ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)




ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

ЗиВФ

Кафедра радиоэлектроники и защиты информации

 

Расчет оконечного каскада широкополосного усилителя

 

Контрольная работа

по дисциплине «Схемотехника аналоговых электронных устройств»

Вариант 3

 

Выполнил: студент гр. З-49

________Луговой А.В.

 

Проверил:

________Л.И. Шарыгина

 

 

 

Содержание

1. Техническое задание задачи №1……………………………………..3

2. Принципиальная схема каскада………………..…………………...3

3. Выбор транзистора и положения рабочей точки………………….4

4. Построение нагрузочных прямых постоянного и переменного тока……………………………………………………………………...7

5. Определение коэффициент усиления каскада……………………10

6. Определение искажений входной и выходной цепей на верхних частотах………………………………………………………………..12

7. Сквозная динамическая характеристика каскада……………….13

8. Расчет температурного ухода коллекторного тока………………14

9. Распределение искажений нижних частот………………………...17

10. Расчет переходной характеристики в области малых времен….18

11. Заключение…………………………………………………………….19

12. Техническое задание задачи №2…………………………………….20

13. Список используемой литературы………………………………….22

Задача №1. Расчет оконечного каскада импульсного усилителя на биполярном транзисторе

Таблица 3.2

Варианты исходных данных для расчета оконечного каскадаимпульсного усилителя

  № Ампл. выход.напр. U вых, В Нагрузка Искажения импульсов Сопр. источ. Ri, Ом Скважн. импуль- сов, Q Полярность вход/выход и длительн. в мкс
R н, Ом С н, пФ , Нс спад Δ, %
                +/- 100

 

2. Принципиальная схема каскада показана на рисунке 1.

Рисунок 1. Принципиальная схема оконечного каскада импульсного

усилителя.

 

Назначение элементов:

Ср1- разделительная емкость, осуществляет развязку по постоянному току базовой цепи транзистора с источником сигнала.

Rб1, Rб2 – резисторы базового делителя, задающие режим работы транзистора по постоянному току.

Rк – сопротивлениеколлекторной цепи, обеспечивающеезаданныйтокколлектора.

VT - транзистор, активный элемент усилителя.

Rос - сопротивление обратной связи, служит для задания и стабилизации положения рабочей точки.

Rэ – сопротивление эмиттерной цепи, служит для задания рабочей точки.

Сэ – емкость, шунтирующая Rэ, увеличивает коэффициент усиления в области ВЧ.

Ср2- разделительная емкость, осуществляет развязку по постоянному току коллекторной цепи транзистора с нагрузкой.

Е - источник питания.

 

 

3. Выбор транзистора и положения рабочей точки

Выбор типа транзистора осуществляется по трем основным параметрам: граничной частоте (), максимально допустимому напряжению коллектор–эмиттер () и максимально допустимому току коллектора ().

 

Для граничной частоты транзистора должно выполняться условие:

,

где – заданное время установления усилителя.

Гц

Для максимально допустимого напряжения коллектор–эмиттер транзистора должно выполняться условие:

,

где – коэффициент запаса; – амплитуда импульса напряжения на нагрузке; – минимальное напряжение коллектор–эмиттер.

Выберем и =2В, тогда:

 

 

 

Для выбора транзистора по максимально допустимому току коллектора необходимо определить величину импульса тока коллектора .Предварительно выбираем величину сопротивления вцепи коллектора из условия , кОм.

 

Ток покоя (коллекторный ток в рабочей точке при отсутствии сигнала) для маломощных каскадов выбирается в пределах мА

A= 52 mA

Необходимый импульс коллекторного тока:

при <10.

 

 

Этим требованиям отвечает транзистор КТ610А структуры n-p-n. Данный транзистор имеет необходимый запас по току и напряжению и большойзапас по граничной частоте. Перечень основных параметров транзистора приведен в таблице 1.

Таблица 1. Основные электрические параметры транзистора КТ315А

Наимено-вание Обозначение При значении Значения
Емкость коллекторного перехода 2÷4,1 пФ
Емкость эмиттерного перехода 21 пФ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 50÷300
  Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ 1000 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на ВЧ 21÷55 пс
Постоянный ток коллектора   300 мА
Температура перехода   150 °С
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Т=-45÷+50 °С Т=+85 °С 1,5 Вт 1 Вт
Постоянное напряжение коллектор – база   26 В
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер 26 В
Температура окружающей среды   25оС
  Обратный ток коллектор-эмиттер     0,5 мА 1,5 мА

 

Значения g – параметров транзистора измерены при и

 

4. Построение нагрузочных прямых постоянного и переменного тока Вначале нанесем гиперболу рассеиваемой мощности на семейство выходных характеристик транзистора (рис. 2). Расчетные точки помещены в таблицу.

.

U КЭ, В              
I К, мА   37.5   18.75   12.5  

 

Ток коллектора в рабочей точке () должен удовлетворять условию

.

где

Кроме того, с позиции обеспечения стабильности режима работы транзистора его ток покоя не должен быть меньше 1...5 мА

Напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке :

 

Выбираем ток коллектора в рабочей точке мА, напряжение коллектор-эмиттер .На семействе выходных статических характеристик транзистора, рис. 2, через точки с координатами А=(, ) и В=(, ) проводимнагрузочную прямую по переменному току.

 

Рис. 2

Координаты рабочей точки А:

= 5В,

мА

мкА

Нагрузочная прямая лежит ниже гиперболы максимальной рассеиваемой мощности.

По нагрузочной прямой по переменному току уточняем :

Ом

Уточняем :

Выбираем стандартное значение – 330 Ом

Определяем напряжение питания каскада:

,

где – коэффициент, определяющий величину падения напряжения на сопротивлении обратной связи . Выбираем и определим :

Выбираем стандартное значение – 15В

 

Величина сопротивления :

Ом.

Выбираем стандартное значение – 270Ом

 

Нагрузочная прямая по постояному току определяется уравнением

и проходит через точки мА

и В

 

Выберем ток базового делителя из условия:

мА

Используя семейство входных статических ВАХ транзистора, находим напряжение база–эмиттер в рабочей точке (рис. 3).

 

Рис. 3. Входные статическиеВАХ транзистора

В

Ннайдем сопротивления резисторов делителя:

Ом

Ом

Выбираем стандартные значения:

кОм кОм

 

5. Определение коэффициента усиления каскада

Построимдинамические характеристики каскада, используя рисунки 2 и 3.

Таблица2

         
  16.5      
0,67 0,75 0,8 0,83 0,93
0,68 0,77 0,83 0,87 0.98
  7.2 5.3 3.3  

 

Рис.3. Динамическая характеристика каскада

Аналитически:

Коэффициент передачи тока

Входное сопротивление:

Ом

Крутизна коллекторного тока:

А/В

Коэффициент усиления:

Коэффициент передачи входной цепи на средних частотах:

Сквозной коэффициент усиления каскада:

.

 

6. Определение искажений входной и выходной цепей на верхних частотах

Емкость перехода база-коллектор: пФ

 

Постояннаявремени транзистора:

нс

Постоянная времени выходной и входной цепи:

,

где пФ

нс

 

Время нарастанияфронтаимпульса

нс

нс

«суммарное» время нарастания

нс

 

 

7. Сквозная динамическая характеристика каскада и коэффициентгармоник

Сквознаядинамическая характеристика строится по даннымтаблицы2.

Рис.4 Сквознаядинамическая характеристика

 

Амплитуды гармоник:

Коэфициент гармоник

 

8. Расчет температурного ухода коллекторного тока

Рассчитаем величину относительной нестабильности тока коллектора:

,

где – абсолютное изменение тока коллектора при изменении температуры кристалла транзистора; – абсолютное изменение напряжения база–эмиттер при изменении температуры перехода на величину ; – абсолютное изменение обратного тока коллекторного перехода при изменении температуры; , – коэффициенты, учитывающие работу схемы эмиттерной стабилизации тока коллектора транзистора; – общее сопротивление в цепи базы; и g -параметры транзистора в рабочей точке при комнатной температуре; - максимальная температура перехода.

 

Средняя мощность при усилении импульсного сигнала:

 

Вт

 

 

Максимальная температура перехода транзистора:

град

 

Минимальная температура перехода:

град

Величину определяем по типовой нормированной зависимости обратного тока коллекторного перехода от температуры, приведенной на рис.5, где – обратный ток коллектора при температуре перехода ; – обратный ток коллектора при комнатной температуре (обычно указывается в справочнике); зависимость 1 соответствует кремниевым транзисторам малой мощности (); зависимость 2 соответствует кремниевым транзисторам средней мощности .

 

Рис.5. Типовые нормированные зависимости обратного тока
коллекторного перехода от температуры

 

Для , значит мкА.

Для , значит мкА

мкА

В

Ом

 

Параметры и , усредненные за время действия импульса,найдем используя справочные параметры и :

мСм

 

А/В

 

 

 

 

Относительная нестабильность не превышает величину 0.25, значит рабочая точка и элементы стабилизации её положения выбраны верно.

 

 

9. Распределение искажений нижних частот

Величина разделительной емкости:

где - сопротивления слева и справа от соответствующей разделительной емкости.

Для это и входное сопротивление каскада с учетом делителя в цепи базы.Для это и параллельное включение выходного сопротивления транзистора () и .

 

Ом

Ф= мкФ

принимаем 20мкФ

 

Ф=8.4мкФ

принимаем 10 мкФ

 

 

 

10. Расчет переходной характеристики в области малых времен

Нормированная переходная характеристика в области малых времен описывается выражением:

где нс

 

Рис.6. Переходная характеристика

 

 

11. Заключение

 

Задача №2

Принципиальная схема двухкаскадного усилителя, где оба каскада охвачены последовательной отрицательной обратной связью по напряжению, при­ведена на рис.7.

 

 

Рис.7. Усилитель с последовательной ООСпо напряжению.

 

Часть выходного напряжения посредством делителя напряжения и подается во входную цепь первого каскада последова­тельно и в противофазе с входным сигналом. Кроме этой глубокой обратной связи, охватывающей два каскада усилителя, в схеме имеются местные об­ратные связи: первый каскад охвачен последовательной отрица­тельной обратной связью по току, а во втором каскаде имеет место параллельная отрицательная обратная связь по напряжению как по переменной, так и по постоянной составляющим через резистор .

 

Uос=Uвых(Rэ1/ Rэ1+Rос).

 

Рис. 8. Усилитель с параллельной обратной связью по току.

 

В схеме усилителя рис. 8 присутствует общая отрицательная обратная связь по току. Ток нагрузки, протекая через сопротивление создает на нем падение напряжения, которое через резистор подается во входную цепь первого каскада параллельно и в противофазе с входным сигналом..

 

 

 

 

 

 

Список использованных источников

 

1Красько А.С.Аналоговые электронные устройства: Методические указания по курсовому проектированию. – Томск: ТУСУР, 2000.-42с.: ил.

2 Шарапов А.В. Аналоговаясхемотехника: Учебное пособие. – Томск: ТМЦДО, 2003.-128с.

3 Резисторы: Справочник / В.В. Дубровский, Д.М. Иванов, Н.Я. Пратусевич и др., Под ред. И.И. Четверткова и В.М. Терехова. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.

4 “Транзисторы для аппаратуры широкого применения” под редакцией Перельмана Б.Л., М, «Радио и связь» 1982 г.

5 Справочник В.М. Петухов «Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги» Т. 4 – М.:КУбК-а, 1997. – 544с.: ил.

 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-04-11 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: