На рисунке 1.14 представлена зависимость порогового напряжения n-канального МОП-транзистора с затвором n+-типа от концентрации примеси в подложке Nп. По техническому заданию 
. Концентрация примеси в подложке составляет 
, тип примеси – акцепторы (B). По результатам моделирования для получения необходимого значения порогового напряжения необходимо провести корректировку порогового напряжения путем подлегирования поверхности подложки акцепторами, а именно бором, до концентрации в подложке 
.
Рисунок 1.14 - Зависимость порогового напряжения n-МОП-транзистора от концентрации примеси в подложке (в области канала) с параметром толщины подзатворного диэлектрика
На рисунке 1.15 представлена зависимость порогового напряжения p-канального МОП-транзистора с затвором p+-типа от концентрации примеси в подложке Nп (кармане). По техническому заданию 
. Концентрация примеси в кармане составляет 
, тип примеси – доноры (As). По результатам моделирования для получения необходимого значения порогового напряжения необходимо провести корректировку порогового напряжения путем подлегирования поверхности подложки донорами концентрации 
.
Рисунок 1.15 - Зависимость порогового напряжения p-МОП-транзистора от концентрации примеси в кармане (в области канала) с параметром толщины подзатворного диэлектрика
1.5. Построение эскизов одномерных распределений примеси в вертикальных сечениях затвора и стока-истока. [3]
Вид полученных распределений для p-МОП-транзистора показан на рисунках 1.16 и 1.18, а для n-МОП-транзистора на рисунках 1.17 и 1.19.
Рисунок 1.16 - Эскиз результирующего распределения примеси для p-МОП-транзистора в n-кармане с учетом подлегирования под затвор
Рисунок 1.17 - Эскиз результирующего распределения примеси дляn-МОП-транзистора в p-подложке с учетом подлегирования под затвор
Рисунок 1.18 – Эскиз результирующего распределения примеси в вертикальном сечении в области стока-истокаp-МОП-транзистора в n-кармане
Рисунок 1.19 – Эскиз результирующего распределения примеси в вертикальном сечении в области стока-истокаn-МОП-транзистора в p-подложке
Заключение
В данном проекте разработан полный технологический маршрут изготовления КМОП-структуры, используемой в проектируемом устройстве. Выбраны оптимальные режимы каждой из технологических операция, а именно: формирование кармана, формирование заданного типа изоляции, формирование подзатворного оксида, подгонка порогового напряжения путем подлегирования канала, формирование LDD-областей, формирование областей стока-истока. На этапе формирования кармана выбран тип подложки КДБ-10 с кристаллографической ориентацией (100).
Список использованных источников
1. М.А. Королев, А.Ю. Красюков, С.А. Поломошнов. Учебное пособие по дисциплине “Современные проблемы технологии наноэлектроники”. – М.: МИЭТ, 2011. – 100 с.
2. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: уч. пособие. –М.: Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009.
3. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников, А.В., Козлов, Красюков А.Ю. Лабораторный практикум по курсу "Моделирование в среде TCAD". Часть 2. Приборно- технологическое моделирование элементов интегральных схем / Под редакцией Т.Ю. Крупкиной. – М.: МИЭТ, 2012. – 140 с.