по учебной дисциплине
«Физика твердого тела и активных элементов микросхем»
Специальность: 2-41 01 31 «Микроэлектроника»
Перечень экзаменационных вопросов:
1. Объясните, что изучает физика твердого тела и активных элементов микросхем?
2. Приведите уравнение де Бройля. Объясните принцип неопределенности Гейзенберга.
3. Объясните волновую функцию. Приведите уравнение Шрёдингера. Поясните квантовые числа. Изложите Запрет Паули.
4. Объясните строение атома, электронные оболочки и их заполнение электронами.
5. Объясните химические связи в молекулах. Охарактеризуйте аморфные и кристаллические твердые тела.
6. Объясните кристаллическую структуру твердого тела. Приведите индексы граней кристалла Миллера.
7. Охарактеризуйте энергетические зоны твердых тел: металлов, диэлектриков и полупроводников с точки зрения зонной теории.
8. Охарактеризуйте функции распределения Максвелла – Больцмана, Ферми- Дирака, Бозе-Эйнштейна. Поясните уровень Ферми.
9. Охарактеризуйте электропроводность металлов и зависимость её от температуры. Объясните явление сверхпроводимости.
10. Охарактеризуйте собственные, примесные полупроводники. Приведите их энергетические диаграммы.
11. Охарактеризуйте электропроводность собственных и примесных полупроводников. Поясните её зависимость от внешних факторов.
12. Поясните способы измерения удельного сопротивления полупроводников, типа проводимостей.
13. Охарактеризуйте электронную и ионную электропроводность диэлектриков, пьезоэффект, электрострикцию.
14. Охарактеризуйте теплопроводность, её квантовый характер. Приведите коэффициент теплопроводности.
15. Охарактеризуйте квантовый характер теплоемкости, закон Дюлонга-Пти. Поясните температуру Дебая.
|
|
16. Охарактеризуйте диффузию, законы Фика, распределение Гаусса.
17. Охарактеризуйте неравновесные носители заряда, их время жизни диффузионную длину.
18. Охарактеризуйте фотоэффект, фотопроводимость, спектр поглощения.
19. Охарактеризуйте фотогенерацию, рекомбинацию, законы Стокса и Вавилова.
20. Объясните принцип работы лазера, его применение.
21. Охарактеризуйте термоэффекты Зеебека, Пельтье, Томсона и их применение.
22. Изложите гальваномагнитный эффект Холла и его применение.
23. Охарактеризуйте магниторезистивный эффект и его применение.
24. Охарактеризуйте фотомагнитоэлектрический, фотогальванический эффекты и их применение.
25. Охарактеризуйте Эффект Ганна и его применение.
26. Охарактеризуйте эффект Джозефсона и его применение.
27. Охарактеризуйте идеальную и реальную поверхность полупроводников, её влияние на их электрические свойства.
28. Охарактеризуйте Образование поверхностного заряда, потенциала, уровня Ферми на поверхности полупроводника.
29. Охарактеризуйте физическую и химическую адсорбцию, десорбцию. Назовите центры адсорбции.
30. Охарактеризуйте поверхностную электропроводность, её зависимость от разных факторов, каналы проводимости.
31. Назовите центры поверхностной рекомбинации, объясните их влияние на электрические параметры полупроводников.
32. Охарактеризуйте классификацию тонких плёнок, перечислите общие параметры тонких плёнок, их структуру.
33. Дайте определение параметров тонких плёнок.
34. Охарактеризуйте контакт полупроводника и металла, запирающий и антизапирающий слои.
|
|
35. Объясните выпрямление на контакте полупроводника с металлом, ВАХ перехода.
36. Объясните электронно – дырочный (р – n) переход, процессы в нём.
37. Объясните устройство биполярных транзисторов.
38. Охарактеризуйте модель транзистора Эберса – Молла.
39. Объясните работу полевых транзисторов с управляющим р-n переходом. Структура интегрального МОП - транзистора.
40. Объясните зависимость параметров биполярного транзистора от температуры.
41. Охарактеризуйте коэффициенты передачи токов, эффект Эрли.
42. Охарактеризуйте переходы n – n+, p – р+, гетеропереходы, диод.
43. Объясните работу МОП транзистора.
44. Поясните методы определения времени жизни и диффузионной длины неравновесных носителей заряда.
45. Поясните влияние разных факторов на диффузионное распределение.
46. Охарактеризуйте пьезоэффект диэлектриков, электрострикцию.
47. Охарактеризуйте собственные, примесные полупроводники. Приведите их энергетические диаграммы.
48. Объясните зависимость параметров биполярного транзистора от температуры.
49. Объясните электронно – дырочный (р – n) переход, процессы в нём.
50. Объясните работу МОП транзистора.
51. Охарактеризуйте Эффект Ганна и его применение.
52. Охарактеризуйте эффект Джозефсона и его применение.
53. Охарактеризуйте термоэффекты Зеебека, Пельтье, Томсона и их применение.
54. Охарактеризуйте энергетические зоны твердых тел: металлов, диэлектриков и полупроводников с точки зрения зонной теории.
55. Объясните строение атома, электронные оболочки и их заполнение электронами.
56. Объясните химические связи в молекулах. Охарактеризуйте аморфные и кристаллические твердые тела.
Преподаватель _____________________________________ Мурашко А.В.
Рассмотрены на заседании цикловой комиссии
Протокол №___ от «___» ________________20__ г
Председатель цикловой комиссии ______________________ Тарасова Е.И.