Продолжение приложения Г




 


 

2.


Рисунок 4.34 Структура типовой конструкции РЭС (центрировать)

 

Более подробно см.подробно см. ГОСТ 2.10595 «Общие требования к тек­стовым документам»


ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

  Поз. о5опн. Наименование Кол. Примечание
       
  Конденсаторы    
а С2 GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Murata    
СЗ, Ж GRM18—0805—ЮнФ+20%—50В—Murata    
С5 CTUFT491—4.7мкФ±20% 25В—Кете Г    
С6 К73 17—0,47мкФ± 10%—бЗОВ—ОЖОЛб1.104 ТЧ    
С7...С9 GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Mura fa    
СЮ К5035—2200мк Ф± 20 %— 10 В— 0Ж0. Ш.2ПТЯ    
ш МО—0805—0,6пФ— 16В— Viking    
С12 К10 17аН500,1мкФ±20% ОЖОЛбО. 10 7ТЧ    
С13 К5027—4 70мкФ±30%—160В—ОЖОЛ64, 197ТУ    
С № 293D—A—0,15мкФ—35В— Vishay    
С15 10 %— 10BmuRata    
С16, СП GRM21—0805— 10нФ±20 %508muRafa    
       
  Микросхемы    
DA1 МС7800—221A—Motorola    
DA2 LM386N1—N08E— National semiconductor    
DD1 DS18В 20— T092— Maxim in tegrated    
DD2 PIC16F83— 18L SOiC Microchip    
DD3 CD4013BE—RPDIP11— Texas Isfruments    
ВШ. 76 0 0 5 001EA—CPDIP16Texas Istruments    
DD5 L298PS020ST    
DD6 L297—D/P20—ST    
DD7 CDU013BERPDIP 74Texas Istruments    
       
       
  Батарея CR2032—SONY    
       
          И КН. 463113.006 ЙЭЗ
         
Изм. ЛисМ № до кум. Подпись Лата
Разраб. Иданов KM       Лит. Лист Листов
Пробер.       Устройство управления Перечень элементов      
Реценз.       40 ПГЧ 1UPK
И, Контр.      
Утдерд      
                   

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ


Поз. о5озн. Наименование Кол, Примечание
       
HL1 Индикатор символьный ACM1604D—COMPLETE LCD SOLUTIONS    
       
  Катушки индуктивности    
L1 ЮНАЗМ—1812—2200мкГkk 10%muRata    
L2, L3 L QH4 ЗМ18121, ОмкГн± 20 %muRa fa    
       
       
  Резисторы    
R1 PI12—1206—0,25Вт—30к0м±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТУ    
R2 ERJ—120 6—0,25В т— Ю50йк 1%—Pa nas onic    
R3, S4 PU12—1206—0,25Вт— 1к0м±5%—ШКАБ i3i 110.002 ТЧ    
R5 D12HR—0805—0,125ВтА 70м Ом ±5% Vi shay    
R6... R8 PI 12—1206—0,25Bm—5600м±5%—ШКАБЛ3^110.002 ТУ    
R9 ERJ—0805—0,125Вт—1,50м± 1%—Р anas onic    
RW Р112—1206—0,25В гг—2 70 Ом ±5 %—LUKA БЛЗА 110.002 ТЧ    
т ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5Х—Panasonic    
R12, R13 ERJ—0805—0,125Вт—3,3к0м± 1%—Panasonic    
ш Р1~ 12—1206—0,25Вт—330Ом±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТЧ    
R15 С1 4—0,125Вт—5,1М0м±2%—Промзлектроника    
R16 ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5%—Panasonic    
R17 Pi12—1206—0,25Вт—4, 7кОм±5%ШКАБ.иЗА 110.002 ТЧ    
R18, R19 ERJ—120 6—0,25В т—2 Ю0м± 5 %—Panasonic    
R20 ERJ—0805—0,125Вт—6,BttBmk1%—Panasonic    
       
  Диоды    
VD1 SF12—D0U1— Платан    
VD2 1N5822—D02 7Пт та н    
VD3.„ VD5 CD21AA—DO214AC—Bourns    
VD6 1N5822—DO27—Платан    
VD7 BZX84A2V4SOT23NXP Semiconductors    
       
          ЯКИ. 463113.006 ПЭЗ Лист
           
Изм.   № до кум. Подпись Дата
                 

Поз. обозн. Наименование Кол. Примечание
       
  Диоды    
VD8 А Л30 7А М3 АО «ПРОТОН»    
VD9 BZX8UА2VA—SOT23—NXP Semiconductors    
       
  Транзисторы    
VT1 КТ 3102Б— ТО92—Интеграл    
VT2 FDS8333C—SQ8—Fairchild Semiconductors    
1/73., VT5 2 ТЗ102Е— ТО 92—Интегра л    
VT6 C18J5—SOT23—Reef г on semiconductor    
VT7 BC8U6—S0 Т23Philips    
VT8 KT825— ТО221)—ПО Транзистор    
VT9, VTW ММВ T3904L Tf—S0T23—0N Semiconductors    
VT11 2Т825—КТ9—П0 Транзистор    
VT12 СWlS—S0T23—Rectron semiconductor    
       
  Соединения контактные    
А'П Штырь ILZ12PLSMTYE1500—JAE    
Шк Гнездо DS221—Платан    
MS2 Гнездо DS026N—Платан    
       
ZQ1 Кварцевый резонатор РПКОf—PCi 9Ц—2МГц—Платан    
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
            Лист
          ИКИ.463113.006 ПЭЗ  
Изм. Лист. № докум. Подпись Дата
                 

Приложение Д

СПЕЦИФИКАЦИЯ


 

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

 


 


 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2019-06-03 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: