ПЕРЕЧЕНЬ ТЕСТОВ ИТОГОВОГО КОНТРОЛЯ

СБОРНИК ТЕСТОВ ИТОГОВОГО КОНТРОЛЯ

По дисциплине

“ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”

(4 семестр)

Севастополь

681.142011.56

П -883

УДК 681.142.0116(075.8)

Петров С. В., Быковский Ю. М., Вакаев Б. Н.

П-883 Сборник тестов итогового контроля по дисциплине «Основы электроники».

Учеб. пособие для очной и заочной форм обучения.

- Севастополь: СНУЯЭи П, 2012. - _ 39 _с: ил.

Предназначено для студентов по направлению подготовки

0507 «Электротехника и электромеханика ».

ОГЛАВЛЕНИЕ

Перечень тестов итогового контроля 4

Литература 39

ПЕРЕЧЕНЬ ТЕСТОВ ИТОГОВОГО КОНТРОЛЯ

№ п/п

Вопрос

Ответы

Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух последовательно соединенных резисторов?

Прав1-С большим сопротивлением 2-С меньшим сопротивлением

Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух параллельно соединенных резисторов?

1-С большим сопротивлением Прав 2-С меньшим сопротивлением

Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как

Прав 1-

Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как

Прав 2-

Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 Ом?

1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м

Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 кОм?

1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м

Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 МОм?

1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м

Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет

1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт

Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет

1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт

Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет

1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт

Резистор, с какой номинальной мощностью рассеивания необходимо выбрать, если на нем при работе выделяется мощность 0,3 Вт?

1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт

Какой способ включения переменного резистора здесь представлен

1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение

Какой способ включения переменного резистора здесь представлен

1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение

Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения?

Как указываются позиционное обозначение и номиналы резисторов на принципиальных схемах?

1- 1R 2,2 кОм 2- R2 2200 Ом 3- 4,7 к 3R 4- R8 6,8 к

Каким образом указывается номинальное сопротивление на корпусе малогабаритного резистора с R = 6, 8 Ом?

1- 68 R 2- 6,8R 3- 6R8 4- R68

Какой из резисторов является переменным?

1- 2-

Какой из резисторов является подстроечным?

1- 2-

Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для резистора?

1- 2- 3-

Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для конденсатора?

1- 2- 3-

Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для индуктивности?

1- 2- 3-

Общая емкость данной электрической цепи определяется как

Общая емкость данной электрической цепи определяется как

Как определяется емкостное сопротивление конденсатора?

Как определяется индуктивное сопротивление индуктивности?

Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 1 nF?

1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000

Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 10 nF?

1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 5- 0,01 мк 6- 1 мк

Каким образом указывается номинальная емкость на корпусе малогабаритного конденсатора с С = 6, 8 мкФ?

Емкость конденсатора определяется по формуле

Ток, протекающий через конденсатор определяется по формуле

Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения?

Какая из приведенных схем является схемой замещения резистора?

1- А) 2- Б) 3- В)

Какая из приведенных схем является схемой замещения конденсатора?

1- А) 2- Б) 3- В)

Какая из приведенных схем является схемой замещения индуктивности?

1- А) 2- Б) 3- В)

Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как

Э.Д.С. самоиндукции, возникающая в катушке индуктивности, определяется по формуле

Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из

1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита

Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из

1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита

Электропроводность полупроводников

1- значительно выше проводников 2- значительно ниже диэлектриков 3- занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками

Проводимость полупроводников сильно зависит от

1- температуры окружающей среды 2- уровня излучения, воздействующего на полупроводники 3- не зависит от температуры и излучения 4- температуры окружающей среды и уровня излучения, воздействующего на полупроводники

При T = 0 ⁰ K полупроводник становится

1- диэлектриком 2- проводником

Дырка – это

1- разорванная ковалентная связь 2- восстановленная ковалентная связь

Процесс генерации пар - это

1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей

Процесс рекомбинации пар - это

1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей

При одинаковой температуре электропроводность больше у

1- проводников 2- полупроводников

Собственная проводимость полупроводников играет положительную роль у

1- диодов 2- транзисторов 3- полупроводниковых резисторов

Ток дрейфа возникает в полупроводнике

1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля

Ток диффузии возникает в полупроводнике

Направление тока дрейфа в чистом полупроводнике совпадает

1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов

Сурьма (Sb) – является

1- донорной примесью 2- акцепторной примесью

Индий (In) – является

1- донорной примесью 2- акцепторной примесью

Примесь сурьмы (Sb) – создает полупродводник

1 - n – типа 2 - p - типа

Примесь индия (In) – создает полупродводник

1- n – типа 2- p - типа

В полупроводнике n – типа основными носителями заряда являются

1- электроны 2- дырки

В полупроводнике p – типа основными носителями заряда являются

1- электроны 2- дырки

В полупроводнике n – типа неосновными носителями заряда являются

1- электроны 2- дырки

В полупроводнике p – типа неосновными носителями заряда являются

1- электроны 2- дырки

Температура нагрева полупроводника кремния не должна превышать

1- 80 ^ОС 2- 100 ^ОС 3- 150 ^ОС 4- 200 ^ОС

p-n переход можно получить

1- металлургическим путем 2- путем диффузии примеси из газовой среды 3- металлургическим путем и путем диффузии примеси из газовой среды 4- путем обычного соприкосновения областей p – и n - типа

Ток диффузии в p-n переходе образован

1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда

Ток дрейфа в p-n переходе образован

1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда

Ток диффузии в p-n переходе совпадает

1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов

Запирающий слой p-n перехода является

1- диэлектриком 2- проводником 3- полупроводником

За счет чего в p-n переходе образуется внутреннее электрическое поле?

1- За счет электронов 2- За счет дырок 3- За счет нескомпенсированных зарядов неподвижно закрепленных ионов примеси в запирающем слое

Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны p- области?

1- минус 2- плюс

Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны n- области?

1- минус 2- плюс

Внутреннее электрическое поле p-n перехода

1- способствует диффузии основных носителей заряда 2- препятствует диффузии основных носителей заряда

Направление тока дрейфа p-n перехода

1- противоположно направлению тока диффузии 2- совпадает с направлением тока диффузии

От чего зависит величина тока дрейфа p-n перехода?

1- от величины приложенного электрического поля 2- от температуры кристалла полупроводника

Ток насыщения неосновных носителей p-n перехода -это

1- ток дрейфа 2- ток диффузии

Контактная разность потенциалов для кремния равна

1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В

Контактная разность потенциалов для германия равна

1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В

Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от контактной разности потенциалов

1- зависит 2- не зависит

Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от приложенного внешнего напряжения

1- зависит 2- не зависит

При прямом включении p-n перехода плюс источника питания подключен к

1- p – области 2- n - области

При обратном включении p-n перехода плюс источника питания подключен к

1- p – области 2- n - области

При прямом включении p-n перехода толщина запирающего слоя

1- увеличивается 2- уменьшается

При обратном включении p-n перехода толщина запирающего слоя

1- увеличивается 2- уменьшается

При прямом включении p-n переход считается

1- открытым 2- закрытым

При обратном включении p-n переход считается

1- открытым 2- закрытым

Величина прямого тока через p-n переход при

определяется по формуле

Величина обратного тока через p-n переход определяется по формуле

Сопротивление закрытого p-n перехода

1- велико 2- мало

Сопротивление открытого p-n перехода

1- велико 2- мало

Электрический пробой p-n перехода - процесс

1- обратимый 2- необратимый

Тепловой пробой p-n перехода - процесс

1- обратимый 2- необратимый

Как на принципиальных электрических схемах обозначаются диоды?

1- VD 2- VT 3- VS 4- VK

Как на принципиальных электрических схемах обозначаются транзисторы?

1- VD 2- VT 3- VS 4- VK

Как на принципиальных электрических схемах обозначаются тиристоры?

1- VD 2- VT 3- VS 4- VK

Какой из диодов является выпрямительным?

1- 2- 3- 4- 5- 6-

Какой из диодов является туннельным?

1- 2- 3- 4- 5- 6-

Какой из диодов является варикапом?

1- 2- 3- 4- 5- 6-

Стабилитрон включается в схему

1- прямо 2- обратно

В варикапе используется емкость

1- прямо смещенного p – n перехода 2- обратно смещенного p – n перехода

На каких частотах используются плоскостные диоды

1- на низких частотах 2- на высоких частотах

На каких частотах используются точечные диоды

1- на низких частотах 2- на высоких частотах

Какой из диодов является фотодиодом?

1- 2- 3- 4- 5- 6-

Какой из диодов является светодиодом?

1- 2- 3- 4- 5-

Данный транзистор имеет структуру

1- n – p – n 2- p – n - p

Данный транзистор имеет структуру

1- n – p – n 2- p – n - p

Концентрация примесей в эмиттере биполярного транзистора по отношению к концентрации примесей в базе

1- меньше 2- больше

Площадь коллекторного перехода биполярного транзистора по отношению к площади эмиттерного перехода

1- меньше 2- больше

Транзистор КТ 904

1- низкочастотный большой мощности 2- низкочастотный малой мощности 3- высокочастотный большой мощности

В режиме отсечки в биполярном транзисторе

1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 3- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении

В режиме насыщения в биполярном транзисторе

1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении

В активном режиме в биполярном транзисторе

Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Какая характеристика называется входной статической характеристикой биполярного транзистора?

Какая характеристика называется выходной статической характеристикой биполярного транзистора?

Какая характеристика называется переходной статической характеристикой биполярного транзистора?

В электронной аппаратуре транзисторы работают

1- в статическом режиме 2- в динамическом режиме

В точке 1 VT -

1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на 50%

В точке 2 VT -

1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на50%

117

В точке 3 VT -

1--закрыт полностью 2--открыт полностью 3--приоткрыт на50%

Где на нагрузочной прямой располагается начальная рабочая точка при работе транзистора в активном режиме?

1- в точке 1 2- в точке 2 3- в точке 3

Какой режим работы фотодиода изображен?

1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный

Какой режим работы фотодиода изображен?

1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный

Как включаются фотодиоды в фотопреобразовательном режиме?

1- прямо 2- обратно

Какой фотоэффект используется в полупроводниковых фотоэлектронных приборах?

1- внешний 2- внутренний

Какой фотоэффект используется в электровакуумных фотоэлектронных приборах?

1- внешний 2- внутренний

Из каких полупроводников изготовлен p-n переход в светодиодах?

1- арсенид галлия 2- кремний 3- германий

Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ

Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ

Коэффициент усиления по току в схеме с ОК

Общий коэффициент усиления по току составного транзистора

Коэффициент усиления по току в схеме с ОК равен

Название оптрона определяется типом

1- излучателя 2- фотоприемника

Данный транзистор является

1- полевым 2- биполярным

Данный транзистор

1- с управляющим переходом 2- МОП - типа

Данный транзистор имеет

1- p - канал 2- n - канал

Данный транзистор имеет

1- p - канал 2- n - канал

В каком режиме коэффициент усиления по току у биполярного транзистора больше

1- В статическом 2- В динамическом

В динамическом режиме транзистор работает

1- с нагрузкой 2- без нагрузки

В статическом режиме транзистор работает

1- с нагрузкой 2- без нагрузки

Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по току меньше единицы?

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы?

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Условие передачи наибольшей мощности от источника сигнала в нагрузку

1- r = R _Н 2- r < R _Н 3- r > R _Н

Переворачивает ли схема с ОБ фазу сигнала

1- да 2- нет

Переворачивает ли схема с ОК фазу сигнала

1- да 2- нет

Переворачивает ли схема с ОЭ фазу сигнала

1- да 2- нет

Входное сопротивление схемы с ОБ R _ВХ^ОБ

1- мало 2- велико

Выходное сопротивление схемы с ОБ R _ВЫХ^ОБ

1- мало 2- велико

Входное сопротивление схемы с ОК R _ВХ^ОК

1- мало 2- велико

Выходное сопротивление схемы с ОК R _ВЫХ^ОК

1- мало 2- велико

Усилитель УНЧ работает в диапазоне частот до

1- 20 кГц 2- 200 кГц 3- 20 МГц

Полоса пропускания УНЧ - диапазон частот, в котором коэффициент усиления изменяется не более, чем на

1- 3 дБ 2- 20 дБ 3- 30 дБ 4- 100 дБ

В режиме какого класса работают выходные каскады УНЧ

1- А 2- В 3- С 4- АВ

В режиме какого класса работают входные каскады УНЧ

1- А 2- В 3- С 4- АВ

Какие межкаскадные связи присутствуют в УНЧ

1- Гальванические 2- Трансформаторные 3- Резистивно-емкостные 4- Трансформаторные и резистивно-емкостные

Что называется амплитудно-частотной характеристикой усилителя?

Что называется амплитудной характеристикой усилителя?

Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот?

1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами

Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области верхних частот?

1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами

Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен

, второго каскада -

. Чему равен общий коэффициент усиления?

1- 110 2- 1000

Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен

дБ, второго каскада -

дБ. Чему равен общий коэффициент усиления?

1- 110 дБ 2- 1000 дБ

Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления усилителя?

1- Не влияет 2- Увеличивает 3- Уменьшает

Усилитель состоит из двух каскадов, коэффициенты усиления которых К₁ = 10, К₂ = 20. Последний каскад охвачен отрицательной обратной связью с β = 0,2. Определить общий коэффициент усиления.

1- 200 2- 30 3- 40

Определите тип смещения транзистора в данной схеме

1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током

Определите тип усилительного каскада

1- С общим эмиттером 2- С общим коллектором 3- С общей базой

Каково назначение резистора R_K в данной схеме?

1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме

Определите назначение резистора R_Б в данной схеме

1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора

Определите назначение конденсатора С2 в данной схеме

Как влияет увеличение сопротивления R_Б на положение начальной рабочей точки на нагрузочной прямой?

1- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вниз 2- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вверх

Определите тип смещения транзистора в данной схеме

1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током

Напряжение смещения в данной схеме определяется величиной сопротивления

1- Резистора R1 2- Резистора R2 3- Резисторов R1 и R2

Определите назначение резистора R_Э в данной схеме

1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада

Определите назначение конденсатора С_Э в данной схеме

Работа усилительного каскада в режиме класса А отличается от работы в других классах

1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3- Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4- Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала

Работа усилительного каскада в режиме класса В отличается от работы в других классах

1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3-Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4-Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала

Какая из схем включения биполярных транзисторов переворачивает фазу сигнала на 180⁰?

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Какая из схем включения биполярных транзисторов называется эмиттерным повторителем?

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Какая из схем включения биполярных транзисторов обладает максимальным коэффициентом усиления по мощности?

1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК

Как определяется коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью?

Как переводится значение коэффициента усиления по напряжению из относительных единиц в дБ?

Как влияет увеличение сопротивления R _K резистора на коэффициент усиления по напряжению в схеме усилительного каскада с ОЭ?

1- Увеличивает 2- Уменьшает

Можно ли построить выпрямитель без силового трансформатора?

1 Можно при синусоидальном напряжении питания 2 Нельзя из-за опасности пробоя диодов 3 Нельзя, если форма напряжения не синусоидальная 4 Можно в любом случае

Можно ли построить выпрямительную схему без вентилей (диодов)?

1 Можно на резисторах 2 Можно на конденсаторах 3 Можно на катушках индуктивности 4 Можно на транзисторах 5 Нельзя

Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при изменении входного напряжения?

1 Не изменится 2 Возрастет при возрастании U_ВХ 3 Уменьшится при возрастании U_ВХ 4 Сначала возрастет до U_СР, а потом уменьшится

Как изменится ток, протекающий через стабилитрон в ПСН, если R _Б = 200 Ом, а входное напряжение изменилось на 2 В?

1 Ток через стабилитрон не изменится 2 При возрастании U_ВХ стабилитрон прикроется и ток уменьшится на 10 мА 3 При возрастании U_ВХ стабилитрон приоткроется и ток возрастет на 10 мА

Как изменится напряжение стаб

Поделиться:

Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2018-01-27 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных

Поиск по сайту:

Читайте также:

Деталирование сборочного чертежа

Когда производственнику особенно важно наличие гибких производственных мощностей?

Собственные движения и пространственные скорости звезд

Тема 11. Банковские риски и способы их оценки

Опросник «Активность повседневной жизни»

Интересно:

Краткий словарь жестового языка

Что такое управление собой?

Зачем нужна стратификация

Как устроена магнитная головка

Обратная связь