Нанесение защитного изолирующего слоя





Создание щелевой изоляции

2.1) фотолитография «STI»

2.2) анизотропное травление кремния на глубину залегания кармана (3-4 мкм)

2.3) удаление фоторезиста

2.4)фотолитография "n+-охрана под STI"

2.5)имплантация: B, E=80 кэВ, D=1013 см-2.

2.6)удаление фоторезиста.

2.7)отжиг p-охраны: 1000 °С, 65 мин, нейтральная среда – N2.

2.8) заполнение щели с использованием SiO2

Создание р-кармана

3.1)фотолитография «n-карман»

3.2)имплантация : B, Е=80 кэВ, D=5*1012 см-2

3.3)удаление фоторезиста

3.4)отжиг

- диффузия: 1200 оС, 30 мин, окисляющая среда – О2

- диффузия: 1100 оС, 40 мин, нейтральная среда – N2

- удаление всего SiO2 до Si

Увеличение напряжения смыкания канала

- фотолитография «увеличение напряжения смыкания »

- имплантация: Р, Е=400кэВ, D=5*1013

- удаление фоторезиста

Корректировка порогового напряжения

5.1) корректировка Uпор n

- фотолитография «Корректировка порогового напряжения n-МОП-транзистора»

- имплантация : B, Е=30 кэВ, D=2.85*1012 см-2

- удаление фоторезиста

5.2) корректировка Uпор р

- фотолитография «Корректировка порогового напряжения р-МОП-транзистора»

- имплантация : Р, Е=30 кэВ, D=8.55*1011 см-2

-удаление фоторезиста

6. Создание подзатворного SiO2 толщиной 16 нм:900 оС, 46 мин, среда O2

Создание затворов

7.1) Создание n+-Si*-затвора:

- нанесение n+-поликремния: толщина 0.5 мкм, элемент Р,

концентрация 1020 см-3

- фотолитография "Затворы"

- анизотропное травление поликремния на всю толщину до оксида

- удаление фоторезиста

8. Создание n- LDD областей:

8.1) фотолитография "n-LDD"

8.2) имплантация: As, E=90 кэВ, D=3*1013 см-2

8.3)удаление фоторезиста

9. Создание спейсеров:

- нанесение оксида толщиной 0.25 мкм

- анизотропное травление оксида на 0.25 мкм

- окисление: 850 оС, 20 мин, O2

10.Создание n+- и p+- истоков и стоков транзисторов

10.1)фотолитография "n+-сток, исток, контакт к n-карману"

10.2) имплантация: As, E=135 кэВ, D=5*1015 см-2

10.3) удаление фоторезиста

10.4)фотолитография "p+-сток, исток, контакт к p-карману(подложке)"

10.5)имплантация: B, E=5 кэВ, D=7.5*1014 см-2

10.6)удаление фоторезиста

10.7) отжиг: 900 оС, 9 мин, O2

11. Осаждение изолирующего слоя и его планаризация

Создание контактных окон в изолирующем слое

- фотолитография "Контактные окна"

- анизотропное травление оксида до Si и Si*

- удаление фоторезиста

Создание металлической разводки

- нанесение алюминия

- фотолитография "Контакты:

- анизотропное травление алюминия на всю его толщину

- удаление фоторезиста

Нанесение защитного изолирующего слоя

Маршрутная карта или схема, изображенная в виде последовательных модификаций поперечного сечения КМОП-структуры на этапах изготовления согласно приведенному выше технологическому маршруту, показана на рис.34-40.

Рисунок 34 − Пункты 1, 2.1-2.5 полного технологического маршрута

 

Рисунок 35 − Пункты 2.6 - 2.8, 3 полного технологического маршрута

Рисунок 36 − Пункты 4, 5 полного технологического маршрута

Рисунок 37 − Пункты 6, 7, 8.1,8.2 полного технологического маршрута

Рисунок 38 − Пункты 8.3 – 8.5 полного технологического маршрута

Рисунок 39 − Пункты 8.6, 9, 10.1 – 10.5 полного технологического маршрута

 

Рисунок 40 − Пункты 10.6 – 10.7, 11, 12, 13 полного технологического маршрута

 

Первый транзистор.

Пороговое напряжение складывается из трех слагаемых – падениях

напряжений на трех слоях:

(1)

Первое слагаемое определяет вклад материала затвора подложки и вычисляется как разность отрезков и :

(2)

Как видно из рис.4 для зонной диаграммы n- канального транзистора вычисляется как:

(3)

Для сильнолегированного - затвора типа уровень Ферми практически совпадает с границей запрещенной зоны и можно считать, что равен половине ширины запрещенной зоны: .

Встроенный потенциал подложки n- и p-канального транзистора для кремния при T=300 К зависит от концентрации примеси в подложке и вычисляется как:

(4)

 

Второе слагаемое описывает падение напряжения на оксидном слое:

; (5)

(6)

 

(7)

(«+» для p-канала, «-» для n- канала)

; (8)

; (9)

Падение порогового напряжения на оксиде для n- канального транзистора:

 

Определив все три составляющие порогового напряжения для n-и p- транзисторов получим:

 

Второй транзистор

Пороговое напряжение складывается из трех слагаемых – падениях

напряжений на трех слоях:

(1)

Первое слагаемое определяет вклад материала затвора подложки и вычисляется как разность отрезков и :

(2)

Как видно из рис.4 для зонной диаграммы n- канального транзистора вычисляется как:

(3)

Для сильнолегированного - затвора типа уровень Ферми практически совпадает с границей запрещенной зоны и можно считать, что равен половине ширины запрещенной зоны: .

Встроенный потенциал подложки n- и p-канального транзистора для кремния при T=300 К зависит от концентрации примеси в подложке и вычисляется как:

 

(4)

 

Второе слагаемое описывает падение напряжения на оксидном слое:

; (5)

(6)

 

(7)

(«+» для p-канала, «-» для n- канала)

; (8)

; (9)

Падение порогового напряжения на оксиде для n- канального транзистора:

Определив все три составляющие порогового напряжения для n-и p- транзисторов получим:

 

 





Читайте также:
Гражданская лирика А. С. Пушкина: Пушкин начал писать стихи очень рано вскоре после...
Опасности нашей повседневной жизни: Опасность — возможность возникновения обстоятельств, при которых...
Этапы развития человечества: В последние годы определенную известность приобрели попытки...
Основные признаки растений: В современном мире насчитывают более 550 тыс. видов растений. Они составляют около...

Рекомендуемые страницы:


Поиск по сайту

©2015-2020 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-02-12 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту:

Обратная связь
0.019 с.