«пассивные радиоэлементы»
Изучая типы АКТИВНЫХ ЭЛЕКТРОРАДИОЭЛЕМЕНТОВ, их особенности, следует обратить внимание на функции, которые выполняют эти элементы в электронных схемах, их конструкцию, принцип действия, основные параметры и характеристики, ВАХ этих элементов и их маркировку.
В результате изучения этого раздела студент должен знать определение предмета, его место в системе естественных и технических наук.
Необходимо уметь использовать справочные технические данные при подборе полупроводниковых изделий для схем РЭА.
При ответе на вопросы использовать свободное поле опросных листов; при выборе вариантов ответов обвести авторучкой правильный вариант
Оценка результатов:
90 – 100 % - «отлично»,
70 – 89 % - «хорошо»,
50 – 69 % - «удовлетворительно»,
менее 50% - «неудовлетворительно».
1. Каковы конструктивные особенности этих приборов и их основные технические характеристики?
6Ж7, 6Ц4П, 6Н3П
КС213Б, Д814А, АЛ102Б,
ET1103, КУ208Г, L43
7ВА7, П210, КТ315Б,
P45NO3LT
2. Какие существуют виды диодов и их условные обозначения?
3. Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках p-типа:
а. фотоны;
б. электроны;
в. дырки.
4. Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках n-типа:
а. дырки;
б. нейтроны;
в. электроны.
5. На стыке двух полупроводников разных типов образуется:
а. непроводящий слой;
б. запирающий слой;
в. валентный слой.
6. Полупроводниковый диод:
а. имеет два p-n – перехода;
б. имеет один p-n – переход;
в. не имеет p-n – переходов.
7. Прямой ток - это…
а. ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «+», а n- области к «-» источника тока;
|
|
б. ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «-», а n-области к «+» источника тока.
8. Почему диод не пропускает ток в обоих направлениях?
а. при обратном включении между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока;
б. при обратном включении источник тока не работает;
в. диод нельзя включать в обратном направлении.
9. Пробой диода наступает при:
а.превышении прямого тока;
б. достижении обратным напряжением некоторого критического значения;
в. отсутствии тока.
10. Полупроводниковый диод служит для:
а. увеличения напряжения или тока;
б. преобразования переменного тока в постоянный;
в. управления внешними устройствами.
11. Полупроводниковый диод имеет ВАХ с:
а. одной ветвью;
б. семейством ветвей;
в. двумя ветвями.
12.Полупроводниковый транзистор – это …
а.два встречно включенных диода;
б. электронный прибор, имеющий два p-n – перехода;
в. полупроводниковый нагревательный элемент.
13. Транзистор имеет структуру:
а. p-p-n;
б. p-n-p;
в. n-n-p.
14. Центральная область транзистора - …
а.коллектор;
б. эмиттер;
в. база.
15. Кроме биполярных транзисторов бывают …
а. луговые транзисторы;
б. полевые транзисторы;
в. литиевые транзисторы.
16. Биполярный транзистор считается закрытым при:
а.наличии напряжения на базе;
б. наличии напряжения на эмиттере;
в. отсутствии напряжения на базе.
17. ВАХ транзистора имеет:
а.две ветви;
б. семейство ветвей;
в. одну ветвь.
18. Какие существуют виды транзисторов по структуре и типу проводимости и их условные обозначения?
|
|
19. В чем состоит принцип действия биполярного транзистора.
20. Какие бывают схемы включения биполярных транзисторов и их основные
особенности?
а.
б.
в.
г.
д.
21. Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?
22. В чем отличие работы транзистора от динистора?
А)
Б)
В)
23. Условное обозначение, какого прибора дано: КД521Б.
а.Кремниевый стабилитрон.
б.Германиевый биполярный транзистор.
в.Кремниевый диод.
24. Какой прибор обозначен: КУ202Н
а.Триодный тиристор
б.Варикап.
в. Биполярный транзистор n-p-n.
25. За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?
а. За счёт ударной ионизации
б. За счёт внешних воздействий
в. За счёт добавления химической примеси
26. Как изменится емкость варикапа при увеличении напряжения?
а.Увеличивается
б.Уменьшается
в.Не изменяется
27. Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?
а.Фотоэлемент
б.Фотодиод
в.Фототранзистор
28. Какой полупроводниковый прибор состоит из четырех слоёв полупроводника?
а.Тиристор
б.Полевой транзистор
в.Диод
г.Биполярный транзистор
29. Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину.
а.Эмитер
б.Коллектор
в.База
30. Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?
а.
б.
в.
31. В чем различие основных характеристик МДП - транзистора со встроенным и индуцированным каналом?
32. В каком элементе полевого транзистора меньше концентрация основных носителей
|
|
а.В канале
б.В затворе
в.В переходе
33. Какой выпрямитель имеет лучшие электротехнические качества
а.Однополупериодный
б.Двухполупериодный
в.Мостовой
34. Какое устройство позволит получить на выходе источника питания постоянное напряжение с минимальным отклонением от заданного
1.Транзистор
2.Бареттер
3.Стабилитрон
35. Каково назначение делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ
а.Направляет на выход усиленный сигнал
б.Не пропускает постоянную составляющую тока
в.Задает напряжение смещение базы
36. Усилитель постоянного тока усиливает
а.Сигналы, мало изменяющиеся по напряжению и медленно по времени
б.Сигналы меняющиеся только по напряжению
в.Сигналы меняющиеся только по току
37. Сколько устойчивых состояний у симметричного триггера
а.Одно
б.Два
в.Три
38. Каковы основные логические функции
а.
б.
в.
39. Приведите и объясните несколько примеров микросхем 555 серии, которые реализуют основные логические функции
40. Какие существуют основные типы корпусов микросхем по способу присоединения к печатной плате и их особенности
а.
б.
в.
г.
д.
е.