Проектирование структурной схемы усилителя мощности




Современный уровень развития РЭА и ее элементной базы позволяет в настоящее время создавать полностью твердотельные УКВ ЧМ и телевизионные передатчики с выходной мощностью до 5кВт. Усилительные тракты на основе широкополосных транзисторных усилителей имеют ряд преимуществ по сравнению с ламповыми. Твердотельные передатчики более надежны, электробезопасны, удобны в эксплуатации и легче в производстве.

Выходные усилители ТВ передатчиков выполняются при этом по блочно-модульному принципу. Радиочастотный тракт усилителя состоит из нескольких независимых усилительных модулей – блоков усилителей мощности (БУМ), работающих на устройство сложения.

Типовая структура такого усилителя содержит неразветвленный тракт усиления (ТУ), блок деления мощности (БДМ), усилительные модули (ОУi), блок сложения мощностей (БСМ).

Рис.1. Структура усилительного тракта

На практике в качестве БДМ и БСМ чаще используют квадратурные мостовые схемы. При этом применяют метод попарного объединения сигналов, так как в этом случае суммируются мощности однотипных усилителей, что технически легче реализовать. Однако количество объединяемых модулей в этом случае кратно 2n, где n=1,2,3,... и, зачастую, превышает необходимое количество.

На рис.2 представлена структурная схема усилителя, построенного на четырех усилительных модулях.

Рис.2. Мостовая схема сложения на квадратурных мостах

При блочно-модульной конструкции передатчика отказ одного из блоков оконечного усилителя не приводит к срыву эфирного вещания, поскольку передача будет продолжаться до замены блока, только с пониженной мощностью. Кроме того, широкополосный тракт транзисторного усилителя не требует дополнительной настройки на конкретный канал в пределах рабочей полосы частот.

Принято считать, что надежность передатчика зависит, прежде всего, от надежности применяемых активных компонентов. Благодаря применению современных мощных линейных СВЧ транзисторов, конструктивные особенности и технология изготовления которых обеспечивают существенное увеличение их времени наработки на отказ, вопрос повышения надежности твердотельных передатчиков получил принципиальное решение.

В настоящее время обеспечен широкий выбор транзисторов (биполярных и MOSFET), на базе которых могут быть построены модули с выходной мощностью 300-350 Вт. В современных передатчиках все чаще применяются транзисторы серии MOSFET. Например, это транзисторы MRF150G (Motorola) и BLF278 (Philips).

Решение задачи проектирования структуры усилительного тракта включает:

· определение расчетных значений мощностей оконечного и предоконечных усилителей;

· выбор приборов для этих усилителей;

· определение способа получения нужной мощности от вы­бранных приборов меньшей мощности;

· выбор схем включения приборов и режимов усилителей;

· установление коэффициентов усиления мощности оконеч­ного и предоконечного усилителя;

· выбор напряжений питания для используемых приборов.

Расчет усилителя начинается со стороны антенны, с оконечного усилителя. Считаем, что мощность на выходе возбудителя (на входе усилительного тракта) соответствует 100мВт.

Расчетное значение мощности усилителя находят по заданной мощности на главном фидере и потерь в линейном тракте:

Р1 = k З Р1 ном.

Потери учтены с помощью коэффициента запаса k З. Предлагаем принять этот коэффициент равным 1,2-1,3.

Выбор приборов. Справочные данные приборов, рекомендуемых для проектирования, представлены в табл.2-3. Определяю­щими выбор прибора факторами являются мощность усилителя и диапазон час­тот, в котором он работает.

Приборы, пара­метры которых даны в первых трех строках табл.2, требуют вклю­чения на входе цепей кор­рекции АЧХ. Остальные имеют малую неравномерность частотной зависимости коэффициента усиления мощности, корректирующие цепи которых являются частью самого прибора.

Таблица 2

Прибор Схема включе­ния P ~, Вт Е к, В k уР, раз Диапазон частот
  КТ9116А ОЭ       I - V
  КТ9116Б ОЭ       I - III
  КТ9133А ОЭ     5,6 I - III
  КТ962В ОЭ     40/10 I-II / III
  2Т950А ОЭ     8,4 I - II
  КТ971А ОЭ     20/10 I-II / III
  КТ985АС ОЭ       IV - V
  КТ9104А ОБ       IV - V
  КТ9104Б ОБ       IV - V
  КТ991АС ОБ       IV - V
  КТ9101АС ОБ       IV – V
  КТ9105АС ОЭ       IV – V
  КТ9132АС ОБ       I - V

Таблица 3

Прибор P ~, Вт Е и, В k уР, дБ Диапазон частот, МГц
  BLF861A       470-860
  BLF647       1,5-800
  BLF872       470-860
  MRF377       470-860

Имея в виду сказанное выше, выбирают приборы для оконеч­ного усилителя. Это всегда приборы одной модификации. У нас принято использовать номинальную мощность приборов полно­стью, хотя это и необязательно. Целесообразность сделанного вы­бора по­веряют определением коэффициента использования уста­новленной мощности:

где Р~ ном РС - номинальная мощность радиостанции,

N - число выбранных приборов,

Р~ ном пр - номинальная мощность прибора по справочным данным.

Оптимальное значение коэффициента kР уст лежит в интервале от 0,8 до 1,0. Выбрав прибор, сле­дует указать ближайшие к нему по мощности. Для выбранного при­бора приводят его параметры, указанные в справочных дан­ных.

Схема включения приборов. Схему включения транзистора указывают в справочных дан­ных, она определена конструктивным выполнением прибора.

Определение способа получения нужной мощности усилителя. Эта проблема возникает, когда требуемую мощность дают несколько однотипных приборов (N >1). Сложение их мощностей выполняют с помощью мостовых схем. Устанавливают необходимое число мос­тов сложения и способ их соединения. Многомодульные схемы предпочтительно строить на четном числе приборов, удовлетво­ряющем условию N = 2 k, где k - число натурального ряда 1, 2, 3, … В этом случае применяют попарное суммирование мощностей на уни­фицированном для данного устройства элементе. Многополюсные сумматоры эффективнее, чем попарные, но их применение пока ог­раничено. В курсовом проектировании огра­ничимся данной выше рекомендацией.

Выбор режима усилителя и угла отсечки тока. Усиление колебаний с переменной амплитудой в каскадах на тран­зи­сторах выполняют в недонапряженном (ξ<ξгр) режиме, где первая гармоника выходного тока чувствительна к изменениям возбуж­даю­щего прибор напряжения. Уровень нелинейных искажений ми­нимален при двух значениях угла отсечки тока: θ=90˚ (режим В) и θ=180˚ (режим А). Первый дает больший в 1,57 раза электрон­ный КПД и применяется в мощных усилителях. Второй исполь­зуют в каскадах малой мощности, когда значение их η е существен­ной роли в потребляемой радиостанцией мощности не играет. Транзисторы, работая в классе А, вносят существенно меньше искажений, чем в классе В, благодаря меньшим в этом случае вариа­циям их парамет­ров.

Определение напряжений питания. Получение от прибора номи­нальной или близкой к ней мощности требует применения номи­нальных напряжений питания. Когда возможности прибора ис­поль­зуют лишь частично (kР уст ≤ 0,9), рекомендуют уменьшить на­пряже­ние питания выходного электрода, приняв

Е п = Е п ном Р~ / Р~ ном,

где Е п ном и Р~ ном - номинальные напряжения питания и мощ­ность прибора, а Р~ - расчетная мощность усилителя (на один при­бор).

Результаты проектирования структурной схемы необходимо представить в виде табл.4. В тексте пояснительной записки дают обоснование всех данных в ней параметров оконечного и предоконечных усилителей.

Таблица 4

ПАРАМЕТРЫЭЛЕМЕНТОВ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫУМ

Назначение каскада Усилитель
оконечный предоконечный 1 предоконечный i
Номинальная выходная мощность, Р ~, Вт      
Расчетная мощность, Р ~= k з Р ~, Вт      
Число и мощность установленных приборов      
Коэффициент использования установленной мощности      
Схема включения активных элементов      
Режим работы (x)      
Угол отсечки тока      
Коэффициент усиления мощности      
Напряжение питания коллектора (истока)      

Проектирование транзисторного УМК.

Включает определение режима транзистора, расчет согласующих входной и нагрузочной цепей. Строгий расчет требует применения ЭВМ и знания параметров всех элементов эквивалентной схемы прибора. На практике разработчики передающего устройства пользуются сведениями из справочных данных приборов.

Расчет режима. В качестве исходных данных к расчету режима выбирают:

· мощность в нагрузочной цепи – P~ ;

· угол отсечки тока коллектора – θ;

· напряжение питания коллектора – Ек .

Угол отсечки тока θ и напряженность режима выбирают, руководствуясь приведенными выше соображениями. Примем θ = 90˚ и ξ ⁄ ξгр ≤ 0,9.

Расчет коллекторной цепи:

1. Амплитуда переменного напряжения Uк макс ≤ 0,8 Ек, что обеспечивает работу в недонапряженном режиме при допустимой нелинейности СМХ.

2. Амплитуда первой гармоники тока коллектора:

3. Постоянная составляющая тока коллектора:

где α0 и α1 – коэффициенты разложения косинусоидального импульса, для θ = 90˚ имеем α0 = 0,32 и α1 = 0,50.

4. Подводимая к коллектору мощность: Pк0 = Eк Iк0.

5. Электронный КПД коллекторной цепи:

6. Сопротивление нагрузки:

Расчет входной цепи. Коррекцию частотных характеристик входных цепей транзисторов выполняют так, что во всем рабочем диапазоне частот допустимо принять коэффициент передачи тока h21оэ≈1,5-3. Увеличение значения h21оэ по мере увеличения частоты компенсируют увеличением потерь во входной цепи, удерживая коэффициент усиления мощности приблизительно постоянным.

Исходные данные к расчету:

· мощность в коллекторной нагрузке P~;

· первая гармоника и постоянная составляющая тока коллектора Iк1 и Iк0;

· коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ на верхней частоте диапазона h21оэ;

· коэффициент усиления мощности k уР.

Расчет входной цепи:

1. Амплитуда первой гармоники тока базы: Iб1 = Iк1/h21оэ.

2. Мощность возбуждения: P~ возб = P~ / k уР.

3. Входное сопротивление:

схема с ОЭ

схема с ОБ

Полученные значения r к и r вх не учитывают влияние обратных связей через емкости перехода коллектор-база и индуктивность вывода эмиттера или базы в зависимости от схемы включения. В схеме с ОЭ обратная связь приводит к передаче части входной мощности в нагрузку, а в схеме с ОБ создает положительную обратную связь. Учтем эти особенности работы приборов, приняв в схеме с ОЭ r вх в 1,3-1,5 раза больше, чем рассчитанное выше, а в схеме с ОБ во столько же раз меньшим.

4. Постоянная составляющая тока базы: Iб0 = Iк0 /h21оэ.

5. Напряжение смещения на базе (эмиттере): Еб0 ≈ Еб = 0,7 – 1,0В. Его подбирают при регулировке режима по минимуму нелинейных искажений.

Проверку рассеиваемых в транзисторе мощностей делать не будем. При выбранных нами параметрах P~, P~ возб и Ек в этом нет необходимости, поскольку они основаны на экспериментальных справочных данных.



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2019-10-17 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: