2.
Рисунок 4.34 Структура типовой конструкции РЭС (центрировать)
Более подробно см.подробно см. ГОСТ 2.10595 «Общие требования к текстовым документам»
ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ
Поз. о5опн. | Наименование | Кол. | Примечание | ||||||
Конденсаторы | |||||||||
а С2 | GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Murata | ||||||||
СЗ, Ж | GRM18—0805—ЮнФ+20%—50В—Murata | ||||||||
С5 | CTUFT491—4.7мкФ±20% 25В—Кете Г | ||||||||
С6 | К73 17—0,47мкФ± 10%—бЗОВ—ОЖОЛб1.104 ТЧ | ||||||||
С7...С9 | GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Mura fa | ||||||||
СЮ | К5035—2200мк Ф± 20 %— 10 В— 0Ж0. Ш.2ПТЯ | ||||||||
ш | МО—0805—0,6пФ— 16В— Viking | ||||||||
С12 | К10 17аН500,1мкФ±20% ОЖОЛбО. 10 7ТЧ | ||||||||
С13 | К5027—4 70мкФ±30%—160В—ОЖОЛ64, 197ТУ | ||||||||
С № | 293D—A—0,15мкФ—35В— Vishay | ||||||||
С15 | 10 %— 10BmuRata | ||||||||
С16, СП | GRM21—0805— 10нФ±20 %508muRafa | ||||||||
Микросхемы | |||||||||
DA1 | МС7800—221A—Motorola | ||||||||
DA2 | LM386N1—N08E— National semiconductor | ||||||||
DD1 | DS18В 20— T092— Maxim in tegrated | ||||||||
DD2 | PIC16F83— 18L SOiC Microchip | ||||||||
DD3 | CD4013BE—RPDIP11— Texas Isfruments | ||||||||
ВШ. | 76 0 0 5 001EA—CPDIP16Texas Istruments | ||||||||
DD5 | L298PS020ST | ||||||||
DD6 | L297—D/P20—ST | ||||||||
DD7 | CDU013BERPDIP 74Texas Istruments | ||||||||
Батарея CR2032—SONY | |||||||||
И КН. 463113.006 ЙЭЗ | |||||||||
Изм. | ЛисМ | № до кум. | Подпись | Лата | |||||
Разраб. | Иданов KM | Лит. | Лист | Листов | |||||
Пробер. | Устройство управления Перечень элементов | ||||||||
Реценз. | 40 ПГЧ 1UPK | ||||||||
И, Контр. | |||||||||
Утдерд | |||||||||
ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ
Поз. о5озн. | Наименование | Кол, | Примечание | |||||
HL1 | Индикатор символьный ACM1604D—COMPLETE LCD SOLUTIONS | |||||||
Катушки индуктивности | ||||||||
L1 | ЮНАЗМ—1812—2200мкГkk 10%muRata | |||||||
L2, L3 | L QH4 ЗМ18121, ОмкГн± 20 %muRa fa | |||||||
Резисторы | ||||||||
R1 | PI12—1206—0,25Вт—30к0м±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТУ | |||||||
R2 | ERJ—120 6—0,25В т— Ю50йк 1%—Pa nas onic | |||||||
R3, S4 | PU12—1206—0,25Вт— 1к0м±5%—ШКАБ i3i 110.002 ТЧ | |||||||
R5 | D12HR—0805—0,125ВтА 70м Ом ±5% Vi shay | |||||||
R6... R8 | PI 12—1206—0,25Bm—5600м±5%—ШКАБЛ3^110.002 ТУ | |||||||
R9 | ERJ—0805—0,125Вт—1,50м± 1%—Р anas onic | |||||||
RW | Р112—1206—0,25В гг—2 70 Ом ±5 %—LUKA БЛЗА 110.002 ТЧ | |||||||
т | ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5Х—Panasonic | |||||||
R12, R13 | ERJ—0805—0,125Вт—3,3к0м± 1%—Panasonic | |||||||
ш | Р1~ 12—1206—0,25Вт—330Ом±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТЧ | |||||||
R15 | С1 4—0,125Вт—5,1М0м±2%—Промзлектроника | |||||||
R16 | ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5%—Panasonic | |||||||
R17 | Pi12—1206—0,25Вт—4, 7кОм±5%ШКАБ.иЗА 110.002 ТЧ | |||||||
R18, R19 | ERJ—120 6—0,25В т—2 Ю0м± 5 %—Panasonic | |||||||
R20 | ERJ—0805—0,125Вт—6,BttBmk1%—Panasonic | |||||||
Диоды | ||||||||
VD1 | SF12—D0U1— Платан | |||||||
VD2 | 1N5822—D02 7Пт та н | |||||||
VD3.„ VD5 | CD21AA—DO214AC—Bourns | |||||||
VD6 | 1N5822—DO27—Платан | |||||||
VD7 | BZX84A2V4SOT23NXP Semiconductors | |||||||
ЯКИ. 463113.006 ПЭЗ | Лист | |||||||
Изм. | № до кум. | Подпись | Дата | |||||
Поз. обозн. | Наименование | Кол. | Примечание | |||||
Диоды | ||||||||
VD8 | А Л30 7А М3 АО «ПРОТОН» | |||||||
VD9 | BZX8UА2VA—SOT23—NXP Semiconductors | |||||||
Транзисторы | ||||||||
VT1 | КТ 3102Б— ТО92—Интеграл | |||||||
VT2 | FDS8333C—SQ8—Fairchild Semiconductors | |||||||
1/73., VT5 | 2 ТЗ102Е— ТО 92—Интегра л | |||||||
VT6 | C18J5—SOT23—Reef г on semiconductor | |||||||
VT7 | BC8U6—S0 Т23Philips | |||||||
VT8 | KT825— ТО221)—ПО Транзистор | |||||||
VT9, VTW | ММВ T3904L Tf—S0T23—0N Semiconductors | |||||||
VT11 | 2Т825—КТ9—П0 Транзистор | |||||||
VT12 | СWlS—S0T23—Rectron semiconductor | |||||||
Соединения контактные | ||||||||
А'П | Штырь ILZ12PLSMTYE1500—JAE | |||||||
Шк | Гнездо DS221—Платан | |||||||
MS2 | Гнездо DS026N—Платан | |||||||
ZQ1 | Кварцевый резонатор РПКОf—PCi 9Ц—2МГц—Платан | |||||||
Лист | ||||||||
ИКИ.463113.006 ПЭЗ | ||||||||
Изм. | Лист. | № докум. | Подпись | Дата | ||||
Приложение Д
СПЕЦИФИКАЦИЯ
ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ