Данные параметры должны быть в обязательном порядке определены в задании на проектирование с указание конкретных величин, определяющих технологический уровень, требуемый к достижению в проектируемом производстве
| Наименование | Определение |
| 1 Половина шага минимального размера объекта, нм | Представляет собой топологический размер транзистора, измеренный в нанометрах (нм). Определяется как половина шага от начала одного устройства (транзистора) до начала второго устройства (транзистора) |
| 2 Диаметр пластины, мм | Физический диаметр пластины, измеренный в миллиметрах (мм) |
| 3 ДППД | Динамическая память с произвольным доступом |
| 4 Количество уровней шаблонов ДППД | Указывает количество слоев маски ДППД |
| 5Производственные площади (чистые помещения) м2/ стартов пластин в месяц/ количества/ слоев шаблонов (300 мм) | Площадь Фаб, определенная в квадратных метрах (м2), необходимая на проведение одного старта пластины с учетом количества слоев маски ДППД для пластины диаметром 300мм |
| 6 Производственная (чистая) площадь, м2 | Производственная (чистая) площадь определяется как общая площадь в квадратных метрах, на которой размещено технологическое и метрологическое оборудование, используемое непосредственно для производственных процессов, таких как фотолитография, диффузия, травление, тонкие пленки, химико-механическая полировка (ХМП), за исключением подсобных помещений, содержащих вспомогательное оборудование и системы инфраструктуры объекта. Это включает все пространство внутри зоны чистого производственного помещения, содержащего технологическое оборудование, отсеки и коридоры |
| 7 Количество стартов пластин в месяц (СПВМ) | Количество стартов пластин в месяц определяется как количество пластин, введенных в производство для обработки в течение данного 30-дневного периода |
| 8 Соотношение Сабфаб к Фаб | Отношение Сабфаб к Фаб определяется как отношение площади, занимаемой зоной вспомогательного оборудования, к производственной площади основного каркаса, приведенной выше. Снижение занимаемой площади на 25 % позволяет размещать колонны и оборудование систем безопасности в зоне вспомогательного оборудования. Относится к заводским операциям «Эффективность жилой площади». П р и м е ч а н и е — Для некоторых видов технологического оборудование характерно более высокое соотношение, а у других нет вспомогательного оборудования. Данное отношение представляет собой среднее значение для всего оборудования в полном наборе заводских инструментов ДППД |
| 9 Уровень чистоты помещений (ГОСТ Р ИСО 14644-1) | Классификация чистоты воздуха производственной зоны полупроводниковых фабрик (чистых помещений) в соответствии с ГОСТ Р ИСО 14644-1 |
| 10 Критерии проектирования критических зон вибрации объекта (литография, метрология, и проч.) (микрометры в секунду) | «Критическая вибрация» определяется как область основного производственного зала, в которой установлена значительная часть оборудования, чувствительного к вибрации пола, при этом демпфирование не было обеспечено на самом оборудовании, а чрезмерные вибрации могут иметь серьезные последствия для продукта. Для проектирования конструктивного и механического оборудования объекта с учетом потребностей этой категории помещений могут быть востребованы широкомасштабные меры. Критериями вибрации являются пределы амплитуд колебаний на поверхности пола или другой опоре инструмента, заданные как VC-x. где x — буквенное обозначение от A до E, соответствующее определенному спектру амплитуды колебаний по ГОСТ Р ИСО/ТС 10811-2 |
| 11 Критерии проектирования некритических зон вибрации объекта, (мкм/с) | «Некритическая вибрация» определяется как площадь основного производственного пола, в которой все или часть оборудования является лишь умеренно чувствительным к вибрации, а характеристики конструктивной системы могут быть снижены. Критерии вибрации — пределы амплитуды вибрации на полу или другой опоре инструмента, заданные как VC-x, где x — буквенное обозначение от A до E, соответствующее определенному спектру амплитуды колебаний по ГОСТ Р ИСО/ТС 10811-2 |
| 12 Максимально допустимое электростатическое поле на поверхностях объекта, В/м для предотвращения электростатического разряда | Пределы поверхностного электрического поля объекта распространяются на все производственные конструкции, конструкционные материалы, мебель, людей, оборудование, и несущие конструкции |
| 13 Критерии проектирования для (чувствительной зоны электромагнитных излучений (ЭМИ)) | «Чувствительные зоны ЭМИ» определяются как области первичного производства, где размещены такие чувствительные приборы ЭМИ как сканирующий электронный микроскоп (СЭМ), туннельный электронный микроскоп (ТЭМ), электронно-лучевой микроскоп, фокусированный ионный пучок. Перечисленные ограничения охватывают типовые требования к приборам. Частные случаи применения могут требовать более жестких диапазонов |
| 14 Критерии проектирования для «очень чувствительных зон ЭМИI» | «Очень чувствительные зоны ЕМИ» определяются как зоны, не соединенные с текущим производственным процессом. Обычно это лаборатории или исследовательские зоны. Для этих необходимы измерения, требующие очень высокого разрешения, а следовательно, и ограничения в отношении электромагнитных помех являются более жесткими по сравнению с обычной производственной площадью. К чувствительным приборам относятся РЭМ, ТЭМ, сфокусированный ионный пучок, электронно-лучевой микроскоп и средства измерений. Перечисленные ограничения охватывают типовые требования к приборам. Частные случаи применения могут требовать более жестких пределов |
| 15 Предел излучения для объекта | Излучение представляет собой электромагнитные поля (сочетание электрических и магнитных полей) аналогичные полям, используемым в беспроводной связи и радиовещании. Электрическое поле генерируется напряжением, магнитное — током, эти поля генерируют нежелательные напряжения и токи в проводах и «следы» на другом электронном оборудовании. Эти нежелательные сигналы могут вызывать помехи нормальной работы оборудования и могут изменять параметры процесса, влияя на датчики и органы управления. Сила излучаемого излучения уменьшается с расстоянием, то есть она представляет меньшую проблему для оборудования, расположенного вдали от источника. К мерам по уменьшению излучения относятся выбор низкоэмиссионного оборудования, соответствующего стандартам электромагнитной совместимости (ЭMC), правильное его заземление, сокращение длины проводов, которые действуют как антенны, и улучшение экранирования, включая закрывание всех крышек на оборудовании |
| 16 Предел кондуктивного излучения для объекта | Кондуктивное излучение является нежелательным для проводов и металлической структуры оборудования. Обычно это вызвано электрической коммутацией, серводвигателями и частотно-регулируемыми двигателями, исполнительными механизмами, источниками в производственной зоне, шумными источниками питания и т.п. В отличие от излучения, проводимые сигналы могут распространяться на большое расстояние по проводам с минимальным затуханием и вызывать значительные эксплуатационные проблемы вдали от источника сигналов. К мерам по снижению кондуктивного излучения относятся фильтры электромагнитных помех, правильная прокладка линий электропередачи и заземления, а также выбор нешумного оборудования Часто излучение является смешанным — силовые кабели и заземление, которые могут нести кондуктивный сигнал, становятся антеннами для излучения такого сигнала, а поле с противоположным излучением создает электрический сигнал в кабелях и проводах, подведенных к оборудованию, создавая помехи от кондуктивного излучения. К мерам по снижению таких помех относятся сокращение числа и правильная прокладка кабелей и фильтрация электромагнитных помех |
| 17 Соотношение холостого хода инструмента и расхода энергии на обработку, кВт / кВт | Коэффициент энергопотребления технологического инструмента и вспомогательного оборудования, когда не обрабатываются пластины над энергопотреблением когда инструмент обрабатывает пластины |
УДК 69+725.4.011(083.74) ОКС 91.090
Ключевые слова: производственные здания, складские здания, строительные материалы, строительные конструкции, помещения, степень огнестойкости, класс конструктивной пожарной опасности здания, чистые комнаты.
ИСПОЛНИТЕЛЬ
НИИСФ РААСН
Руководитель
организации-разработчика
Директор _________________________ И.Л.Шубин
СОИСПОЛНИТЕЛЬ
АО «ЦНИИПромзданий»
Руководитель организации-
Разработчика
Генеральный директор ____________________ В.В. Гранев
Руководитель
Разработки,
Заместитель начальника отдела
научных исследований
производственных зданий
__________________Т.Е. Стороженко