Тестовые задания
9.1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …
1) ~ Т –1 2) не зависит и равна 3 R 3) ~ Т 3 4) ~ 
5) ~ Т
9.2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …
1) ~ Т 3
2) ~ Т –1
3) не зависит и равна 3 R
4) не зависит и равна 3/2 R
5) ~ Т
9.3. Уровень Ферми в собственном полупроводнике располагается …
1) посередине запрещенной зоны
2) у потолка валентной зоны
3) у дна зоны проводимости
4) посередине валентной зоны
9.4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …
1) минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
2) максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
3) энергия, определяющая дно зоны проводимости
4) энергия, определяющая потолок валентной зоны
| II |
| III |
| I |
| Δ E = 1 эВ |
1) полупроводником
2) диэлектриком
3) проводником
4) однозначного ответа нет
9.6. Твердые тела являются проводниками, если …
1) валентная зона заполнена электронами полностью
2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3) зона проводимости заполнена полностью
4) в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни
9.7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …
1) диэлектриком
2) проводником
3) полупроводником
4) проводником и полупроводником одновременно
9.8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0 К …
1) перекрыты валентная зона и зона проводимости
2) заполнена зона проводимости
3) нет запрещенной зоны
4) заполнена валентная зона
5) зона проводимости заполнена частично
9.9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …
1) только электроны
2) только дырки
3) электроны и ионы акцепторных атомов
4) дырки и электроны
5) дырки и ионы акцепторных атомов
9.10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …
А) дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей
Б) уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны
В) валентная зона заполнена электронами не полностью
Г) сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры
1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г
9.11. Донорные примесные уровни располагаются …
1) в середине запрещенной зоны
2) у потолка валентной зоны
3) у дна зоны проводимости
4) между уровнем Ферми и потолком валентной зоны
5) между уровнем Ферми и дном зоны проводимости
9.12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n- типа образуются в результате перехода электронов …
А) из валентной зоны в зону проводимости
Б) с донорного уровня в зону проводимости
В) между уровнями валентной зоны
Г) из валентной зоны на донорный уровень
1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г
9.13. Двойной электрический слой на границе р-n -перехода образуют …
1) дырки и электроны
2) отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома
3) отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома
4) дырки и отрицательные ионы донорного атома
5) электроны и положительные ионы и акцепторного атома
9.14. Положительный электрический слой на границе p - n -перехода образуется …
1) позитронами
2) положительными ионами акцепторной примеси
3) протонами
4) положительными ионами донорной примеси
5) дырками
9.15. Отрицательный электрический слой на границе p-n -перехода образуется …
1) электронами
2) дырками
3) отрицательными ионами донорных атомов
4) отрицательными ионами акцепторных атомов
9.16. Односторонняя проводимость р-n -перехода объясняется …
1) диффузией носителей тока
2) зависимостью сопротивления р-n -перехода от направления внешнего электрического поля
3) превышением концентрации основных носителей тока над неосновными
4) рекомбинацией носителей тока
9.17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …
1) увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока
2) препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n -переход
3) уменьшением сопротивления p - n -перехода
4) ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n -переход
9.18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…
1) в запрещенной зоне нет примесных уровней
2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3) зона проводимости заполнена электронами целиком
4) валентная зона заполнена электронами целиком
Индивидуальные задания