В электронике используются материалы, находящиеся в различном агрегатном состоянии: газообразном, жидком, твердом и плазменном. Наибольшую группу составляют твердые материалы, находящиеся в кристаллическом состоянии.
Кристаллы — твердые тела в виде выпуклых многогранников с более или менее плоскими гранями и прямолинейными ребрами. Материальные частицы расположены в кристаллическом пространстве строго закономерно или периодически наподобие пространственной или кристаллической решетки. Следовательно, для кристаллов характерно решеточное строение.
Благодаря периодичности внутренней структуры кристаллы обладают симметрией, т.е. закономерной повторяемостью в пространстве равных фигур или равных частей одной и той же фигуры.
Основные свойства кристаллов:
• однородность;
• дискретность;
• анизотропия;
• способность самоограняться;
• полиморфизм.
Однородность — свойство вещества быть одинаковым во всем объеме. Это означает, что каждой точке кристалла в определенном направлении и на определенном расстоянии соответствует (находится) точно такая же и одинаково расположенная точка. Однородность присуща не только кристаллическим телам.
Дискретность заключается в том, что в кристалле всегда можно выделить микрообъем, в котором нет двух одинаковых точек или материальных частиц.
Свойства однородности и дискретности кристаллов противоречат друг другу. Однако для описания свойств кристаллов достаточно рассматривать объемы большие, чем одна частица, но меньшие, чем целый кристалл. При таком подходе кристалл рассматривается как однородная, или сплошная, среда.
Анизотропия проявляется в том, что электрические, механические, тепловые, оптические и т.д. свойства кристалла одинаковы по параллельным и связанным симметрией направлениям и, в общем случае, неодинаковы по непараллельным направлениям. Это связано с тем, что по разным направлениям различны расстояния между частицами и силы связи, следовательно, свойства будут различными.
Анизотропной, в частности, является скорость роста кристалла. Если бы она была одинаковой по всем направлениям, то кристалл вырастал бы в форме шара. Именно благодаря анизотропии проявляется свойство кристалла самоограняться.
Способность самоограняться выражается в том, что в процессе роста кристалл приобретает вполне конкретную геометрическую форму с плоскими гранями и прямолинейными ребрами наподобие законченной геометрической фигуры в виде многогранника.
Полиморфизм — свойство веществ кристаллизоваться, в зависимости от условий, в двух и более кристаллических структурах. Каждая из структур формируется в определенном диапазоне температур и давлений. Такие структуры принято называть полиморфными формами, или полиморфными модификациями. Модификации, устойчивые при нормальной (300 К) и более низкой температуре, обозначают буквой а, а устойчивые при более высоких температурах — буквами β, γ, и т.д.
Примером наличия полиморфных модификаций кристаллического состояния вещества является углерод. При обычных условиях углерод кристаллизуется в модификации графита, а при повышенных температурах (порядка 2000 °С) и давлении (порядка 1010 Па) - в модификации алмаза.
В зависимости от условий роста форма и размеры граней кристалла и полиморфных модификаций могут изменяться. Однако углы между соответствующими гранями остаются постоянными. В этом заключается закон постоянства углов для всех кристаллов, в том числе для каждой из модификаций веществ, обладающих полиморфизмом. Поэтому по значениям углов между гранями можно точно определить, из какого вещества сформирован кристалл или в какой полиморфной модификации произошла кристаллизация.
Следует различать монокристаллические, поликристаллические и аморфные структуры твердых тел.
Монокристаллическими являются достаточно большие по объему твердые тела со строго закономерным расположением материальных частиц во всем кристаллическом пространстве в виде законченного геометрического многогранника.
Поликристаллической структурой обладают твердые тела, состоящие из очень большого числа мелких монокристалликов, хаотично ориентированных во всем объеме тела. Считается, что если нельзя определить характерную геометрическую форму монокристалликов, то состояние вещества принято называть квазиморфным.
Аморфными являются твердые тела, в которых отсутствует закономерное расположение материальных частиц в объеме. Поэтому аморфные вещества имеют одинаковые свойства по всем направлениям и являются изотропными.
Кристаллическое состояние вещества наиболее устойчиво. Это объясняется тем, что при закономерном расположении материальных частиц в кристаллическом пространстве они занимают такое пространственное положение, при котором вся система частиц обладает минимальной внутренней энергией и, следовательно, наиболее устойчивым состоянием. За счет этого кристаллы имеют строго фиксированную температуру плавления Тпл (рис. 1.6).
До момента времени t1 температура кристаллического вещества растет пропорционально подводимой энергии и оно находится в твердом состоянии.
С момента t1 - начала плавления- подводимая тепловая энергия тратится на разрушение кристаллического состояния, при этом температура расплавляемого кристаллического вещества остается постоянной вплоть до перехода при t2 в жидкое состояние всего объема вещества. При дальнейшем сообщении тепловой энергии температура расплава начинает увеличиваться. Аморфные вещества переходят в вязкое, а затем в жидкое состояние при плавном повышении температуры, т.е. не имеют фиксированной температуры плавления.
Жидкие кристаллы, используются в технике. Они обладают свойствами жидкости, такими, как текучесть, и могут находиться в каплевидном состоянии. Для них характерна анизотропия свойств, в том числе оптическая анизотропия. Материальные частицы в жидких кристаллах связаны слабыми межмолекулярными силами, поэтому структура кристаллов и их свойства сильно зависят от внешних факторов, таких, как электрическое поле, температура, давление. Благодаря особым свойствам их применяют в качестве жидкокристаллических индикаторов в электронных часах, дисплеях вычислительных машин, экранах телевизоров и т.д.
1.4.1. Строение кристаллов
Закономерное расположение материальных частиц (атомов, ионов, групп атомов, молекул) в кристаллическом пространстве экспериментально подтверждается с помощью рентгеноструктурного анализа. Было обнаружено (в 1912— 1913 гг.), что материальные частицы в кристаллах расположены так же, как узлы пространственной решетки.
Пространственная решетка представляет собой периодическое расположение в пространстве математических точек. С помощью пространственной решетки можно моделировать структуру кристалла. Если в узлах пространственной решетки находятся атомы кристалла, то такую решетку принято называть кристаллической. Если совместить узел пространственной решетки с группой атомов, называемых базисом, то при повторении в пространстве базиса образуется кристаллическая структура (рис. 1.7).
Таким образом, кристаллическая структура представляется (моделируется) как результат совмещения базиса с пространственной решеткой.
Идеальный кристалл можно представить закономерным повторением в пространстве одинаковых структурных единиц, занимающих определенный объем и называемых элементарной ячейкой (ЭЯ). Принято считать, что ЭЯ имеет форму параллелепипеда, или «кирпичика». Таким образом, кристалл представляет собой пространство, заполненное плотно прилегающими друг к другу элементарными ячейками.
С другой стороны, кристаллическое тело может быть смоделировано пространственной решеткой, состоящей из узлов, рядов и плоских сеток. Они соответствуют вершинам, ребрам и граням элементарной ячейки кристалла (рис. 1.8).
Теорию решеточного строения кристаллов предложил в 1848 г. французский кристаллограф О.Браве. Русский кристаллограф Е.С. Федоров в 1890 г. на основе законов симметрии и математических преобразований доказал, что в кристаллах возможны 230 вариантов закономерного расположения частиц внутри кристаллического пространства. Их принято называть федоровскими группами симметрии.
1.4.2. Элементарные ячейки пространственных решеток
В общем случае ЭЯ трехмерных решеток в форме параллелепипеда характеризуется векторами элементарных трансляций (перемещений) а, b, с и углами между ними α, β, γ (Рис. 1.9).
Заполнение кристаллического пространства осуществляется перемещением ЭЯ, которое принято характеризовать вектором трансляции Т, равным
Т = п1а + n2b + п3с,
где п1 п2, п3 — целые, положительные и отрицательные числа, включая ноль.
При перемещении ЭЯ только вдоль одной оси координат, например вдоль Y, Т = п2b, а п1 =n3=0. Отрицательные значения п будут в случае перемещения ЭЯ в стороны, противоположные направлениям осей координат. Тогда вектор трансляции Т записывается в форме
Т = п1а + п2 b + п3с.
Рассмотренная ЭЯ содержит в объеме один узел или атом, поэтому она называется простой, или примитивной, и обозначается Р.
Количество атомов в ЭЯ рассчитывается исходя из того, что каждый узел принадлежит одновременно восьми ЭЯ. Следовательно, узел принадлежит данной ЭЯ только 1/8 своей частью. В ЭЯ восемь вершин (узлов), поэтому число атомов будет равно N=1/8*8=1.
Элементарная ячейка, содержащая в объеме более одного атома или атомы разных химических элементов, называется сложной.
Сложные типы ЭЯ представлены на рис. 1.10.
Когда в центре ЭЯ находится дополнительный атом ячейка называется объемоцентрированной, обозначается I и содержит в объеме количество атомов
N = (1/8 • 8) + 1 = 2.
Для кристаллов с кубической структурой ЭЯ имеет форму куба. Ее принято называть объемоцентрированная кубическая и обозначать ОЦК.
Если в центре двух противоположных граней ЭЯ находятся дополнительные атомы, то такая ячейка называется боконцентрированной, или базоцентрированной, и обозначается С. Каждый дополнительный атом на грани ЭЯ принадлежит ей только 1/2 своей частью. Поэтому количество атомов в объеме такой ячейки
N = (1/8 • 8)+ (1/2 • 2) = 2.
Когда в центрах всех шести граней ЭЯ находятся атомы, ячейка называется гранецентрированной, обозначается F и содержит количество атомов в объеме
N = (1/8 • 8)+ (1/2 * 6) = 4.
Для кристаллов кубической структуры ЭЯ принято называть гранецентрированная кубическая и обозначать ГЦК.
В кристаллах существует особый тип примитивной ЭЯ, которая называется ромбоэдрической типа R (рис. 1.11). Она содержит в объеме один атом. Грани ячейки являются ромбом.
Рассмотренные пять типов ЭЯ в различных структурах кристаллов отличаются соотношением длин векторов элементарных трансляций а, b, с и углами между ними α,β,γ. Поэтому общее количество ЭЯ в кристаллах, выявленных О. Браве, четырнадцать. Их принято называть ячейками Браве, а пространственные решетки, сформированные повторением ЭЯ в кристаллическом пространстве, - решетками Браве.
1.4.3. Кристаллические системы
По типу ЭЯ, как простых, так и сложных, и по свойствам симметрии реальные кристаллы в зависимости от структуры подразделяются на семь кристаллических систем (табл. 1.1).
1.4.4. Кристаллографическая индексация
Для определения положения узлов, рядов, направлений и плоскостей в кристаллическом пространстве существует система обозначений, т.е. система индексации перечисленных характеристик кристаллов. Особенность системы индексации состоит в том, что координаты узлов и длины отрезков, отсекаемых плоскостями по осям координат или ребрам кристаллов, измеряются количеством векторов элементарных трансляций.
Положение узла пространственной решетки определяется его координатами по соответствующим осям, т.е.
х = п1а; у = n2b; z = п3с,
где nv n2, п3 — целые положительные и отрицательные числа, соответствующие числу векторов элементарных трансляций по осям координат.
За начало координат принимается любой узел пространственной решетки (рис. 1.12).
Положение узла определяется радиус-вектором ап или равным ему вектором трансляции Т, т.е.
ап= Т = n1a. + n2b + п3с
Численные значения п1, п2, п3 называются индексами узла, а их значения, записанные в двойные скобки, — символом узла. Для узлов А, В и С, приведенных на рисунке, символы записываются [[111]], [[110]], [[01l]] соответственно.
Положение ряда точек или узлов в кристаллическом пространстве определяется двумя точками. Одна из точек может быть выбрана за начало координат. Тогда координаты второй точки (узла), выраженные в количестве векторов элементарной трансляции, будут индексами ряда. Координаты узлов ряда или направления принято обозначать х = иа, у = vb, z=wc, где и, v, w- целые положительные и отрицательные числа, включая ноль. Численные значения и, v, w называются индексами ряда, а заключив их в квадратные скобки [и v w], получают символ ряда.
Таким образом, кристаллографическое направление (узловой ряд решетки) определяется координатами узла, ближайшего к началу координат (рис. 1.13).
Отличие в обозначении символов узлов от рядов и направлений заключается в использовании двойных или одинарных квадратных скобок.
Следует подчеркнуть, что параллельные ряды тождественны, поэтому они имеют одинаковый символ. Любой ряд можно переместить параллельно самому себе так, чтобы он прошел через начало координат и ближайший узел решетки, координаты которого являются символом ряда (направления).
Индексы и символ плоскости определяются длинами отрезков, отсекаемых плоскостью по осям координат. В общем случае узловая плоскость в кристалле отсекает различные по длине отрезки та, nb, рс, на которых укладывается целое число векторов элементарных трансляций (рис1.14)
Величины, обратные длинам отрезков, отсекаемых плоскостью по осям координат, называются индексами Миллера и обозначаются hkl. Заключив индексы в круглые скобки, получают символ плоскости (hkl).
Таким образом, индексы hkl — это три целых положительных или отрицательных числа, включая ноль, которые получают из соотношения:
Для получения целочисленных значений hkl отношение обратных величин длин отрезков приводится к общему знаменателю, который отбрасывается, а числители будут индексами Миллера.
Чем больший отрезок отсекает плоскость на координатной оси, тем меньше численное значение индекса в символе плоскости, относящегося к данной оси. Для рис. 1.14 и расчета самый большой отрезок отсекает плоскость по оси Z, а соответствующий индекс 3 в символе плоскости самый меньший.
Если плоскость параллельна одной из осей координат (рис. 1.15, а), то она отсекает на ней бесконечно большой отрезок. Следовательно, индекс в символе плоскости, соответствующий этой оси, будет 0. Если плоскость параллельна двум осям координат (рис. 1.15, б), то в символе плоскости два индекса будут равны нулю. Если плоскость отсекает отрезок на отрицательном направлении оси координат (рис. 1.15, в), то над индексом для этой оси ставится знак минус.
Все параллельные плоскости имеют один и тот же общий символ с малыми численными значениями индексов. Любую плоскость можно переместить параллельно самой себе вплоть до плоскости, ближайшей к началу координат, которая имеет наименьшие численные значения индексов. Для обозначения системы параллельных плоскостей в кристалле символы hkl записываются в фигурные скобки, т.е. { hkl }.
Плоскость, отсекающая по осям координат отрезки, равные единичным векторам трансляции, называется единичной плоскостью. Если плоскость не проходит через узлы решетки, следовательно, она отсекает по осям координат отрезки, равные дробным величинам векторов элементарных трансляций (рис. 1.16). Целочисленные значения индексов такой плоскости определяются по приведенной выше методике,
В кристалле важными являются направления, перпендикулярные узловым плоскостям. Проекция плоскости на это направление позволяет определить плотность упаковки атомов по данному направлению, а следовательно, выявить наличие анизотропии свойств по различным направлениям в кристалле (рис. 1.17).
1.4.5. Дефекты структуры кристаллов
Дефект — любое отклонение от периодичности структуры кристалла. В зависимости от мерности дефекта выделяют дефекты:
• нульмерные, или точечные;
• одномерные, или линейные;
• дзухмерные, или плоские;
• трехмерные, или объемные.
Дефекты существенно влияют на многие свойства кристаллов. При отсутствии дефектов была бы невозможна пластическая деформация металлов и управление типом проводимости в полупроводниках. Поэтому в полупроводниках дефекты создают искусственным путем — термической диффузией или ионной имплантацией атомов примеси в приповерхностный слой монокристалла.
Любой тип дефектов кристалла изменяет энергетический спектр электронов, а следовательно, и свойства материала, зависящие от него.
Точечными дефектами являются:
— вакансии, т.е. смещение собственного атома в междоузлие;
— примеси чужеродных атомов, которые могут находиться либо в позиции замещения собственного атома в узле решетки, либо в позиции внедрения в междоузельное пространство решетки.
По механизму образования точечных дефектов в кристалле различают дефекты по Шоттки и дефекты по Френкелю.
Механизм образования дефектов по Шоттки заключается в перемещении атома из узла решетки на поверхность, где он начинает формирование нового атомного ряда. На его месте образуется вакансия, которая за счет эстафетного заполнения соседними атомами перемещается вглубь кристалла (рис. 1.18). При этом изменяется плотность кристалла за счет увеличения объема при сохранении количества атомов в кристалле.
Механизм образования дефектов по Френкелю заключается в перемещении атома из узла решетки в междоузлие. В результате образуется пара точечных дефектов: атом в междоузлии и вакансия. Она перемещается вглубь кристалла и может находиться далеко от междоузельного атома Конструкция дефектов по Шоттки и Френкелю при термодинамическом равновесии определяется природой и структурой кристалла.
Точечные дефекты по Шоттки и Френкелю, как и атомы примеси в позиции внедрения или замещения, приводят к локальному искажению структуры, вызывая внутренние механические напряжения в виде сжатия и растяжения решетки. При наличии вакансии (рис. 1.20, а) атомы первой координационной сферы сдвигаются к вакансии, т.е. подвержены сжатию. Атомы второй координационной сферы отталкиваются от вакансии, т.е. решетка подвержена растяжению. Собственные и примесные атомы в междоузлиях и атомы примеси в позиции замещения (рис. 1.20, б) приводят к локальному растяжению решетки.
Линейные дефекты структуры кристаллов называются дислокациями. Они возникают в результате скольжения части кристалла вдоль атомных плоскостей на одну трансляцию. Вследствие этого нарушается чередование атомных плоскостей в отдельной части кристалла. Дислокации появляются при термической, механической обработке и в процессе выращивания монокристаллов.
Принято различать краевую, винтовую и криволинейную дислокации.
Краевая дислокация возникает при скольжении вдоль атомных плоскостей, в результате чего появляется лишняя полуплоскость, край которой внутри кристалла образует линейный дефект, являющийся краевой дислокацией (рис. 1.21).
Вблизи краевой дислокации решетка деформирована, причем есть области растяжения и сжатия.
В кристалле возможны краевые дислокации разного знака (рис. 1.22). При деформации разнополюсные дислокации могут двигаться навстречу друг другу и слиться в одну плоскость. Это явление называется аннигиляцией дислокаций. Решетка при этом восстанавливается.
Винтовая дислокация возникает при напряжении сдвига в части кристалла, перпендикулярном атомным плоскостям (рис. 1.23).
В результате на торцевой поверхности происходит смещение плоскостей на одно межплоскостное расстояние (на вектор элементарной трансляции). Деформированная часть кристалла отделяется от недеформированной относительно оси дислокации С по спиральной (винтовой) кривой, обозначенной пунктиром. Это и послужило появлению термина «винтовая дислокация».
Криволинейная дислокация является общим случаем наличия в кристалле краевой и винтовой дислокаций. В отличие от прямолинейных осей краевой и винтовой дислокаций ось криволинейной дислокации образует в кристалле пространственную кривую линию. Она либо замыкается в петлю внутри кристалла, либо выходит на его поверхность.
Для количественной оценки степени нарушения структуры за счет линейных дефектов принято определять плотность дислокации, т.е. количество дислокаций, выходящих на единице поверхности кристалла. Для хорошо сформированных монокристаллов Ge и Si плотность дислокаций составляет (102...103) см-2, для сильно деформированных металлов она достигает значений (1О11...1О12) см-2.
С дислокациями принято связывать границы зерен поликристаллических веществ. Считается, что параллельные краевые дислокации концентрируются вдоль границ поликристаллов, когда углы между кристаллическими плоскостями соприкасающихся поликристаллов невелики. В этих случаях говорят о дислокациях малоугловых границ или об образовании дислокационных стенок.
Двухмерными дефектами называют скопления вакансий, внедрений и атомов замещения в части кристаллографической плоскости (рис. 1.24). Скопления точечных дефектов называются кластерами.
Постоянно присутствующим двухмерным дефектом является поверхность, ограничивающая кристалл. Поверхностные атомы не окружены со всех сторон другими атомами, как в объеме кристалла. Поэтому их пространственное положение отличается от положения атомов в объеме. Искажения кристаллической решетки наблюдаются в приповерхностном слое глубиной от десятков межатомных расстояний и выше. В результате свойства приповерхностной области кристалла существенно отличаются от свойств объема.
Трехмерными дефектами являются пустоты, трещины, поры, включения разного рода примесей. Любые дефекты структуры существенно влияют на механические, тепловые, электрофизические, оптические и магнитные свойства твердых тел.
Тема № 3.
Типовые материалы, применяемые в качестве проводников