«Проектирование высокочастотных источников питания»
| Выполнил: студент группы ЭС-16м |
| (Фамилия, имя, отчество студента) |
1. В качестве устройств в современной силовой электронике не используются
a) диоды
b) тиристоры
c) транзисторы
d) трансформаторы
2. В основе биполярного транзистора лежит
a) однослойная структура
b) двухслойная структура
c) трехслойная структура
d) четырехслойная структура
3. В основе полупроводникового диода лежит
a) однослойная структура
b) двухслойная структура
c) трехслойная структура
d) четырехслойная структура
4. В основе однооперационного тиристора лежит
a) однослойная структура
b) двухслойная структура
c) трехслойная структура
d) четырехслойная структура
5. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от приложенного к переходам напряжения. Выберите один или несколько вариантов ответов:
a) индуктивном
b) инверсном
c) отсечки
d) импульсном
6. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
a) источником тока эмиттера, управляемого током базы
b) источником тока коллектора, управляемого током базы
c) замкнутым ключом
d) разомкнутым ключом
7. В режиме лавинного пробоя силового диода:
a) резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
b) резко увеличивается обратный ток при резком изменении обратного напряжения
c) незначительно увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
d) незначительно увеличивается обратный ток при резком изменении обратного напряжения
8. Мощность потерь обратного восстановления диода равна:
a) отношению частоты коммутации и энергии прямого восстановления
b) произведению энергии прямого восстановления и частоты коммутации
c) отношению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
d) произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
9. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если:
a) напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
b) ток на аноде меньше, чем ток на катоде
c) ток на аноде больше, чем ток на катоде
d) напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
10. Электрический пробой силового диода возникает, когда:
a) прямое напряжение увеличивается сверх установленного порога
b) обратное напряжение уменьшается ниже установленного порога
c) обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
d) прямое напряжение уменьшается ниже установленного порога
11. Основная функция силового диода:
a) преобразование постоянного сигнала
b) выпрямление переменного сигнала
c) ослабление переменного сигнала
12. Транзистор – это
a) полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
b) полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя и более выводами
c) полупроводниковый частично управляемый прибор с тремя и более выводами
d) полупроводниковый частично управляемый прибор с двумя и более выводами
13. Силовым диодом называется
a) полупроводниковый управляемый прибор с тремя выводами
b) полупроводниковый управляемый прибор с двумя выводами
c) полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами
d) полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
14. Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении, названный в честь немецкого физика?
a) диод Шоттки
b) диод Шокли
c) диод Ганна
d) диод Зенера
15. Стабилизатор напряжение, в котором регулирующий элемент работает в ключевом режиме называется
a) импульсным
b) периодическим
c) синхронным
d) волновым
16. Обязательным элементов импульсных преобразователей является электронный...
a) усилитель
b) ключ
c) интергратор
d) модулятор
17. Приведена схема
a) выпрямителя
b) инвертора тока
c) инвертора напряжения
d) импульсного преобразователя
18. Приведена схема
a) выпрямителя
b) инвертора тока
c) инвертора напряжения
d) импульсного преобразователя
19. Приведена схема
a) выпрямителя
b) инвертора тока
c) инвертора напряжения
d) импульсного преобразователя
20. Приведена схема
a) выпрямителя
b) инвертора тока
c) инвертора напряжения
d) импульсного преобразователя
21. Как соотносятся коэффициенты полезного действия импульсного и линейного регуляторов?
а) КПД импульсного стабилизатора больше;
б) КПД линейного стабилизатора больше;
в) КПД обоих схем примерно одинаков.
22. Как влияет увеличение частоты переключения импульсного регулятора на его массу и габариты?
а) Масса и габариты увеличиваются;
б) Масса и габариты уменьшаются;
в) Увеличение частоты не оказывает существенного влияния на указанные параметры.
23. Как изменяется КПД при увеличении частоты работы импульсного регулятора?
а) КПД уменьшается;
б) КПД увеличивается;
в) частота не оказывает существенного влияния на КПД.
24. Что такое динамические потери?
а) Потери, обусловленные изменением входного напряжения стабилизатора;
б) Потери, обусловленные переключением силовых ключей схемы;
в) Потери, обусловленные изменением тока нагрузки.
25. При управлении ШИМ изменяется
а) только коэффициент заполнения управляющих импульсов;
б) только частота управляющих импульсов;
в) только длительность управляющих импульсов;
г) изменяются все вышеперечисленные параметры.