СБОРНИК ТЕСТОВ ИТОГОВОГО КОНТРОЛЯ
По дисциплине
“ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”
(4 семестр)
Севастополь
681.142011.56
П -883
УДК 681.142.0116(075.8)
Петров С. В., Быковский Ю. М., Вакаев Б. Н.
П-883 Сборник тестов итогового контроля по дисциплине «Основы электроники».
Учеб. пособие для очной и заочной форм обучения.
- Севастополь: СНУЯЭи П, 2012. - _ 39 _с: ил.
Предназначено для студентов по направлению подготовки
0507 «Электротехника и электромеханика ».
© Издание СНУЯЭиП, 2012
ОГЛАВЛЕНИЕ
Перечень тестов итогового контроля 4
Литература 39
ПЕРЕЧЕНЬ ТЕСТОВ ИТОГОВОГО КОНТРОЛЯ
| № п/п | Вопрос | Ответы | |||
| Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух последовательно соединенных резисторов? | Прав1-С большим сопротивлением 2-С меньшим сопротивлением | ||||
| Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух параллельно соединенных резисторов? | 1-С большим сопротивлением Прав 2-С меньшим сопротивлением | ||||
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
| Прав 1- 
2- 
3- 
| ||||
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
| 1-
Прав 2-
3-
| ||||
| Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 Ом? | 1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м | ||||
| Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 кОм? | 1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м | ||||
| Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 МОм? | 1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м | ||||
 Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет
| 1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт | ||||
 Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет
| 1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт | ||||
 Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет
| 1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт | ||||
| Резистор, с какой номинальной мощностью рассеивания необходимо выбрать, если на нем при работе выделяется мощность 0,3 Вт? | 1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт | ||||
 Какой способ включения переменного резистора здесь представлен
| 1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение | ||||
Какой способ включения переменного резистора здесь представлен 
| 1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение | ||||
 Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения?
| 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Как указываются позиционное обозначение и номиналы резисторов на принципиальных схемах? | 1- 1R 2,2 кОм 2- R2 2200 Ом 3- 4,7 к 3R 4- R8 6,8 к | ||||
| Каким образом указывается номинальное сопротивление на корпусе малогабаритного резистора с R = 6, 8 Ом? | 1- 68 R 2- 6,8R 3- 6R8 4- R68 | ||||
| Какой из резисторов является переменным? |  1-
2-
| ||||
| Какой из резисторов является подстроечным? | 1-
2-
| ||||
| Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для резистора? |  1-
2-
3-
| ||||
| Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для конденсатора? | 1-
2-
3-
| ||||
| Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для индуктивности? | 1-
2-
3-
| ||||
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
| 1- 
2- 
3- 
| ||||
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
| 1-
2-
3-
| ||||
| Как определяется емкостное сопротивление конденсатора? | 1- 
2- 
| ||||
| Как определяется индуктивное сопротивление индуктивности? | 1- 
2- 
| ||||
| Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 1 nF? | 1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 | ||||
| Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 10 nF? | 1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 5- 0,01 мк 6- 1 мк | ||||
| Каким образом указывается номинальная емкость на корпусе малогабаритного конденсатора с С = 6, 8 мкФ? | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Емкость конденсатора определяется по формуле | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Ток, протекающий через конденсатор определяется по формуле | 1- 
2- 
3- 
| ||||
 Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения?
| 1- 
2- 
3- 
| ||||
 Какая из приведенных схем является схемой замещения резистора?
| 1- А) 2- Б) 3- В) | ||||
 Какая из приведенных схем является схемой замещения конденсатора?
| 1- А) 2- Б) 3- В) | ||||
| Какая из приведенных схем является схемой замещения индуктивности?
| 1- А) 2- Б) 3- В) | ||||
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
| 1- 
2- 
3- 
| ||||
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
| 1-
2-
3-
| ||||
| Э.Д.С. самоиндукции, возникающая в катушке индуктивности, определяется по формуле | 1- 
2- 
3-
4- 
| ||||
 Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из
| 1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита | ||||
 Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из
| 1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита | ||||
| Электропроводность полупроводников | 1- значительно выше проводников 2- значительно ниже диэлектриков 3- занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками | ||||
| Проводимость полупроводников сильно зависит от | 1- температуры окружающей среды 2- уровня излучения, воздействующего на полупроводники 3- не зависит от температуры и излучения 4- температуры окружающей среды и уровня излучения, воздействующего на полупроводники | ||||
| При T = 0 0 K полупроводник становится | 1- диэлектриком 2- проводником | ||||
| Дырка – это | 1- разорванная ковалентная связь 2- восстановленная ковалентная связь | ||||
| Процесс генерации пар - это | 1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей | ||||
| Процесс рекомбинации пар - это | 1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей | ||||
| При одинаковой температуре электропроводность больше у | 1- проводников 2- полупроводников | ||||
| Собственная проводимость полупроводников играет положительную роль у | 1- диодов 2- транзисторов 3- полупроводниковых резисторов | ||||
| Ток дрейфа возникает в полупроводнике | 1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля | ||||
| Ток диффузии возникает в полупроводнике | 1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля | ||||
| Направление тока дрейфа в чистом полупроводнике совпадает | 1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов | ||||
| Сурьма (Sb) – является | 1- донорной примесью 2- акцепторной примесью | ||||
| Индий (In) – является | 1- донорной примесью 2- акцепторной примесью | ||||
| Примесь сурьмы (Sb) – создает полупродводник | 1 - n – типа 2 - p - типа | ||||
| Примесь индия (In) – создает полупродводник | 1- n – типа 2- p - типа | ||||
| В полупроводнике n – типа основными носителями заряда являются | 1- электроны 2- дырки | ||||
| В полупроводнике p – типа основными носителями заряда являются | 1- электроны 2- дырки | ||||
| В полупроводнике n – типа неосновными носителями заряда являются | 1- электроны 2- дырки | ||||
| В полупроводнике p – типа неосновными носителями заряда являются | 1- электроны 2- дырки | ||||
| Температура нагрева полупроводника кремния не должна превышать | 1- 80 ОС 2- 100 ОС 3- 150 ОС 4- 200 ОС | ||||
| p-n переход можно получить | 1- металлургическим путем 2- путем диффузии примеси из газовой среды 3- металлургическим путем и путем диффузии примеси из газовой среды 4- путем обычного соприкосновения областей p – и n - типа | ||||
| Ток диффузии в p-n переходе образован | 1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда | ||||
| Ток дрейфа в p-n переходе образован | 1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда | ||||
| Ток диффузии в p-n переходе совпадает | 1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов | ||||
| Запирающий слой p-n перехода является | 1- диэлектриком 2- проводником 3- полупроводником | ||||
| За счет чего в p-n переходе образуется внутреннее электрическое поле? | 1- За счет электронов 2- За счет дырок 3- За счет нескомпенсированных зарядов неподвижно закрепленных ионов примеси в запирающем слое | ||||
| Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны p- области? | 1- минус 2- плюс | ||||
| Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны n- области? | 1- минус 2- плюс | ||||
| Внутреннее электрическое поле p-n перехода | 1- способствует диффузии основных носителей заряда 2- препятствует диффузии основных носителей заряда | ||||
| Направление тока дрейфа p-n перехода | 1- противоположно направлению тока диффузии 2- совпадает с направлением тока диффузии | ||||
| От чего зависит величина тока дрейфа p-n перехода? | 1- от величины приложенного электрического поля 2- от температуры кристалла полупроводника | ||||
| Ток насыщения неосновных носителей p-n перехода -это | 1- ток дрейфа 2- ток диффузии | ||||
| Контактная разность потенциалов для кремния равна | 1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В | ||||
| Контактная разность потенциалов для германия равна | 1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В | ||||
| Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от контактной разности потенциалов | 1- зависит 2- не зависит | ||||
| Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от приложенного внешнего напряжения | 1- зависит 2- не зависит | ||||
| При прямом включении p-n перехода плюс источника питания подключен к | 1- p – области 2- n - области | ||||
| При обратном включении p-n перехода плюс источника питания подключен к | 1- p – области 2- n - области | ||||
| При прямом включении p-n перехода толщина запирающего слоя | 1- увеличивается 2- уменьшается | ||||
| При обратном включении p-n перехода толщина запирающего слоя | 1- увеличивается 2- уменьшается | ||||
| При прямом включении p-n переход считается | 1- открытым 2- закрытым | ||||
| При обратном включении p-n переход считается | 1- открытым 2- закрытым | ||||
Величина прямого тока через p-n переход при  определяется по формуле
| 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Величина обратного тока через p-n переход определяется по формуле | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Сопротивление закрытого p-n перехода | 1- велико 2- мало | ||||
| Сопротивление открытого p-n перехода | 1- велико 2- мало | ||||
| Электрический пробой p-n перехода - процесс | 1- обратимый 2- необратимый | ||||
| Тепловой пробой p-n перехода - процесс | 1- обратимый 2- необратимый | ||||
| Как на принципиальных электрических схемах обозначаются диоды? | 1- VD 2- VT 3- VS 4- VK | ||||
| Как на принципиальных электрических схемах обозначаются транзисторы? | 1- VD 2- VT 3- VS 4- VK | ||||
| Как на принципиальных электрических схемах обозначаются тиристоры? | 1- VD 2- VT 3- VS 4- VK | ||||
| Какой из диодов является выпрямительным? |  1-
2-
3-
4-
5-
6-
| ||||
 1-
2-
3-
4-
5-
6-
| |||||
| Какой из диодов является туннельным? | 1-
2-
3-
4-
5-
6-
| ||||
| Какой из диодов является варикапом? | 1-
2-
3-
4-
5-
6-
| ||||
| Стабилитрон включается в схему | 1- прямо 2- обратно | ||||
| В варикапе используется емкость | 1- прямо смещенного p – n перехода 2- обратно смещенного p – n перехода | ||||
| На каких частотах используются плоскостные диоды | 1- на низких частотах 2- на высоких частотах | ||||
| На каких частотах используются точечные диоды | 1- на низких частотах 2- на высоких частотах | ||||
| Какой из диодов является фотодиодом? |       1-
2-
3-
4-
5-
6-
| ||||
| Какой из диодов является светодиодом? | 1-
2-
3-
4-
5-
6-
| ||||
 Данный транзистор имеет структуру
| 1- n – p – n 2- p – n - p | ||||
 Данный транзистор имеет структуру
| 1- n – p – n 2- p – n - p | ||||
| Концентрация примесей в эмиттере биполярного транзистора по отношению к концентрации примесей в базе | 1- меньше 2- больше | ||||
| Площадь коллекторного перехода биполярного транзистора по отношению к площади эмиттерного перехода | 1- меньше 2- больше | ||||
| Транзистор КТ 904 | 1- низкочастотный большой мощности 2- низкочастотный малой мощности 3- высокочастотный большой мощности | ||||
| В режиме отсечки в биполярном транзисторе | 1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 3- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении | ||||
| В режиме насыщения в биполярном транзисторе | 1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении | ||||
| В активном режиме в биполярном транзисторе | 1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении | ||||
 Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с
| 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
 Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с
| 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Какая характеристика называется входной статической характеристикой биполярного транзистора? | 1- 
2-  3-
| ||||
| Какая характеристика называется выходной статической характеристикой биполярного транзистора? | 1-
2-
3-
| ||||
| Какая характеристика называется переходной статической характеристикой биполярного транзистора? | 1-
2-
3-
| ||||
| В электронной аппаратуре транзисторы работают | 1- в статическом режиме 2- в динамическом режиме | ||||
 В точке 1 VT -
| 1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на 50% | ||||
| В точке 2 VT - | 1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на50% | ||||
 117
| В точке 3 VT - | 1--закрыт полностью 2--открыт полностью 3--приоткрыт на50% | |||
 Где на нагрузочной прямой располагается начальная рабочая точка при работе транзистора в активном режиме?
| 1- в точке 1 2- в точке 2 3- в точке 3 | ||||
 Какой режим работы фотодиода изображен?
| 1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный | ||||
 Какой режим работы фотодиода изображен?
| 1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный | ||||
| Как включаются фотодиоды в фотопреобразовательном режиме? | 1- прямо 2- обратно | ||||
| Какой фотоэффект используется в полупроводниковых фотоэлектронных приборах? | 1- внешний 2- внутренний | ||||
| Какой фотоэффект используется в электровакуумных фотоэлектронных приборах? | 1- внешний 2- внутренний | ||||
| Из каких полупроводников изготовлен p-n переход в светодиодах? | 1- арсенид галлия 2- кремний 3- германий | ||||
| Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ | 1-
2-
3-
| ||||
| Коэффициент усиления по току в схеме с ОК | 1-
2-
3-
| ||||
| Общий коэффициент усиления по току составного транзистора | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Коэффициент усиления по току в схеме с ОК равен | 1- 
3- 
| ||||
| Название оптрона определяется типом | 1- излучателя 2- фотоприемника | ||||
 Данный транзистор является
| 1- полевым 2- биполярным | ||||
 Данный транзистор
| 1- с управляющим переходом 2- МОП - типа | ||||
 Данный транзистор имеет
| 1- p - канал 2- n - канал | ||||
 Данный транзистор имеет
| 1- p - канал 2- n - канал | ||||
| В каком режиме коэффициент усиления по току у биполярного транзистора больше | 1- В статическом 2- В динамическом | ||||
| В динамическом режиме транзистор работает | 1- с нагрузкой 2- без нагрузки | ||||
| В статическом режиме транзистор работает | 1- с нагрузкой 2- без нагрузки | ||||
| Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по току меньше единицы? | 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы? | 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Условие передачи наибольшей мощности от источника сигнала в нагрузку | 1- r = R Н 2- r < R Н 3- r > R Н | ||||
| Переворачивает ли схема с ОБ фазу сигнала | 1- да 2- нет | ||||
| Переворачивает ли схема с ОК фазу сигнала | 1- да 2- нет | ||||
| Переворачивает ли схема с ОЭ фазу сигнала | 1- да 2- нет | ||||
| Входное сопротивление схемы с ОБ R ВХОБ | 1- мало 2- велико | ||||
| Выходное сопротивление схемы с ОБ R ВЫХОБ | 1- мало 2- велико | ||||
| Входное сопротивление схемы с ОК R ВХОК | 1- мало 2- велико | ||||
| Выходное сопротивление схемы с ОК R ВЫХОК | 1- мало 2- велико | ||||
| Усилитель УНЧ работает в диапазоне частот до | 1- 20 кГц 2- 200 кГц 3- 20 МГц | ||||
| Полоса пропускания УНЧ - диапазон частот, в котором коэффициент усиления изменяется не более, чем на | 1- 3 дБ 2- 20 дБ 3- 30 дБ 4- 100 дБ | ||||
| В режиме какого класса работают выходные каскады УНЧ | 1- А 2- В 3- С 4- АВ | ||||
| В режиме какого класса работают входные каскады УНЧ | 1- А 2- В 3- С 4- АВ | ||||
| Какие межкаскадные связи присутствуют в УНЧ | 1- Гальванические 2- Трансформаторные 3- Резистивно-емкостные 4- Трансформаторные и резистивно-емкостные | ||||
| Что называется амплитудно-частотной характеристикой усилителя? | 1- 
2- 
3- 
4- 
5- 
| ||||
| Что называется амплитудной характеристикой усилителя? | 1-
2-
3-
4-
5-
| ||||
| Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот? | 1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами | ||||
| Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области верхних частот? | 1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами | ||||
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен  , второго каскада -  . Чему равен общий коэффициент усиления?
| 1- 110 2- 1000 | ||||
| Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен дБ, второго каскада - дБ. Чему равен общий коэффициент усиления?
| 1- 110 дБ 2- 1000 дБ | ||||
| Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления усилителя? | 1- Не влияет 2- Увеличивает 3- Уменьшает | ||||
| Усилитель состоит из двух каскадов, коэффициенты усиления которых К1 = 10, К2 = 20. Последний каскад охвачен отрицательной обратной связью с β = 0,2. Определить общий коэффициент усиления. | 1- 200 2- 30 3- 40 | ||||
 Определите тип смещения транзистора в данной схеме
| 1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током | ||||
 Определите тип усилительного каскада
| 1- С общим эмиттером 2- С общим коллектором 3- С общей базой | ||||
 Каково назначение резистора RK в данной схеме?
| 1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме | ||||
 Определите назначение резистора RБ в данной схеме
| 1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора | ||||
Определите назначение конденсатора С2 в данной схеме 
| 1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора | ||||
 Как влияет увеличение сопротивления RБ на положение начальной рабочей точки на нагрузочной прямой?
| 1- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вниз 2- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вверх | ||||
 Определите тип смещения транзистора в данной схеме
| 1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током | ||||
 Напряжение смещения в данной схеме определяется величиной сопротивления
| 1- Резистора R1 2- Резистора R2 3- Резисторов R1 и R2 | ||||
Определите назначение резистора RЭ в данной схеме 
| 1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада | ||||
 Определите назначение конденсатора СЭ в данной схеме
| 1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада 5- Для исключения уменьшения коэффициента усиления каскада за счет резистора RЭ | ||||
| Работа усилительного каскада в режиме класса А отличается от работы в других классах | 1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3- Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4- Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала | ||||
| Работа усилительного каскада в режиме класса В отличается от работы в других классах | 1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3-Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4-Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала | ||||
| Какая из схем включения биполярных транзисторов переворачивает фазу сигнала на 1800? | 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Какая из схем включения биполярных транзисторов называется эмиттерным повторителем? | 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Какая из схем включения биполярных транзисторов обладает максимальным коэффициентом усиления по мощности? | 1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК | ||||
| Как определяется коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью? | 1- 
2- 
3- 
4- 
| ||||
| Как переводится значение коэффициента усиления по напряжению из относительных единиц в дБ? | 1- 
2- 
3- 
| ||||
| Как влияет увеличение сопротивления R K резистора на коэффициент усиления по напряжению в схеме усилительного каскада с ОЭ? | 1- Увеличивает 2- Уменьшает | ||||
| Можно ли построить выпрямитель без силового трансформатора? | 1 Можно при синусоидальном напряжении питания 2 Нельзя из-за опасности пробоя диодов 3 Нельзя, если форма напряжения не синусоидальная 4 Можно в любом случае | ||||
| Можно ли построить выпрямительную схему без вентилей (диодов)? | 1 Можно на резисторах 2 Можно на конденсаторах 3 Можно на катушках индуктивности 4 Можно на транзисторах 5 Нельзя | ||||
| Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при изменении входного напряжения? | 1 Не изменится 2 Возрастет при возрастании UВХ 3 Уменьшится при возрастании UВХ 4 Сначала возрастет до UСР, а потом уменьшится | ||||
| Как изменится ток, протекающий через стабилитрон в ПСН, если R Б = 200 Ом, а входное напряжение изменилось на 2 В? | 1 Ток через стабилитрон не изменится 2 При возрастании UВХ стабилитрон прикроется и ток уменьшится на 10 мА 3 При возрастании UВХ стабилитрон приоткроется и ток возрастет на 10 мА | ||||
Как изменится напряжение стаб
Поиск по сайту©2015-2025 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование. Дата создания страницы: 2018-01-27 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных |
Поиск по сайту: Читайте также: Деталирование сборочного чертежа Когда производственнику особенно важно наличие гибких производственных мощностей? Собственные движения и пространственные скорости звезд |
