Обезжиривание пластин. Реактивы. Способы обезжиривания





Полирующее травление. Задачи травления. Принцип кислотного травления. Основные компоненты кислотного травителя

Полирующее травление

Задача – снять механически нарушенный слой, оголить монокристаллическую структуру

Принцип кислотного травления – кремний не растворяется, но окись кремния растворяется

Состав травителя – окислитель, комплексообразователь (растворитель окисла), вода, ингибитор, катализатор

Кислотный травитель

- окислитель – HNO3

- комплексообразователь – HF

- среда – Н2О

- ингибитор – CH3COOH

Схема реакций:

Si + 4HNO3 → SiО2 + 4NO2ГАЗ↑ + 2H2О

SiО2 + 4HF → SiF4 + 2Н2О

SiF4 – растворимое соединение

Щелочное травление кремния. Состав щелочного травителя

Травление кремния. Химическая инертность кремния объясняется наличием на исходной пластине оксидной пленки, которая растворима только в водных растворах щелочей и плавиковой кислотьи Поэтому для химической обработки кремния используют два вида травителей: кислотный и щелочный. В качестве кислотных травителей применяют различные смеси азотной и плавиковой кислот. Максимальная скорость травления кремния достигается при соотношении HN03: HF= 1 : 4,5 в молярных долях. Растворение кремния в этом составе травителя происходит по следующей реакции: 3Si-r-+ 4HN03+18HF = 3H2SiF6 + 4NO + 8H20.

За счет разницы в концентрации травителя у выступов и впадин, которые имеют место на поверхности кремния, происходит более быстрое растворение выступов. Это приводит к сглаживанию поверхности полупроводниковой подложки.

В качестве щелочных травителей используют водные (10—20%) растворы КОН и NaOH. Травление кремния в щелочных составах проводят при температуре 90—100°С. Обработка в щелочных тра-вителях не дает желаемой зеркальной поверхности кремния, поэтому данный вид травителя в качестве полирующего не нашел широкого практического применения в промышленности. Однако щелочный травитель часто используют для так называемого анизотропного травления, т. е. в тех случаях, когда требуется вытравить на поверхности подложки лунку определенной формы. Особый интерес представляют лунки V-образной формы, широко используемые для. изоляции отдельных областей ИМС.

- окислитель – Н2О

- комплексообразователь – КОН, NaOH

Схема реакций

Si + 2H2О → SiО2 + 2Н2ГАЗ

SiО2 + хH2О → SiО2 · хН2О

SiО2 · хН2О + 2КОН → К2SiО2 + хH2О

недостаток травителя – загрязнение ионами Na+

2.7 Отмывка пластин после травления. Сушка пластин

Остановка реакции и отмывка от следов химических реактивов

- остановка – водой

- отмывка – водой до восстановления входного удельного сопротивления воды 18 МОм

Сушка пластин после отмывки

- центрифуга

- сушильный шкаф с продувкой

- ИК – сушка

- микроволновая сушка

Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля

- микроскоп – под “косым” углом освещения

- микроскоп – в тёмном поле

- смачиваемость – окунанием в воду, распылением воды, запотеванием – угол смачивания

- трибометрия – обезжиренная поверхность обеспечивает высокое трение, жирная (грязная) поверхность скользит

Газофазная эпитаксия кремния

Основные реакции получения эпитаксиальных пленок кремния

Основные термины:

Эпитаксия – ориентированное наращивание

Гомоэпитаксия – материал слоя и подложки идентичен (кремний на кремнии)

Гетероэпитаксия – материал слоя и подложки различаются (AlXGa1-X на подложке GaAs)





Читайте также:
Образование Киргизкой (Казахской) АССР: Предметом изучения Современной истории Казахстана являются ...
Основные признаки растений: В современном мире насчитывают более 550 тыс. видов растений. Они составляют около...
Основные направления модернизма: главной целью модернизма является создание...
Эталон единицы силы электрического тока: Эталон – это средство измерения, обеспечивающее воспроизведение и хранение...

Рекомендуемые страницы:



Вам нужно быстро и легко написать вашу работу? Тогда вам сюда...

Поиск по сайту

©2015-2021 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-02-12 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту:

Мы поможем в написании ваших работ! Мы поможем в написании ваших работ! Мы поможем в написании ваших работ!
Обратная связь
0.01 с.