
2.

Рисунок 4.34 Структура типовой конструкции РЭС (центрировать)
Более подробно см.подробно см. ГОСТ 2.10595 «Общие требования к текстовым документам»
ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ
| Поз. о5опн. | Наименование | Кол. | Примечание | ||||||
| Конденсаторы | |||||||||
| а С2 | GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Murata | ||||||||
| СЗ, Ж | GRM18—0805—ЮнФ+20%—50В—Murata | ||||||||
| С5 | CTUFT491—4.7мкФ±20% 25В—Кете Г | ||||||||
| С6 | К73 17—0,47мкФ± 10%—бЗОВ—ОЖОЛб1.104 ТЧ | ||||||||
| С7...С9 | GRM18—0603—0.1мкФ±5%—25В—Mura fa | ||||||||
| СЮ | К5035—2200мк Ф± 20 %— 10 В— 0Ж0. Ш.2ПТЯ | ||||||||
| ш | МО—0805—0,6пФ— 16В— Viking | ||||||||
| С12 | К10 17аН500,1мкФ±20% ОЖОЛбО. 10 7ТЧ | ||||||||
| С13 | К5027—4 70мкФ±30%—160В—ОЖОЛ64, 197ТУ | ||||||||
| С № | 293D—A—0,15мкФ—35В— Vishay | ||||||||
| С15 | 10 %— 10BmuRata | ||||||||
| С16, СП | GRM21—0805— 10нФ±20 %508muRafa | ||||||||
| Микросхемы | |||||||||
| DA1 | МС7800—221A—Motorola | ||||||||
| DA2 | LM386N1—N08E— National semiconductor | ||||||||
| DD1 | DS18В 20— T092— Maxim in tegrated | ||||||||
| DD2 | PIC16F83— 18L SOiC Microchip | ||||||||
| DD3 | CD4013BE—RPDIP11— Texas Isfruments | ||||||||
| ВШ. | 76 0 0 5 001EA—CPDIP16Texas Istruments | ||||||||
| DD5 | L298PS020ST | ||||||||
| DD6 | L297—D/P20—ST | ||||||||
| DD7 | CDU013BERPDIP 74Texas Istruments | ||||||||
| Батарея CR2032—SONY | |||||||||
| И КН. 463113.006 ЙЭЗ | |||||||||
| Изм. | ЛисМ | № до кум. | Подпись | Лата | |||||
| Разраб. | Иданов KM | Лит. | Лист | Листов | |||||
| Пробер. | Устройство управления Перечень элементов | ||||||||
| Реценз. | 40 ПГЧ 1UPK | ||||||||
| И, Контр. | |||||||||
| Утдерд | |||||||||
ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ
| Поз. о5озн. | Наименование | Кол, | Примечание | |||||
| HL1 | Индикатор символьный ACM1604D—COMPLETE LCD SOLUTIONS | |||||||
| Катушки индуктивности | ||||||||
| L1 | ЮНАЗМ—1812—2200мкГkk 10%muRata | |||||||
| L2, L3 | L QH4 ЗМ18121, ОмкГн± 20 %muRa fa | |||||||
| Резисторы | ||||||||
| R1 | PI12—1206—0,25Вт—30к0м±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТУ | |||||||
| R2 | ERJ—120 6—0,25В т— Ю50йк 1%—Pa nas onic | |||||||
| R3, S4 | PU12—1206—0,25Вт— 1к0м±5%—ШКАБ i3i 110.002 ТЧ | |||||||
| R5 | D12HR—0805—0,125ВтА 70м Ом ±5% Vi shay | |||||||
| R6... R8 | PI 12—1206—0,25Bm—5600м±5%—ШКАБЛ3^110.002 ТУ | |||||||
| R9 | ERJ—0805—0,125Вт—1,50м± 1%—Р anas onic | |||||||
| RW | Р112—1206—0,25В гг—2 70 Ом ±5 %—LUKA БЛЗА 110.002 ТЧ | |||||||
| т | ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5Х—Panasonic | |||||||
| R12, R13 | ERJ—0805—0,125Вт—3,3к0м± 1%—Panasonic | |||||||
| ш | Р1~ 12—1206—0,25Вт—330Ом±5%—ШКАБЛЗА 110.002 ТЧ | |||||||
| R15 | С1 4—0,125Вт—5,1М0м±2%—Промзлектроника | |||||||
| R16 | ERJ—1206—0,25В т— 715кОШ5%—Panasonic | |||||||
| R17 | Pi12—1206—0,25Вт—4, 7кОм±5%ШКАБ.иЗА 110.002 ТЧ | |||||||
| R18, R19 | ERJ—120 6—0,25В т—2 Ю0м± 5 %—Panasonic | |||||||
| R20 | ERJ—0805—0,125Вт—6,BttBmk1%—Panasonic | |||||||
| Диоды | ||||||||
| VD1 | SF12—D0U1— Платан | |||||||
| VD2 | 1N5822—D02 7Пт та н | |||||||
| VD3.„ VD5 | CD21AA—DO214AC—Bourns | |||||||
| VD6 | 1N5822—DO27—Платан | |||||||
| VD7 | BZX84A2V4SOT23NXP Semiconductors | |||||||
| ЯКИ. 463113.006 ПЭЗ | Лист | |||||||
| Изм. | № до кум. | Подпись | Дата | |||||
| Поз. обозн. | Наименование | Кол. | Примечание | |||||
| Диоды | ||||||||
| VD8 | А Л30 7А М3 АО «ПРОТОН» | |||||||
| VD9 | BZX8UА2VA—SOT23—NXP Semiconductors | |||||||
| Транзисторы | ||||||||
| VT1 | КТ 3102Б— ТО92—Интеграл | |||||||
| VT2 | FDS8333C—SQ8—Fairchild Semiconductors | |||||||
| 1/73., VT5 | 2 ТЗ102Е— ТО 92—Интегра л | |||||||
| VT6 | C18J5—SOT23—Reef г on semiconductor | |||||||
| VT7 | BC8U6—S0 Т23Philips | |||||||
| VT8 | KT825— ТО221)—ПО Транзистор | |||||||
| VT9, VTW | ММВ T3904L Tf—S0T23—0N Semiconductors | |||||||
| VT11 | 2Т825—КТ9—П0 Транзистор | |||||||
| VT12 | СWlS—S0T23—Rectron semiconductor | |||||||
| Соединения контактные | ||||||||
| А'П | Штырь ILZ12PLSMTYE1500—JAE | |||||||
| Шк | Гнездо DS221—Платан | |||||||
| MS2 | Гнездо DS026N—Платан | |||||||
| ZQ1 | Кварцевый резонатор РПКОf—PCi 9Ц—2МГц—Платан | |||||||
| Лист | ||||||||
| ИКИ.463113.006 ПЭЗ | ||||||||
| Изм. | Лист. | № докум. | Подпись | Дата | ||||
Приложение Д
СПЕЦИФИКАЦИЯ

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

