1. Запустить программу путем открытия файла «Микросхемы с импульсными источниками.exe».
2. В появившемся окне меню-заставки выбрать «Плоский источник ».
3. Для продолжения нажать кнопку «ОК », для выхода из программы нажать кнопку «Выход ».
4. В появившемся окне для ввода данных (рис. 3) согласно варианту необходимо:
а) выбрать материалы: подложки, кристалла и корпуса;
б) последовательно ввести все остальные параметры.
Варианты лабораторных заданий выбираются из табл. 1 и 2 согласно последней цифре номера зачетной книжки.
Рисунок 3 – Окно ввода данных для плоского источника
Таблица 1 – Варианты лабораторных заданий
| № Варианта | № набора мат-лов | Параметры | ||||||
| t0, 0С | Ф, Вт | tи, мс | А, мм2 | d, мм | h, мм | r, мм | ||
| 0,8 | 1,5 | 0,1 | 0,98 | |||||
| 0,1 | 0,5 | 0,2 | 0,6 | 0,4 | ||||
| 0,4 | 1,6 | 3,1 | ||||||
| 2,5 | 0,9 | 0,3 | 2,8 | |||||
| 0,5 | 1,5 | 0,2 | 0,5 | 0,7 | ||||
| 0,01 | 0,4 | 0,7 | 0,8 | |||||
| 1,5 | 0,5 | 0,25 | 1,5 | 1,78 | ||||
| 0,05 | 0,3 | 0,4 | 0,56 | |||||
| 0,3 | 0,35 | 0,8 | 1,26 | |||||
| 0,15 | 1,2 | 2,5 |
Таблица 2 – Наборы материалов
| Элемент | Материал | № набора материалов | |||||||||
| Подложка | Алюминий | + | + | ||||||||
| Керамика | + | + | |||||||||
| Кремний | + | ||||||||||
| Медь | + | + | |||||||||
| Ситалл | + | + | + | ||||||||
| Кристалл | ArGa | + | + | + | |||||||
| Ge | + | + | + | ||||||||
| Si | + | + | + | + | |||||||
| Корпус | Воздух | + | + | ||||||||
| Компаунд | + | + | + | + | |||||||
| Стирол | + | + | + | + |
5. Нажать кнопку «График ».
6. В появившемся окне вывода графика выбрать нужную зависимость.
7. Нажать на кнопку «Построить ».
8. Повторить пункты 6 и 7 для всех подпунктов лабораторного задания.
Кнопка «Очистить » служит для очистки поля вывода графика
2.2 Задание №2. Для источника энергии в форме круга получить графики зависимости:
1) температуры от длительности действия импульса, Т(tи);
2) температуры от площади источника, Т(А);
Методические указания для выполнения задания №2
1. Вернуться в меню-заставку путем нажатия кнопки «Назад».
2. Выбрать «Источник энергии в форме круга радиусом r».
3. Построит графики зависимостей аналогично пунктам 3 – 8 методических указаний для выполнениязадания №1.
Примеры графиков зависимостей обоих заданий приведены на рис. 4 – 7.
 |
 |
  |
  |
СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
1. Название и цель работы.
2. Краткие теоретические сведения.
3. Исходные данные и полученные графики.
4. Объяснить характер зависимостей в каждом случае.
5. Выводы по каждому заданию и по работе в целом.
ЛИТЕРАТУРА
1. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. Учебник для вузов по спец. «Конструир. и произв. радиоаппаратуры». – М.: Высш. шк., 1984. - 247 с., ил.
2. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М., 1967.
3. Дульнев Г.Н., Семяшкин Э.М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. Л., 1969.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ В ИМПУЛЬСНОМ
РЕЖИМЕ РАБОТЫ
Методические указания
к лабораторной работе по курсу
«Теплофизическое проектирование РЭС» для студентов
специальности 200800 «Проектирование и технология
радиоэлектронных средств» всех форм обучения
Составители: Макаров Олег Юрьевич
Муратов Александр Васильевич
Редактор
ЛР № XXX от XX.XX.XX. Подписано в печать XX.XX.XX
Формат 60´84/16. Бумага для множительных аппаратов.
Усл. печ. л. XX Уч. изд. л. XX Тираж XX экз. Заказ №XXX.
Издательство Воронежского государственного
технического университета
394026 Воронеж, Московский проспект, 14