэлемента |
Решение:
На рисунке приведено условное графическое обозначение биполярного транзистора типа .
3. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Условные графические обозначения полевых транзисторов с управляющим 
– переходом приведены на рисунках …
|
| 1 и 2 | |
| 3 и 4 | ||
| 1 и 3 | ||
| 3 и 5 |
Решение:
На рисунках 1 и 2 приведены условные обозначения полевых транзисторов с управляющим – переходом с 
и 
каналом соответственно.
4. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Структура биполярного транзистора изображена на рисунке …
|
| 
| |
| ||
| ||
|
Решение:
Биполярный транзистор состоит из трех областей с чередующимися типами электропроводности. Его структура изображена на рисунке
5. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Структура диодного тиристора изображена на рисунке …
|
|
| |
|
| ||
|
| ||
|
|
Решение:
Диодный тиристор имеет три – перехода и два вывода. Его структура изображена на рисунке
6. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Вывод 1 полупроводникового прибора называется …
|
| эмиттером | |
| коллектором | ||
| базой | ||
| управляющим электродом |
7. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Средний слой биполярного транзистора называется …
|
| базой | |
| эмиттером | ||
| коллектором | ||
| затвором |
Решение:
Средний слой биполярного транзистора называется базой.
8. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости – перехода от обратного напряжения, называется …
|
| варикапом | |
| обращенным диодом | ||
| тензодиодом | ||
| туннельным диодом |
Решение:
Полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости – перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью, называется варикапом.
9. Тема: Элементная база современных электронных устройств
На рисунке приведено условное графическое обозначение …
|
| несимметричного триодного тиристора | |
| симметричного диодного тиристора | ||
| обращенного диода | ||
| полевого транзистора с изолированным затвором |
Решение:
На рисунке приведено условное графическое обозначение несимметричного триодного тиристора.
10. Тема: Элементная база современных электронных устройств
Участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеется в вольт-амперной характеристике …
|
| тиристора | |
| стабилитрона | ||
| транзистора | ||
| варистора |
Решение:
Участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеется в вольт-амперной характеристике тиристора.
11. Тема: Элементная база современных электронных устройств
На рисунке изображена структура …
|
| биполярного транзистора | |
| триодного тиристора | ||
| выпрямительного диода | ||
| полевого транзистора |
Решение:
На рисунке изображена структура биполярного транзистора.