6. Определить длину резистора, округлив до шага координатной сетки
l = b * Кф (11)
7. Определить полную длину резистора с учетом величины перекрытия контактных площадок l полн.= l +2h (12)
8. Определить площадь резистора S= l полн.* b (13)
9. Проверить правильность расчетов, определив:
-действительную удельную мощность рассеяния, которая не должна превышать допустимую (см. таблицу)
Po ´=P/S < Po
-действительную погрешность γKф´, которая не должна превышать допустимую (рассчитанную по формуле (5)
γKф´=Δl /l +Δb/b < γKф
-суммарную погрешность величины номинала резистора, которая не должна превышать допустимую (по заданию)
γR´ =γRo+γKф´+γRт+γRст+γRk < γR
Если неравенства выполняются, то резистор рассчитан верно и сможет при работе реализовать функции точности, рассеиваемой мощности, его можно изготовить по выбранной технологии.
Если неравенства не выполняются, необходимо проанализировать расчетные формулы и предложить способ обеспечения неравенств.
Внимание! Если минимальной окажется длина, то есть Кф<1 расчет начинать с определения длины.
l = max { l техн.,l точн.,l р }
l техн – из табл.3; l точн - из формулы (3) с учетом (5) и (8); l р – из фор-
мулы (9) с учетом (8) и (10)
10.Выполнить графическую часть работы.
10.1 Схема электрическая принципиальная
10.2 Топологический чертеж рассчитанной части микросхемы (на миллиметровой бумаге)
10. Состав отчета по РГР.
· Титульный лист;
· Содержание (с указанием страниц)
· Введение
· Расчетная часть (пояснительная записка)
· Графическая часть
Литература.
1. Коледов Л.А и др. Топология, технология и конструкция тонкопленочных гибридных интегральных микросхем. М.: Метролаб. 2010, 288 с.
2. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Лань, 2007, 400 с
3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высшая школа, 1986, 464с.
Таблица 1 — Характеристики резистивных материалов
| Материалы резистивных пленок | Материалы пленок контактных площадок (внешний вид) | Сопротивление квадрата пленки Rо,Ом/□ | Диапазон номинальных значений сопротивлений R, Ом | Допустимая удельная мощность рассеяния Ро, Вт/см2 | ТКР 1/оС |
| Нихром Х20Н80 | Медь (с подслоем нихрома), защищенная никелем | 50-30000 | 10-4 | ||
| Хром | Медь луженая с подслоем хрома | 50-30000 | 0,6●10-4 | ||
| Сплав МЛТ-3М | Медь с подслоем ванадия (луженая). | 50-50000 | 2●10-4 | ||
| Кермет К-50С | Золото с подслоем хрома или нихрома | 1000-10000 500-200000 104 - 106 | 3●10-4 -4●10-4 -5●10-4 | ||
| Сплав РС-3001 | Золото с подслоем хрома или нихрома | 100-50000 200-100000 | -0,2●10-4 | ||
| Сплав РС-3710 | Золото с подслоем хрома или нихрома | 1000-200000 | -3●10-4 |
Таблица 2 — Описание вида резистора с различными Кф
| Кф | Вид резистора |
 0,1<Кф<1
| Прямоугольная полоска (длина меньше ширины) |
| 1 <Кф <10
Кф >10
| Прямоугольная полоска (длина больше ширины) |
| Кф >>10
| Меандр |
Таблица 3 — Технологические ограничения при изготовлении пленочных резисторов
| Содержание ограничения | Размер ограничения Метод «Маски», мм | Размер ограничения Метод «Фотолитография»,мм |
| Точность изготовления линейных размеров пленочных элементов, Δ l, Δb | 0,01 | 0,01 |
| Минимально допустимый размер резистора Ширина b Длина l | 0,1 0,3 | 0,1 0,1 |
| Максимальное соотношение размеров, l / b | ||
| Перекрытия для совмещения элементов, расположенных в разных слоях, h | Не менее 0,2 | Не менее 0,1 |
| Минимально допустимое расстояние между элементами, расположенными в одном слое, а | 0,3 | 0,1 |
| Минимально допустимое расстояние между краем пленочного резистора и краем его контактной площадки, с | 0,2 | 0,1 |