Классификация и основные характеристики ИМС 2 глава

Тепловой ток кремниевого перехода много меньше теплового токо переехода на основе германия (на 3-4 порядка). Это связано с j_к материала.

С увеличением площади перехода возрастает его обьем, а следовательно возрастает число неосновных носителей появляющихся в результате термогенерации и тепловой ток.

Вопрос 8

1.2.5. ВАХ р-n перехода

Это зависимость тока через р-n переход от напряжения на нём i=f(u).

Аналитически, при прямом и обратном смещении ВАХ записывают в виде

Часто ВАХ, для наглядности представляют в виде графиков.

График вольт амперной характеристики приведен на рис.. Для наглядности прямая и обратная ветви показаны в разных масштабах, например, по току масштабы отличаются в тысячу раз. Главное свойство p-n перехода – это его односторонняя проводимость, т.е. способность пропускать ток в прямом направлении и практически не пропускать в обратном.

Если прямую и обратную ветвь построить в одном масштабе, то ВАХ p-n перехода имеет вид, как показано на рис.. Из рисунка четко видно, что p-n переход обладает односторонней проводимостью, т. е. I_пр>>I_обр или R_пр<<R_обр.

Дифференциальное сопротивление p-n перехода при прямом смещении определяется из соотношения r_диф= j_т/I. Так, например, при I=1мА и j_т=25мВ r_диф=25Ом.

 

 

Вопрос 9

1.2.7. Пробой p-n перехода

Согласно математической модели p-n-перехода его обратный ток равен тепловому I_обр = I₀ и не зависит от величины обратного напряжения. Однако при значительных обратных напряжениях возникает резкое возрастание тока. Это явление, резкогое возрастания тока при обратном смещении p-n перехода, называют пробоем p-n-перехода, а напряжение, при котором происходит это явление - напряжением пробоя. Классификация видов пробоя показана на рис..

Электрический пробой обратимый, т.е. после уменьшения величины обратного напряжения p-n-переход восстанавливает свои первоначальные свойства. Тепловой пробой, необратимый. Он сопровождается разрушением кристаллической решетки p-n-перехода, после чего p-n-переход не восстанавливает свои первоначальные свойства.

Лавинный пробой происходит в слаболегированных - “широких” p-n-переходах и состоит в ударной ионизации. При достаточно большой напряжённости электрического поля электроны достигают скоростей, при которых выбивают из атома собственного полупроводника валентные электроны, которые в свою очередь выбивают новые. Этот процесс происходит лавинообразно и потому пробой называется лавинообразным.

Туннельный пробой происходит в сильнолегированных, “узких”, p-n-переходах, и состоит в отрыве под действием сильного электрического поля валентных электронов, в результате чего в объёме p-n-перехода образуются новые свободные носители заряда.

Тепловой переход возникает вследствие разогрева p-n-перехода собственным обратным током. Тепловой пробой возникает, когда мощность, подводимая к переходу Р_подв=U_обрI₀ становится больше отводимой Р_отв. При протекании обратного тока температуры p-n-перехода повышается, это ведет к усилению процесса термогенерации, т.е. к росту числа неосновных носителей заряда. Это приводит к новому увеличению J_обр, что приводит к ещё большему разогреву p-n-перехода. Этот процесс развивается лавинообразно, в результате чего температура повышается и происходит расплавление p-n-перехода.

Вольт амперная характеристика при различных пробоях показана на рис..:

(1) - Лавинный. (2) - Туннельный. (3) - Тепловой. На этих зависимостях участок 1-2 – электрический пробой, а участок 2-3 – тепловой пробой.

 

Вопрос 10

1.2.6. Ёмкость p-n перехода

Тот факт, что p-n переход накапливает электрический заряд свидетельствует о том, что он обладает ёмкостью. Емкость p-n перехода состоит из двух составляющих -различают барьерную и диффузионную емкости.

-.

а) При обратном смещении преобладает барьерная емкость С_бар>С_диф. Она связана с неподвижными ионами примесей, коцентрация которых невелика. Величина этой емкости зависит от величины напряжения на p-n переходе.

,

где - ёмкость, при , - обратное напряжение, - зависит от типа p-n перехода (n=1/2 – для резкого, n=1/3 – для плавного перехода), ε — диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала; П — площадь р-n-перехода.

Эта зависимость связана с тем, что при увеличении обратного напряжения p-n переход расширяется. Из формулы (1.8) следует, что барьерная емкость зависит от площади перехода П, напряжения на переходе U, а также от концентрации примесей.

Модельным аналогом барьерной емкости может служить емкость плоского конденсатора, обкладками которого являются р- и n -области, а диэлектриком служит р-n -переход, практически не имеющий подвижных зарядов. Значение барьерной емкости колеблется от десятков до сотен пикофарад, а изменение этой емкости при изменении напряжения может достигать десятикратной величины.

б) Диффузионная ёмкость, преобладает (С_диф>>С_бар) при прямом смещении p-n-перехода и характеризуется накоплением неосновных носителей зарядов вблизи p-n-перехода при протекании прямого диффузионного тока (тока инжекции)

, ,

где - время жизни неосновных носителей заряда, - время, в течение которого протекает прямой ток I_пр.

Значения диффузионной емкости могут иметь порядок от сотен до тысяч пикофарад.

В целом, если сравнивать диффузионную и барьрную емкости, то выполняется соотношение С_диф>>С_бар. Это связано с тем, что диффузионная емкость связана с прямым, диффузионным током (током основных носителей заряда), который может достигать больших величин.

На практика используется лишь барьерная ёмкость, т.к. диффузионная емкость обладает малой добротностью, поскольку параллельно этой ёмкости включён p-n переход, смещённый в прямом направлении с малым прямым сопротивлением.

Вопрос 11

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами. Большинство диодов изготовлены на основе несимметричных p-n-переходов. При этом одна из областей диода, обычно (р⁺) высоколегированна и называется эмиттер, другая (n) - слаболегированная – база. Р-n-переход размещается в базе т.к она слаболегирована. Структура, условное обозначение и название выводов показаны на рис. 3.1. Между каждой внешней областью полупроводника и ее выводом имеется омический контакт, который на рис. 3.1 показан жирной чертой.

В зависимости от технологии изготовления различают: точечные диоды, сплавные и микросплавные, с диффузионной базой, эпитаксиальные и др.

По функциональному назначению диоды делятся: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны и стабисторы, варикапы, тунельные и обращенные, а также СВЧ-диоды и др.

Вопрос 12

2.1. Вольт-амперная характеристика диода

В реальном диоде прямая (кривая 1) и обратная ветви вольт амперной характеристики (ВАХ) отличаются от ВАХ p-n-перехода (рис.3.2).

При прямом смещении необходимо учитывать объёмное сопротивление областей базы r_б и эмиттера r_э диода (рис.3.3.), обычно r_б>>r_э. Падение напряжения на обьемном сопротивлении от тока диода, становятся существенным при токах, превышающих единицы миллиампер. Кроме того, часть напряжения падает на сопротивлении выводов. В результате напряжение непосредственно на р-n-переходе будет меньше напряжения, приложенного к внешним выводам диода. Это приводит к смещению прямой ветви ВАХ вправо (кривая 2) и почти линейной зависимости от приложенного напряжения. ВАХ диода с учетом обьемного сопротивления записывается выражением

,

где U_пр — напряжение, приложенное к выводам; r — суммарное сопротивление базы и электродов диода, обычно r=r_б.

Обратная ветвь диода зависит от величины обратного напряжения, т.е. наблюдается рост обратного тока. Это объясняется тем, что обратный ток диода состоит из трех составляющих:

I_обр =I₀ + I_тг + I_ут

где I₀ – тепловой ток перехода; I_тг – ток термогенерации. Он возрастает с увеличением обратного напряжения. Это связано с тем, что p-n перехода расширяется, а следовательно увеличивается количество неосновных носителей, образующихся в нем за счёт термогенерации. Ток термогенерации дает основной вклад в обратный ток диода. Он на 4-5 порядка больше тока I₀.

I_ут – ток утечки. Он связан конечной величиной проводимости поверхности кристалла, из которого изготовлен диод. В современных диодах он всегда меньше термотока.

Вопрос 13

2.2 Эквивалентная схема диода

Это схема, состоит из электрических элементов, которые учитывают физические процессы, происходящие в p-n переходе, и влияние элементов конструкции на электрические свойства.

Эквивалентная схема замещения p-n переходеа при малых сигналах, когда можно не учитывать нелинейных свойств диода приведена на рис..

Здесь С_д — общая емкость диода, зависящая от режима; R_п = R_диф — дифференциальное сопротивление перехода, значение которого определяют с помощью статической ВАХ диода в заданной рабочей точки (R_диф = DU/DI|_U=const); r_б — распределенное электрическое сопротивление базы диода, его электродов и выводов, R_ут – сопротивление утечки. Иногда схему замещения дополняют емкостью между выводами диода С_В, емкостями С_вх и С_вых (показаны пунктиром) и индуктивностью выводов L_В.

Эквивалентная схема при больших сигналах аналогична предыдущей. Однако в ней учитываются нелинейные свойства р-n- перехода путем замены дифференциального сопротивления R_диф на источник зависимый источник тока I = I₀(e^U/jT – 1).

Вопрос 14

2.3 Влияние температуры на ВАХ диода

температура окружающей среды оказывает существенное влияние на вольт-амперную характеристику диода. С изменением температуры несколько меняется ход как прямой, так и обратной ветви ВАХ.

При увеличении температуры возрастает концентрация неосновных носителей в кристалле полупроводника. Это приводит к росту обратного тока перехода (за счет увеличения тока двух его составляющих: I_о и Iтг), а также уменьшению обьемного сопротивления области базы. При увеличении температуры обратный ток насыщения увеличивается примерно в 2 раза у германиевых и в 2,5 раза у кремниевых диодов на каждые 10 °С. Зависимость обратного тока от температуры аппроксимируется выражением

I ₀(Т)= I _(То)2^{(Т-То)/Т*},

где: I _(Т0)-ток измерен при температуре Т0; Т – текущая температура; Т* - температура удвоения обратного тока - (5-6)⁰С – для Ge и (9-10)⁰С – для Si.

Максимально допустимое увеличение обратного тока диода определяет максимально допустимую температуру диода, которая составляет 80— 100 °С для германиевых диодов и 150 — 200 °С для кремниевых..

Ток утечки слабо зависят от температуры, но может существенно изменяться во времени. Поэтому он, в основном, определяет временную нестабильность обратной ветви ВАХ.

Прямая ветвь ВАХ при увеличении температуры сдвигается влево и становится более крутой (рис. 3.3). Это объясняется ростом I_обр (3.2) и уменьшением r_б, Последнее, уменьшает падение напряжения на базе, а напряжение непосредственно на переходе растет при неизменном напряжении на внешних выводах.

Для оценки температурной нестабильности прямой ветви вводится температурный коэффициент напряжения (ТКН) a_т=DU/DT, показывающий, как изменится прямое напряжение на диоде с изменением температуры на 1⁰С при фиксированном прямом токе. В диапазоне температур от -60 до +60"С a_т @-2,3 мВ/°С.

Вопрос 15

2.4 Выпрямительные диоды

Выпрямительные диоды – предназначены для выпрямления низкочастотного переменного тока и обычно используются в источниках питания. Под выпрямлением понимают преобразование двухполярного тока в однополярный. Для выпрямления используется основное свойство диоды – их одностороняя проводимость.

В качестве выпрямительных диодов в источниках питания для выпрямления больших токов используют плоскостные диоды, которые имеют большую площадь контакта р и п областей. Такие диоды обладают большой барьерная емкостью, емкостное сопротивление Xc=1/(ωC) с ростом частоты становится мало и закорачивает (шунтирует) сопротивление перехода г_pn, в результате чего выпрямления не выполняется, но это не существенно, т.к. такие диоды используют в низкочастотных схемах. Кроме того иакие диоды имеет большую величину обратного тока.

Основные параметры выпрямительных диодов даются применительно к их работе в однополупериодном выпрямителе с активной нагрузкой (без конденсатора, сглаживающего пульсации).

Среднее прямое напряжение U_пр.._ср — среднее за период прямое напряжение на диоде при протекании через него максимально допустимого выпрямленного тока.

Средний обратный ток I_{обр. ср} — средний за период обратный ток, измеряемый при максимальном обратном напряжении.

Максимально допустимое обратное напряжение U_{обр. mах} (U_{обр. и mах}) - наибольшее постоянное (или импульсное) обратное напряжение, при котором диод может длительно и надежно работать.

Максимально допустимый выпрямленный ток I_{вп. ср mаах}— средний за период ток через диод (постоянная составляющая), при котором обеспечивается его надежная длительная работа.

Максимальная частота f_мах — наибольшая частота подводимого напряжения, при которой выпрямитель на данном диоде работает достаточно эффективно, а нагрев диода не превышает допустимой величины.

Средняя рассеиваемая мощность диода Р_{ср Д} – средняя за период мощность рассеиваемая диодом при протекании тока в прямом и обратном направлении.

Превышение максимально допустимых величин ведет к резкому сокращению срока службы или пробою диода.

Улучшая условия охлаждения (вентиляцией, применением радиаторов), можно увеличить отводимую мощность и избежать теплового пробоя. Применение радиаторов позволяет также увеличить прямой ток.

Промышленностью выпускаются кремниевые выпрямительные диоды на токи до сотен ампер и обратные напряжения до тысяч вольт. Если необходимо работать при обратных напряжениях, превышающих допустимые Uобр для одного диода, то диоды соединяют последовательно. Для увеличения выпрямленного тока можно применяться параллельное включение диодов.

Однополупериодный выпрямитель. Трансформатор служит для понижения амплитуды переменного напряжения. Диод служит для выпрямления переменного тока.

 

Двухполупериодный выпрямитель. Предыдущая схема имеет существенный недостаток. Он состоит в том, что не используется часть энергии первичного источника питания (отрицательный полупериод). Недостаток устраняется в схеме двухполупериодного выпрямителя.

 

В первый положительный (+) полупериод, ток протекает так: +, VD 3, , VD 2, -.

Во второй – отрицательный (-) так: +, VD 4, , VD 1,-. В обоих случаях он через нагрузку протекает в одном направлении ↓- сверху вниз, т.е. происходит выпрямление тока.

 

Вопрос 16

2.5 Импульсные диоды

Импульсные диоды – это диоды, которые предназначены для работы в ключевом режиме в импульсных схемах. Диоды в таких схемах выполняют роль электрических ключей. Электрический ключ имеет два состояния:

Замкнутое, когда его сопротивление равно нулю R_vd =0.

Разомкнутое, когда его сопротивление бесконечно R_vd=∞.

Этим требованиям удовлетворяют диоды в зависимости от полярности приложенного напряжения. Они имеют малое сопротивление при смещениях в прямом направлении, и большое сопротивление при смещениях в обратном направлении

Важным параметром переключающих диодов является их быстродействие переключения. Факторами, ограничивающими скорость переключения диода, является:

а) ёмкость диода.

б) скорость диффузии и связанные с ней время накопления и рассасывания неосновных носителей заряда.

В импульсных диодах высокая скорость переключения достигается уменьшением площади p-n-перехода, что снижает величину ёмкости диода. Однако, это уменьшает величину максимального прямого тока диода (I _{прям.max.}). Импульсные диоды характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные, но имеют так же и специфические, связанные с быстродействием переключения. К ним относятся:

Время установления прямого напряжения на диоде (t _уст):

t _уст. – время, за которое напряжение на диоде при включении прямого тока достигает своего стационарного значения с заданной точностью. Это время связанно со скоростью диффузии состоит в уменьшением сопротивления области базы за счёт накопления в ней неосновных носителей заряда инжектируемых эмиттером. Первоначально оно высоко, т.к. мала концентрация носителей заряда. После подачи прямого напряжения концентрация неосновных носителей заряда в базе увеличивается, это снижает прямое сопротивление диода.

Время восстановления обратного сопротивления диода (t _восст.): определяется как время, в течение которого обратный ток диода после переключения полярности приложенного напряжения с прямого на обратное достигает своего стационарного значения с заданной точностью. Это время связано с рассасыванием из базы неосновных носителей заряда накопленных при протекании прямого тока.

t _восст. – время, за которое обратный ток через диод при его переключении достигает своего стационарного значения, с заданной точностью I₀, обычно 10% от максимального обратного тока.

t _восст.= t_{1 .}+ t_{2 .}

t_{1 .} – время рассасывания, за которое концентрация неосновных носителей заряда на границе р-п-перехода обращается в ноль.

t_{2 .} – время разряда диффузионной емкости, связанное рассасыванием неосновных зарядов в объме базы диода.

В целом время восстановление это время выключения диода, как ключа.

Вопрос 17

2.6 Диоды Шотки.

Электрический переход, возникающий на границе металл – полупроводник, при определенных условиях обладает выпрямительными свойствами. Он создаётся путём напыления металла на высокоомный полупроводник, например, n-типа. Прибор на основе такого перехода называется диодом Шотки. Главная особенность этого диода – это отсутствие неосновных носителей заряда в процессе его работы. Прямой ток обусловлен электронами, движущимися из кремния в металл. Следовательно, практически отсутствуют процессы их накопления и рассасывания, а потому диоды Шоттки имеют высокое быстродействие переключения.

Другой особенностью этих диодов является малое (по сравнению с обычными кремниевыми диодами) прямое напряжение, составляющее около 0,3 В. Это связано с тем, что тепловой ток примерно на три порядка превышает ток р-п- перенхода.

В импульсных схемах диоды Шоттки широко используются в комбинации с транзисторами. Такие транзисторы называются транзисторами Шотки – они имеют высокое быстродействие переключения.

 

Вопрос 18

2.7 Стабилитроны и стабисторы

Стабилитрон – это полупроводниковый диод, изготовленный из слабо легированного кремния, который применяется для стабилизации постоянного напряжения. ВАХ стабилитрона при обратном смещении имеет участок малой зависимости напряжения от тока протекающего через него. Этот участок возникает за счёт электрического пробоя (рис. 1.5). На участке 1-2 напряжение на диоде остается практически постоянным при изменении тока через диод.

Стабилитрон характеризуется следующими параметрами:

Номинальное напряжение стабилизации U_{ст. ном} — номинальное напряжение на стабилитроне в рабочем режиме (при заданном токе стабилизации);

номинальный ток стабилизации I_ст.ном – ток через стабилитрон при номинальном напряжении стабилизации;

минимальный ток стабилизации Iст min — наименьшее значение тока стабилизации, при котором режим пробоя устойчив;

максимально допустимый ток стабилизации Iст max — наибольший ток стабилизации, при котором нагрев стабилитронов не выходит за допустимые пределы.

Дифференциальное сопротивление г_ст — отношение приращения напряжения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации: г_ст= DU_ст /DIст.

ТКН – температурный коэффициент напряжения стабилизации:

,

– относительное изменение напряжения на стабилитроне приведённое к одному градусу. U _ст.ном. < 5В – при туннельном пробое.

U _ст.ном. > 5В – при лавинном пробое.

К параметрам стабилитронов также относят максимально допустимый прямой ток Imax, максимально допустимый импульсный ток Iпр.и max, максимально допустимую рассеиваемую мощность Р max.

Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на нагрузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки, для фиксации уровня напряжения и т. д.

Параметрический стабилизатор напряжения (рис.9.). Он служит для обеспечения постоянства напряжения на нагрузке (U_н) при изменении постоянного напряжения питания (U_пит) или сопротивления нагрузки (R_н).

Нагрузка (потребитель) включена параллельно стабилитрону. Ограничительное сопротивление (R_огр) служит для установления и поддержания правильного режима стабилизации. Обычно R_огр рассчитывают для средней точки ВАХ стабилитрона (рис.5). Схема обеспечивает стабилизацию напряжения за счёт перераспределения токов I _VD и I _Н

Проведем анализ работы схемы.

По второму закону запишем соотношение:

U_пит = (I _VD + I _Н) R_огр+ U _н

Изменение напряжения питания на DU_пит, приводит к появлению приращения напряжению на нагрузке на D U _н и токов D I _VD =D U _н/r_ст, D I _Н=D U _н/ R_н. Запишем исходное уравнение относительно приращений:

DU_пит = (D U _н/r_ст + D U _н/ R_н) R_огр+D U _н = D U _н(1/r_ст + 1/R_н) R_огр+D U _н.

Разрешим его относительно D U _н, получим

D U _н = D U _н/[1+ R_огр/r_ст + R_огр/R_н.]

Поскольку R_огр/r_ст велико, то D U _н мало. Чем больше R_огр и меньше r_ст тем меньше изменения выходного напряжения.

Расчёт схемы (обычно задано U _пит. и R _Н):

Выбор стабилитрона VD₁ из условий: и I _ст.ном.> I _н.

Расчет

Разновидности стабилитронов:

1. Прецизионные. Они имею малое значение ТКН и нормированную величину U _ст.ном. Малое ТКН достигается путем включения последовательно со стабилитроном (VD2), имеющим положительный ТКН диоды (VD1) в прямом направлении, ТКН которого отрицателен. Поскольку общий ТКН равен их сумме, то он оказывается малым по величине.

2. Двуханодный стабилитрон. Он состоит из двух стабилитронов включенных встречно-последовательно и применяется для стабилизации амплитуды переменных напряжений.

Стабисторы – это полупроводниковые диоды в которых для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ. В таких диодах база сильно легирована примесями (r_б→0), а потому их прямая ветвь практически идет вертикально. Параметры стабистора аналогичны параметрам стабилитрона. Они применяются для стабилизации малых напряжений (U _ст.ном. ≈0.6В).), ток стабисторов – от 1мА до нескольких десятков мА и отрицательный ТКН.

Вопрос 19

2.8 Варикапы

Варикап - это полупроводниковый диод, предназначенный для использования в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения.При увеличении обратного напряжения емкость варикапа уменьшается по закону

(1-10)

где — емкость диода при нулевом обратном напряжении, здесь S_p-n – площадь р-n-перехода, l_p-n – ширина р-n-перехода; φ_к — контактная разность потенциалов; n— коэффициент, зависящий от типа варикапа (n= 1/2- 1/З); U – обратное напряжения на варикапе.

Условное обозначение варикапа и график зависимости С(u) приведены на рис..

Варикап, предназначенный для умножения частоты сигнала, называют варактором.

К основным параметрам варикапа относят:

Общая емкость варикапа Св – емкость, измеренная при определенном обратном напряжении (измеряется при U =5В и составляет десятки – сотни рФ)