Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с о 
рганизацией NOR и NAND.
| NOR (NOT OR, ИЛИ-НЕ) | |
| Ячейки работают сходным с EPROM способом. Интерфейс параллельный. Произвольное чтение и запись. Преимущества: быстрый произвольный доступ, возможность побайтной записи. Недостатки: относительно медленная запись и стирание. Из перечисленных здесь типов имеет наибольший размер ячейки, а потому плохо масштабируется. Единственный тип памяти, работающий на двух разных напряжениях. Идеально подходит для хранения кода программ (PC BIOS, сотовые телефоны), идеальная замена обычному EEPROM. |
Основные производители: AMD, Int  el, Sharp, Micron, Ti, Toshiba, Fujitsu, Mitsubishi, SGS-Thomson, STMicroelectronics, SST, Samsung, Winbond, Macronix, NEC, UMC.
| |
| Программирование: методом инжекции "горячих" электронов Стирание: туннеллированием FN | |
| NAND (NOT AND, И-НЕ) | |
| Доступ произвольный, но небольшими блоками (наподобие кластеров жёсткого диска). Последовательный интерфейс. Не так хорошо, как AND память подходит для задач, требующих произвольного доступа.
Преимущества: быстрая запись и стирание, небольшой ра  змер блока.
Недостатки: относительно медленный произвольный доступ, невозможность побайтной записи.
Наиболее подходящий тип памяти для приложений, ориентированных на блочный обмен: MP3 плееров, цифровых камер и в качестве заменителя жёстких дисков.
|
| Основные производители: Toshiba, AMD/Fujitsu, Samsung, National | |
Программирование: туннеллированием FN Стирание: тун  неллированием FN
| |
| AND (И) | |
| Доступ к ячейкам памяти последовательный, архитектурно напоминает NOR и NAND, комбинирует их лучшие свойства. Небольшой размер блока, возможно быстрое мультиблочное стирание. Подходит для потребностей массового рынка. |
| Основные производители: Hitachi и Mitsubishi Electric. | |
| Программирование: туннеллированием FN Стирание: туннеллированием FN | |
| DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделёнными разрядными линиями) | |
| Тип памяти, комбинирующий свойства NOR и NAND. Доступ к ячейкам произвольный. Использует особый метод стирания данных, предохраняющий ячейки от пережигания (что способствует большей долговечности памяти). Размер блока в DiNOR всего лишь 256 байт. |
| Основные производители: Mitsubishi Electric, Hitachi, Motorola. | |
| Программирование: туннеллированием FN Стирание : туннеллированием FN
| |
| Примечания: В настоящее время чаще всего используются память с архитектурой NOR и NAND. Hitachi выпускает многоуровневую AND-память с NAND-итерфейсом (SuperAnd или AG-AND [Assist Gate-AND]) |
Доступ к флэш-памяти
Существует три основных типа доступа:
· обычный (Conventional): произвольный асинхронный доступ к ячейкам памяти.
· пакетный (Burst): синхронный, данные читаются параллельно, блоками по 16 или 32 слова. Считанные данные передаются последовательно, передача синхронизируется. Преимущество перед обычным типом доступа - быстрое последовательное чтение данных. Недостаток - медленный произвольный доступ.
· страничный (Page): асинхронн 
ый, блоками по 4 или 8 слов. Преимущества: очень быстрый произвольный доступ в пределах текущей страницы. Недостаток: относительно медленное переключение между страницами.
Примечание: В последнее время появились микросхемы флэш-памяти, позволяющие одновременную запись и стирание (RWW - Read While Write или Simultaneous R/W) в разные банки памяти.
5. Карты памяти (флэш-карты)
Наиболее распространенные типы карт памяти: CompactFlash (CF) (I,II), MultiMedia Card, SD Card, Memory Stick, SmartMedia, xD-Picture Card, PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash). Существуют и другие портативные форм-факторы флэш-памяти, однако встречаются они намного реже перечисленных здесь.
Флэш-карты бывают двух типов: с параллельным (parallel) и с последовательным (serial) интерфейсом.
Параллельный:
· PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash)
· CompactFlash (CF)
· SmartMedia (SSFDC)
Последовательный:
· MultiMedia Card (MMC)
· SD-Card (Secure Digital - Card)
· Sony Memory Stick