ОДНОВИБРАТОРЫ
Одновибраторы предназначены для формирования прямоугольного импульса напряжения требуемой длительности при воздействии на входе короткого запускающего импульса.
Одновибраторы, так же как мультивибраторы и триггеры, относятся к классу схем, обладающих двумя состояниями. Однако в отличие от мультивибраторов, в которых оба состояния являются неустойчивыми, в одновибраторах (часто называемых также ждущими мультивибраторами) одно состояние устойчивое, а другое — неустойчивое. Устойчивое состояние характеризует исходный режим работы (режим ожидания) одновибратора. Неустойчивое состояние наступает с приходом входного запускающего импульса. Оно продолжается некоторое время, определяемое время- задающей цепью схемы, после чего одновибратор возвращается в исходное устойчивое состояние.
Выходной импульс формируется в результате следования одного за другим двух тактов переключения схемы.
В настоящее время для построения одновибраторов используют преимущественно интегральные операционные усилители. Наибольшее распространение получила схема одновибратора, приведенная на рис. 3.11, а.
Ее основой служит схема мультивибратора рис. 3.8, а, в которой для создания ждущего режима работы параллельно конденсатору С включен диод Д1.
При показанном на рис. 3.11, а направлении включения диода Д1 схема запускается входным импульсом напряжения положительной полярности. При обратном включении диода Д1 (а также Д2) требуется запускающий импульс отрицательной полярности, чему соответствует также изменение полярности выходного импульса.
В исходном состоянии напряжение на выходе одновибратора равно U-выхmax что определяет напряжение на неинвертнрующем входе ОУ u(+)=x U-выхmax (рис. 3.11,б —г). Напряжение на инвертирующем входе ОУ u(-) равное падению напряжения на диоде Д1 от протекания тока по цепи с резистором R, близко к нулю (рис. 3.11, д).
Поступающий входной импульс в момент времени t1 переводит ОУ в состояниеU+выхmax. На неинвертирующий вход ОУ передается напряжение x U+выхmax (рис. 3.11, г), поддерживающее его изменившееся состояние. Воздействие напряжения положительной полярности на выходе ОУ вызывает процесс заряда конденсатора С в цепи с резистором R, в которой конденсатор стремится зарядиться до напряженияU+выхmax (рис. 3.11, д). Характер процесса заряда находят из уравнения (3.17), где uс(∞) = U+выхmax, ис(0) = 0, τ = CR:
Однако в процессе заряда напряжение на конденсаторе не достигает значения U+выхmax, так как в момент времени t2 приuс=u(-)= x U+выхmax происходит возвращение ОУ в исходное состояние (рис. 3.11, в, г). Положив в (3.27) uc(tи) находим длительность импульса, формируемого одновибратором:
После момента времени t2 в схеме наступает процесс восстановления исходного напряжения на конденсаторе uс = 0 (рис. 3.11, д), который обусловливается изменившейся полярностью напряжения на выходе ОУ. Процесс перезаряда конденсатора в цепи с резистором R определяется зависимостью (3.17), где uс(∞) = — U-выхmax, uc(0)= =x U+выхmax,отсюда:
Режим восстановления заканчивается тем, что напряжение на конденсаторе достигает напряжения отпирания диода Д1 которое можно принять равным нулю. Положив в формуле (3.29) uс — 0 при t=tвосст, находим время восстановления:
Поскольку коэффициент передачи х < 1 и 1/(1 — х)> 1+х - длительность импульса tи > tвосст.
Процесс восстановления исходного состояния схемы должен быть завершен к приходу очередного запускающего импульса. В тех случаях, когда длительность tи соизмерима с периодом следования запускающих импульсов, возникает задача сокращения времениtвосст. С этом целью параллельно резистору R включают ветвь из диода Д2 и резистора R', уменьшающую постоянную времени этапа восстановления. При этом постоянная τ в выражении (3.31) составит C(R || R'), а для tи она останется без изменения.
На выбор x и сопротивлении резисторов накладываются те же ограничения, что и для схемы мультивибратора (см. рис. 3.8, а).
ГЕНЕРАТОРЫЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ
Генераторы линейно изменяющегося напряжения служат для создания развертки электронного луча по экрану электронно-лучевых приборов, получения временных задержек импульсных сигналов, модуляции импульсов по длительности и т. д. Находят применение напряжения, изменяющиеся по линейному закону как при одной (положительной или отрицательной) полярности, так и при обеих полярностях.
Линейно изменяющееся напряжение (рис. 3.12) характеризуется максимальным значением Um, длительностью рабочего хода tр, временем обратного хода t0 и коэффициентом нелинейности:
где u'(0), u'(tp) — скорости изменения напряжения во времени (производные) соответственно в начале и в конце рабочего участка.
Формирование линейно изменяющегося (п и л о о б р а з и о г о) напряжения основано на чередовании во времени процессов заряда и разряда конденсатора.
Простейшая схема генератора, в котором для получения линейно изменяющегося напряжения используют начальный участок экспоненциального заряда конденсатора, приведена на рис. 3.13, а. Функцию элемента, создающего цепь для быстрого разряда конденсатора, выполняет транзистор.
Разряд конденсатора и поддержание на нем напряжения, близкого к нулю, происходит в интервалах паузы tn входного сигнала (рис. 3.13, б, в), когда транзистор Т находится в режиме насыщения. Открытое состояние обеспечивается протеканием тока базы через резистор Rб Линейно изменяющееся напряжение формируется, когда транзистор заперт входным импульсом напряжения отрицательной полярности длительностью tp.
Характер изменения напряжения на конденсаторе, при закрытом транзисторе (считаем lk0≈0)подчиняется закону:
где т = CRK — постоянная времени зарядной цепи, выбираемая много больше времени tp.
Поскольку для конденсатора duс/dt= ic/C, коэффициент нелинейности (3.32) может быть найден по значениям тока конденсатора в начале и в конце рабочего участка:
Для рассматриваемого случая l(0)= Ek/RK, I(tp)=(Ек-Um)/RK, откуда е = Um/EK.
В соответствии с выражением (3.34) идеальной линейности формируемого напряжения (е = 0) соответствует процесс заряда конденсатора на интервале tp неизменным током. Неизменный зарядный ток обеспечивают применением в цепи заряда конденсатора токостабнли- зирующего элемента, функцию которого обычно выполняет транзистор, включенный по схеме ОБ (или ОЭ). Принцип токовой стабилизации основывается на свойстве коллекторных характеристик транзистора, согласно которому коллекторный ток (ток заряда конденсатора) слабо зависит при заданном токе эмиттера (базы) от напряжения на транзисторе. Схемы с неизменным зарядным током позволяют полнее использовать напряжение питания при формировании линейно
изменяющегося напряжения. Напряжение Um здесь близко к Ek в то же время коэффициент е достаточно мал.
Пример построения схемы генератора приведен на рис. 3.13, г. Постоянство зарядного тока достигается с помощью транзистора Т2, включенного по схеме ОБ. Стабилитрон Д1, и резистор Rб обеспечивают постоянство напряжения на базе транзистора Т2. Резистор RЭ задает его ток эмиттера lЭ2 = (Ek - UCT - Uэб2)/ Rэ соответственно ток заряда конденсатора (ток коллектора) іСзар = Iк2 = а2Iэ2
На интервале tp (рис. 3.13, б) открытого состояния транзистора T1, через него протекает ток Iк 2, напряжение на конденсаторе С близко к нулю. На интервале tр, когда транзистор T1 закрыт, ток Ik2 обусловливает ток iСзаp заряда конденсатора. При неизменном токе Iк2
напряжение на конденсаторе
линейно изменяется во времени. Отношение I к2/С выбирают, исходя из требуемого значения Um. При Um≈Ek имеем Ik2/C = Ek/tp
В рассмотренных схемах нагрузка подключается непосредственно к конденсатору. При наличии нагрузки ток конденсатора на интервале равен разности токов заряда по цепи источника питания и разряда на нагрузку. Если учесть, что ток разряда возрастает по мере повышения напряжения, то результирующий ток конденсатора будет меньше, а его закон изменения будет отличаться от режима холостого хода генератора. В схеме рис. 3.13, г, в частности, это приводит к нарушению постоянства тока конденсатора на интервале tp. Подключение нагрузки сказывается на уменьшении амплитуды Um формируемого напряжения и ухудшении его линейности. В связи с этим указанные схемы находят применение при высокоомной нагрузке, оказывающей малое шунтирующее действие па конденсатор (когда ток его разряда на нагрузку непосредственной связи конденсатора с нагрузкой, либо схемы, обеспечивающие компенсацию воздействия нагрузки.
В настоящее время генераторы с малым значением коэффициента нелинейности (е< 0,01) и слабым влиянием нагрузки на форму выходного напряжения создаются с использованием операционных усилителеи. В частности, распространены генераторы на основе интегратора, управляемого входным импульсом напряжения прямоугольной формы (см. рис. 2.52, а).
Высокую линейность пилообразного напряжения позволяет обеспечить схема, приведенная па рис. 3.14, а. Генератор выполнен на основе схемы рис. 3.13, а. Элементами схемы рис. 3.14, а являются источник питания Еа, зарядный резистор Ra, конденсатор С и разрядный транзистор Т. Выходное напряжение генератора представляет собой усиленное операционным усилителем напряжение на конденсаторе, ОУ охвачен отрицательной (резистор R2, а также резистор R1 и источник питания Е0) и положительной (резистор обратными связями.
Управление работой генератора производится транзистором T осуществляющим разряд конденсатора до нуля и обеспечивающим
малое время обратного хода t0 формируемого напряжения. Эта функция часто возлагается на интегральный транзистор специальной серии микросхем (например, К101) с падением напряжения в открытом состоянии 50—300 мкВ. Длительность открытого состояния транзистора Т определяется длительностью tп входного импульса напряжения положительной полярности (рис. 3.14,6). Вид кривых напряжений на конденсаторе и на выходе схемы показан на рис. 3.14, в, г.
Рассмотрим процессы, протекающие в схеме при формировании линейно изменяющегося напряжения.
На интервале tп ОУ работает в линейном режиме. Если принять для ОУ u = 0, то напряжение u(-) = uс = u(+) и для цепи обратной связи по инвертирующему входу можно записать следующее уравнение для токов:
Характер изменения во времени напряжения на конденсаторе зависит от соотношений сопротивлении резисторов, определяющих сомножитель второго члена левой части уравнения (3.37). При R3 > (R1R4)/R2 и R3< (R1R4)/R2 кривая напряжения uс получается соответственно вогнутой или выпуклой формы, а при
R2/R1=R4/R3 (3.38)
напряжение на конденсаторе изменяется во времени по линейному закону:
С учетом условия (3.38) имеем:
Откуда Ea>E0.
Условие (3.38) обычно выполняют при соблюдении равенства:
R1= R3; R2= R4 (3.41)
Это необходимо для выравнивания входных сопротивлений ОУ по обоим его входам.
При линейном характере изменения напряжения на конденсаторе выходное напряжение также будет изменяться по линейному закону. При Ео = 0 формируется выходное напряжение, как и напряжение uс (рис. 3.14, в), имеющее вид «пилы» положительной полярности.
Если нужно получить выходное напряжение, изменяющееся по линейному закону при обеих полярностях (рис. 3.14, г), то E0 выбирают по требуемому значению начального напряжения на выходе генератора u(0), соответствующему u0 = 0. Так, для получения максимального значения Um пилообразного напряжения начальной величине uвых будет отвечать напряжение ОУ u(0) = U-выхmax (рис. 3.14, г). Из выражения (3.35) при uс = 0 находим
Напряжению на выходе по окончании интервала tр при этом должно соответствовать напряжение U+выхmax. Из выражения (3.35) с учетом условия (3.42) находим отношение сопротивлений резисторов в зависимости от максимального напряжения UCmax на конденсаторе (рис. 3.14, в):
Максимальное напряжение на конденсаторе Ucmax связано с длительностью tp зависимостью, получаемой из выражения (3.40):
Параметры элементов схемы будут определены, если для требуемых значенийtp,Um выбрать R3, Еa и Uc max. СопротивленияR1= R3 выбирают в 3—5 раз меньшими входных сопротивлений ОУ для исключения влияния их нестабильности на работу схемы. Функцию
Eа обычно выполняет источник питания ОУ + Eк2. Напряжение Uc max целесообразно выбирать минимальным, чтобы исключить влияние разброса параметров используемых резисторов на коэффициент нелинейности формируемого напряжения. Вместе с тем напряжение Uc max должно быть много больше напряжения на открытом транзисторе Т. определяющем уровень начального напряжения на конденсаторе. Вполне удовлетворительным считается выбор Uc max = 0,3/1 B
I В.
Расчет параметров элементов схемы производят в такой последовательности.
По выбранным Uс max и R1 = R3 находят R2 = R4 и отношение R2/ R1=R4/R3 (3.43). которые используют для определения Е0 по выражению (3.42). Напряжение E0, необходимое для получения требуемого значения Um, создается с помощью делителя с применением источников питания ОУ. Затем из соотношения (3.45) находят емкость конденсатора С.
БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРЫ
Блокинг-генераторы предназначены для формирования импульсов тока или напряжения прямоугольной формы преимущественно малой длительности (от единиц до нескольких сотен микросекунд). Они находят применение в схемах формирования пилообразного тока для осуществления развертки электронного луча по экрану электронно-лучевых приборов с электромагнитным управлением. На основе блокинг-генераторов часто выполняют формирователи управляющих импульсов в системах цифрового действия.
По принципу построения блокинг-генератор представляет собой однокаскадный транзисторный усилитель с глубокой положительной обратной связью, осуществляемой импульсным трансформатором. Процесс формирования выходного импульса связан с отпиранием транзистора и удержанием его в состоянии насыщения (iб>ik/β) цепью положительной обратной связи. Окончание формирования импульса сопровождается выходом транзистора из режима насыщения или по входной цепи (т. е. базовой цепи при включении транзистора по схеме ОЭ) вследствие уменьшения тока базы, или по выходной (коллекторной) цепи из-за увеличения пика коллектора. Эти два случая определяют соответственно две разновидности блокинг-генераторов: с конденсатором в цепи обратной связи (с времязадающим конденсатором) и с насыщающимся трансформатором.
В настоящем параграфе рассматривается блокинг-генератор с конденсатором в цепи обратной связи, получивший наибольшее применение на практике в однотактном варианте.
Схема блокинг-генератора приведена на рис. 3.15, а. Она выполнена на транзисторе ОЭ и трансформаторе Тр. Цепь положительной обратной связи осуществлена с помощью вторичной обмотки wB трансформатора с коэффициентом трансформации nб = ωk/ωб , конденсатора С и резистора R, ограничивающего ток базы. Резистор Rб создает контур разряда конденсатора на этапе закрытого состояния транзистора. Выходной сигнал может быть спят либо непосредственно с коллектора транзистора, либо с дополнительной нагрузочной обмотки ωн трансформатора, связанной с коллекторной обмоткой коэффициентом трансформации nн = ωн/ωk. В последнем случае амплитуду импульса напряжения можно получить как меньше, так и больше напряжения Eк и обеспечить потенциальное разделение, нагрузки и схемы генератора. Диод Д1, включаемый при необходимости, исключает прохождение в нагрузку импульса напряжения отрицательной полярности, возникающего при запирании транзистора. Ветвь из диода Д.2 и резистора R1 выполняет функцию защиты транзистора от перенапряжений.
Рассмотрим работу схемы в режиме автогенератора (входная цепь с конденсатором С, отсутствует). Временные диаграммы, поясняющие принцип действия, приведены на рис. 3.15, б — ж.
На интервале t0 — t1 транзистор закрыт, напряжение на его коллекторе равно — Eк, напряжения на обмотках трансформатора и нагрузке равны нулю (рис. 3.15, б — г). Закрытое состояние транзистора создается напряжением на конденсаторе С (рис. 3.15, а), подключенным через обмотку ωб к выводам база — эмиттер транзистора. Полярность напряжения, указанную на рис. 3.15, а, конденсатор приобретает к концу формирования схемой предыдущего импульса.
Закрытое состояние транзистора продолжается до момента времени t1, поскольку на интервале t0 — t1 происходит перезаряд конденсатора С по цепи ωб - С - R - R6 - (-Ek) и в момент времени t1, напряжение на конденсаторе становится равным нулю (рис. 3.15, д).
На интервале t1 — t2 осуществляется отпирание транзистора. Этот процесс обусловливается наличием в схеме положительной обратной связи и называется процессом регенерации или прямым блокинг процессом.
Сущность регенеративного процесса отпирания транзистора заключается в том, что он сопровождается взаимным увеличением базового и коллекторного токов и протекает следующим образом.
Переход в момент времени t1 напряжения uс — ибэ через нуль приводит к возникновению токов базы и коллектора транзистора. При отпирании транзистора напряжение на его коллекторе уменьшается, что вызывает появление напряжения на коллекторной обмотке ωk трансформатора (рис. 3.15, а). Напряжение на коллекторной обмотке трансформируется в базовую обмотку ωб с полярностью, соответствующей увеличению базового тока. Рост базового тока, в свою очередь, вызывает увеличение коллекторного тока, снижение напряжения на коллекторе и дальнейшее повышение напряжения на коллекторной и базовой обмотках. Процесс завершается переходом транзистора в момент времени t2 в режим насыщения.
Развитие регенеративного процесса отпирания транзистора возможно, если в схеме создаются условия для увеличения тока базы за счет положительной обратной связи. Это означает, что цепь обратной связи должна обеспечить соотношение для токов транзистора, при котором
Ток коллектора транзистора равен сумме приведенных к коллекторной обмотке трансформатора токов базы и нагрузки:
Интервал t1 — t2 определяет длительность переднего фронта формируемого импульса. Время в блокинг-геиераторах составляет доли микросекунды.
На интервале формирования вершины импульса tв транзистор открыт, напряжение ΔUкэ на нем мало. К коллекторной обмотке прикладывается напряжение, близкое к Eк, а к базовой и нагрузочной обмоткам — соответственно напряжения, близкие к Eк/nб и Ek/nH (рис. 3.15, в, г).
Для интервала tв действительна схема замещения блокннг-генера- тора, приведенная на рис. 3.16, а. Транзистор на схеме изображен в
виде ключа Т, а трансформатор — в виде схемы замещения без учета паразитных параметров (индуктивностей рассеяния, паразитных емкостей и активных сопротивлений обмоток).
Через коллекторную обмотку и транзистор протекает ток iн (рис. 3.16, а), равный сумме трех составляющих: приведенных к коллекторной обмотке тока нагрузки i'н =iн/nH = Eк/(n2 н RH) и тока базы i'б= iб/nб, а также тока намагничивания iμ.
Ток н а м а г н и ч и в а н и я iμ (см. рис. 3.15, е) является балластной составляющей в коллекторном токе транзистора. Он создается под воздействием приложенного к коллекторной обмотке напряжения Ek и обусловлен перемещением рабочей точки по кривой намагничивания сердечника трансформатора из точки 1 в направлении к точке 2 (рис. 3.16, б). Характер изменения во времени тока iμ зависит от вида кривой намагничивания и числа витков коллекторной обмотки (ее индуктивности Lk). Выбором соответствующей величины индуктивности коллекторной обмотки максимальное значение тока Iμmах ограничивают на уровне (0,05/ 0,1) i'н.Участок перемещения рабочей точки по петле намагничивания при этом получается достаточно малым и близким к прямой, в связи с чем характер изменения тока iμ во времени близок к линейному. Для тока iμ будет действительно уравнение
откуда находим
Ток базы i6 (см. рис. 3.15, с) обеспечивает на интервале tв режим насыщения транзистора. Он обусловливается процессом заряда конденсатора С через входную цепь открытого транзистора и резистор R под действием напряжения на базовой обмотке трансформатора. При этом ток i6 убывает по экспоненциальному закону. Приведенная составляющая i'б в токе коллектора также относительно мала и уменьшается во времени.
Зависимые во времени токи iμ и iб создают вначале некоторое убывание тока ik а затем его нарастание (см. рис. 3.15, ж). Вследствие относительно малых составляющих i'б и iμ ток ik на этапе tв определяется преимущественно током i'н, т. е. ik≈ i'н=Ек/(nн2Rн)=Ек/R'н
Если принять tф ≤tв то ток базы на интервале tв будет изменяться по закону
где τ = C(R+rвх) — постоянная времени цепи базы; rвх — входное сопротивление транзистора в открытом состоянии.
Длительность tв характеризует состояние схемы, при котором создаваемый по цепи обратной связи ток базы (ток заряда конденсатора) обеспечивает режим насыщения транзистора, т. е. iб>ik/β Однако по мере заряда конденсатора (см. рис. 3.15, д, е) гок базы уменьшается, вследствие чего уменьшается степень насыщения транзистора. В момент времени t3 ток базы убывает до значения iб= ik/β, что соответствует выходу транзистора из режима насыщения. Следующий вслед за этим процесс запирания транзистора определяет момент окончания формирования блокинг-генератором импульса напряжения длительностью tв (см. рис. 3.15, г).
Время tв можно найти, положив в формуле (3.49) iб= Ek/ (β R'н)
Переход транзистора в закрытое состояние происходит за счет положительной обратной связи также лавинообразной называется обратным б л о к и н г - п р о ц е с с о м. Его начало обусловливает повышение напряжения на коллекторной и базовой обмотках трансформатора. Обратный Злокинг-процесс протекает при взаимном уменьшении токов коллектора и базы и заканчивается запиранием транзистора. Его длительность определяет время среза tс формируемого импульса. Время tс мало отличается от tф. Закрытое состояние транзистора после момента времени t4 поддерживается напряжением на конденсаторе, полярность которого указана на рис. 3.15, а.
Процессы, протекающие в схеме после запирания транзистора в момент времени t4, связаны с разрядом конденсатора и рассеянием энергии, накопленной в магнитном поле, трансформатора.
Разряд конденсатора С происходит по цепи ωб — R — Rб — (—Ек) (см. рис. 3.15, а). Вследствие разряда напряжение на конденсаторе изменяется, как показано на рис. 3.15, д.
На интервале tв трансформатор накапливает энергию [виду подключения его коллекторной обмотки ωk к источнику питания и протекания через нее тока намагничивания iμ. При запирании транзистора коллекторная обметка трансформатора отключается от источника питания. На ней индуцируется напряжение, препятствующее уменьшению тока iμ. Напряжение самоиндукции возникает также на базовой и нагрузочной обмотках. Полярности напряжений показаны на схеме замещения блокинг-геиератора, приведенной на рис. 3.16, в.
Нагрузочная обмотка трансформатора отключена от сопротивления Rн диодом Д1. Сопротивление цепи Rб — R — С — (—Ек) велико ввиду относительно большого значения Rб (десятки килоом). Относительно напряжения на коллекторной обмотке диод Д2 включен в прямом направлении. В связи с этим можно считать, что ток iμ при запирании транзистора переводится из цепи коллектора в цепь диода Д2 и резистора R1. Энергия, накопленная в магнитном поле трансформатора от протекания тока iμ на этапе tв, рассеивается в активном сопротивлении R1. Магнитное состояние сердечника трансформатора изменяется от точки 2 к точке 1 (см. рис. 3.16, б). В цепи с R1 происходит уменьшение тока iμ до нуля (см. рис. 3.15, е) с постоянной времени Lk/R1. Ток iμ в конце интервала tв (см. рис. 3.15, е) и сопротивление R1 определяют амплитуду выброса напряжения на коллекторной обмотке трансформатора при запирании транзистора: Uвыбр = IμmaxR1. Величину сопротивления R1 выбирают, исходя
из необходимости защиты транзистора от пробоя его коллекторного перехода в момент выброса: Ukmax = Ek +Iμmах R1 < Ukдоп (см. рис. 3.15, б). В отсутствие сопротивления R1, рассеяние энергии, накопленной в магнитном поле коллекторной обмотки, осуществлялось бы в приведенных к коллекторной обмотке сопротивлениях базовой цепи и сопротивлении изоляции коллекторной обмотки. При этом амплитуда выброса коллекторного напряжения Uвыбр могла бы превысить допустимое значение.
Транзистор в схеме блокинг-генератора, работающего в автогенераторном режиме, открывается, когда напряжение на его базе, определяемое напряжением на конденсаторе, достигает нулевого значения. Это определяет длительность паузы tп и частоту следования выходных импульсов блокинг-генератора. Интервал tп характеризуется процессом разряда конденсатора по цепи ωб — R — R6 — (—Ек) (см. рис. 3.15, а). Конденсатор при этом стремится перезарядиться от начального напряжения Uc max до —Ек (см. рис. 3.15, д). Приняв Uc max = Ек/nб и пренебрегая тепловым током Iк0 транзистора, находим:
При работе блокинг-генератора в режиме синхронизации в базовую цепь транзистора через конденсатор C1 подают входные импульсы напряжения отрицательной полярности (рис. 3.17, а). Собственную частоту следования импульсов блокинг-генератора выбирают несколько меньшей частоты следования входных импульсов, т. е. T> Твх. Синхронизирующие импульсы осуществляют отпирание. транзистора раньше момента естественного спадания до нуля напряжения на его базе (конденсаторе), в результате чего частота импульсов блокинг-генератора равна частоте следования импульсов синхронизации. Если период собственных колебаний много больше периода повторения синхронизирующих импульсов: Т» Твх, то блокинг-генератор работает в режиме деления частоты {рис. 3.17, б), при котором Твых=nТвх.
Для блокинг-генератора возможен и ждущий режим работы. В этом случае на базу транзистора подается начальное дополнительное напряжение смещения, в результате чего транзистор остается закрытым до подачи входного импульса ивх. Запуск блокинг-генератора осуществляют входными импульсами напряжения отрицательной полярности. При этом резистор Rб подключают на напряжение дополнительного источника положительной полярности.
