А) Применение математических моделей элементов РЭС. (Выпрямляющий диод).

Применить математическую модель выпрямляющего диода (модифицированную модель Эберса-Молла) для описания ВАХ диода.

Использовать выражение:

,

где - ток перехода, - ток утечки, - тепловой ток, - температурный потенциал, - эмпирический коэффициент, вводимый в режиме больших токов (как правило, ), – параметры, определяемые по обратной ветви ВАХ в режиме пробоя, - напряжение пробоя, – сопротивление утечки p-n перехода, - сопротивление базы диода, в общем случае зависящее от тока диода по эмпирической зависимости ,

где и – коэффициенты аппроксимации, и определяются прямой ветвью характеристики диода, - ток, отсекаемый на оси токов при продолжении линейного участка прямой ветви, построенной в полулогарифмическом масштабе ( - в линейном, i – в логарифмическом масштабе), до пересечения с этой осью, , где и берутся в режиме больших токов на линейной части прямой ветви диода в полулогарифмическом масштабе.

Рассчитать ВАХ модели выпрямляющего диода, пользуясь справочными данными, и сравнить полученные ВАХ со стандартными ВАХ из справочника для данного диода.

Представить графики, схему замещения выпрямляющего диода, а также соображения по адекватности рассчитанных ВАХ модели.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2Б (2)

Варианты курсового задания.

Б) Применение математической модели элементов РЭС. (биполярный транзистор)

Применить математическую модель биполярного транзистора (модифицированную модель Эберса-Молла) для описания ВАХ транзистора. Токи диода в схеме замещения транзистора вычислить с помощью формул:

;

;

где и – токи насыщения эмиттерного и коллекторного переходов, и – напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах соответственно, и – коэффициенты, вводимые в режиме больших токов (как правило, ), - температурный потенциал.

Рассчитать ВАХ модели биполярного транзистора, пользуясь справочными данными, и затем сравнить полученные ВАХ со стандартными ВАХ из справочника для данного типа транзистора.

Представить графики, схему замещения транзистора, а также соображения по адекватности ВАХ модели.

ЛИТЕРАТУРА.

1. Справочник конструктора РЭА. Общие принципы конструирования. Под ред. Р.Г. Варламова, М., «Сов.радио», 1980.

2. Ненашев А.П., Коледов Л.А. Основы конструирования микроэлектронной аппаратуры. М., «Радио и связь», 1981.

3. Беккер П., Йенсен Ф. Проектирование надежных электронных средств. М., «Сов.радио», 1977.

4. Глудкин О.П., Обичкин Ю.Г., Блохин В.Г. Статистические методы в технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. М., «Энергия», 1977.

5. Ильин В.Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. М., «Энергия», 1979.

6. Носов Ю.Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники. М., «Сов.радио», 1978.

7. Фомин А.Б., Борисов В.Ф., Чермошенский В.В. Допуски в радиоэлектронной аппаратуре. М., «Сов.радио», 1973.

8. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М., «Наука», 1964.

Таблица 1

№ опыта	x	x	X2
… I …

Таблица 1а

Вариант 1

Вариант 3

Вариант 5

Вариант 7

Вариант 9