Обработка результатов эксперимента.

Все характеристики ПТ снимаются с помощью лабораторного стенда LESO 3.

Порядок выполнения работы

Передаточные характеристики полевого транзистора.

1.1. Соберите схему исследования передаточных характеристик ПТ (Рис. 2).

Рисунок 2. Схема исследования характеристик ПТ

1.2. Экспериментальным путем определите напряжение отсечки U_з0 и начальный ток стока I_c0. Для этого следует установить с помощью источника E1 напряжение на затворе 0 В и напряжение на стоке 10 В. Напряжение на стоке устанавливается регулятором E2. Напряжение на затворе контролируется вольтметром V1, напряжение на стоке вольтметром V2. По миллиамперметру mA1 определить начальный ток стока I_c0.

Плавно увеличивая отрицательное напряжение на затворе с помощью регулятора E1 добиться падения тока стока (контролируется по mA1) до ~10 мкА. При необходимости можно переключить шунт амперметра для измерения микротоков, для этого следует нажать кнопку . Показание вольтметра V1, при котором ток стока уменьшится до ~10 мкА, будет соответствовать напряжению отсечки.

1.3. Построение семейства передаточных характеристик I_c = f(U_зи).

Установите по вертикальной оси графопостроителя mA1, а по горизонтальной V1. По вертикальной оси установите диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10мА; по горизонтальной оси левый предел следует выбрать исходя из напряжения отсечки (рекомендуется округлить U_з0 в большую сторону), а правый предел установить 1В. Изменяя напряжение на затворе с помощью регулятора E1 в диапазоне от U_з0 до 0,5 В получите график передаточной характеристики полевого транзистора для Uси =10В. Для получения семейства передаточных характеристик проделайте то же для значений Uси = 3; 1; 0,5В.

1.4. Нарисуйте семейство ВАХ на миллиметровке.

Выходные характеристики полевого транзистора.

2.1. Соберите схему исследования выходных характеристик, аналогичную предыдущей схеме (см. рисунок 2).

2.2. Установите диапазон регулирования источника E1 U_з0..+1 В, источника E2 0..+10 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V2, диапазон: левая граница 0, правая граница +10 В. Пределы вертикальной шкалы можно скорректировать после измерения характеристик.

2.3. Снять семейство выходных характеристик полевого транзистора I_с = f(U_СИ) для различных фиксированных напряжений затвора U_зи.

Рекомендуется выбрать: U_зи1 = 0 В, U_зи2 = 0,2•U_з0, U_з3 = 0,4•U_з0, U_зи4 = 0,6•U_з0, U_зи5 = 0,8•U_з0, U_зи6 = U_з0. Выходная характеристика получается путем регулирования E2 от 0 до 10 В.

2.4. Нарисуйте семейство ВАХ на миллиметровке.

Обработка результатов эксперимента.

3.1. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора по его характеристикам (см. Приложение):

а) Крутизну передаточной характеристики:

S=(ΔI_C)/(ΔU_ЗИ), мА/В при ΔU_СИ=0 (U_СИ=const);

r_i = (ΔU_СИ)/(ΔI_C), Ом при ΔU_ЗИ =0 (U_ЗИ =const);