Нанесение сверхтонкого слоя фоторезиста (Ленгмюровские пленки).

Этот метод послойного наращивания на подложках однородных и стабильных кристаллических молекулярных пленок с желаемым числом слоев является, по-видимому, единственным, с помощью которого на гладкие подложки (например, стеклянные или металлические) можно наносить сплошные

ориентированные пленки многих органических веществ (стеарата бария, стеариновой кислоты, некоторых стеринов и многих других) известной и контролируемой толщины от единиц нанометров до нескольких микрометров с точностью ~2,5 нм.

Ленгмюровские пленки принимают форму той поверхности, на которую их наносят, и могут быть полезными для травления металлических пленок, которые пересекают ступеньки.

Методики, основанные на технологии Ленгмюра–Блоджетт, позволяют без значительных материальных затрат воспроизводимо получать двумерные молекулярные моно- и мультислои на основе органических амфифильных веществ. Особенностью данных методик является то, что сплошной упорядоченный мономолекулярный слой, представляющий собой своего рода двумерный кристалл, предварительно фор-

мируется на поверхности субфазы и впоследствии целостно переносится на поверхность подложки (см. рис. 2.19).

1. Совмещение и экспонирование.

1. Оптические эффекты при контактной печати.

1. Проявление изображения в фоторезисте. Основные профили проявления и технологические пути достижения этих профилей.

Проявление фоторезиста после экспонирвания

-проявители негативных резистов: трихлорэтилен, бензол, толуол,..

-проявители позитивных резистов: водноглицериновые растворы щелочей (2% раствор тринатрийфосфата)

1. Факторы, определяющие качество травления технологического слоя.

· Адгезия фоторезиста к слою

· Степень задубливания фоторезиста

· Смачиваемость вытравливаемых областей слоя(краевой угол смачивания)

· Состав травителя

Угол смачивания зависит от:

-загрязнённости поверхности (органика)

-наличия неконтролируемых окислов на кремнии и металлизации

-адсорбции поверхности газов из воздуха

-шероховатости поверхности

 

1. Травление алюминия и его сплавов.

Травление алюминия и его сплавов применяют не только для удаления химических загрязнений поверхности металла, но и для легкого протравливания металла. Для этого рекомендуется применять растворы щелочей и кислот. Раствор щелочей берут обычно 10 - 20 % - ный; при температуре 50 - 80 процесс травления длится 1 - 2 мин. Добавка в раствор щелочи хлористого и фтористого натрия улучшает процесс травления и делает его более равномерным. После травления в щелочах сплавы алюминия имеют темный цвет.

1. Травление кремния в щелочных растворах и кислотных травителях.

равление кремния. Химическая инертность кремния объясняется наличием на исходной пластине оксидной пленки, которая растворима только в водных растворах щелочей и плавиковой кислотьи Поэтому для химической обработки кремния используют два вида травителей: кислотный и щелочный. В качестве кислотных травителей применяют различные смеси азотной и плавиковой кислот. Максимальная скорость травления кремния достигается при соотношении HN03: HF= 1: 4,5 в молярных долях. Растворение кремния в этом составе травителя происходит по следующей реакции: 3Si-r-+ 4HN03+18HF = 3H2SiF6 + 4NO + 8H20.

За счет разницы в концентрации травителя у выступов и впадин, которые имеют место на поверхности кремния, происходит более быстрое растворение выступов. Это приводит к сглаживанию поверхности полупроводниковой подложки.

В качестве щелочных травителей используют водные (10—20%) растворы КОН и NaOH. Травление кремния в щелочных составах проводят при температуре 90—100°С. Обработка в щелочных тра-вителях не дает желаемой зеркальной поверхности кремния, поэтому данный вид травителя в качестве полирующего не нашел широкого практического применения в промышленности. Однако щелочный травитель часто используют для так называемого анизотропного травления, т. е. в тех случаях, когда требуется вытравить на поверхности подложки лунку определенной формы. Особый интерес представляют лунки V-образной формы, широко используемые для. изоляции отдельных областей ИМС.

 

1. Использование травления кремния для выявления дефектов пластин.

· Движение пластины по маршруту увеличивает плотность дислокации, дефектов упаковки, дефектов роста, ямок, холмиков и т.д

· Фигуры травления позволяют судить об ориентации монокристалла, монокристалличности или поликристаличности структуры

· Каждой кристаллографической ориентации соответствует своя форма фигуры травления

 

1. Химическое травления диоксида кремния.

Для изготовления интегральных микросхем в ряде случаев необходимо формирование нужного рисунка в слоях окисла или нитрида кремния. Рисунок может быть получен с помощью фотолитографии, когда защитной маской при травлении служит фоторезист. Для травления окисла кремния можно использовать растворы различной концентрации плавиковой кислоты в воде, а также другие травители, содержащие плавиковую кислоту. Травление идет согласно реакции:

SiO₂ + 4HF = SiF₄ + 2H₂O.

При этом выделяются пузырьки газообразногоSiF₄, которые вызывают отслаивание фоторезиста при фотолитографии и увеличивают растравливание окисла. Поэтому при травлении окисла кремния с использованием фоторезистивной маски применяется буферный травитель, в который, кроме плавиковой кислоты, добавляется фтористый аммонийNH₄F. При этом концентрация ионов фтора увеличивается и газообразное соединениеSiF₄ переводится в устойчивоеSiF₆^2-:

SiF₄+2F^- → SiF6^2-.

Состав буферного травителя таков: 10³ см³ 49%-ныйHF, 100 см NH ₄ F (450 г NH₄F на 650 см H₂O). Скорость травления термически выращенного SiO₂ в буферном травителе 20 нм/мин. Скорость травления окисных пленок, полученных пиролитическим осаждением или какими-либо другими методами, выше, чем скорость травления термически выращенных. Наличие примесей также влияет на скорость травления окисла кремния. Стекла, содержащие бор (боросиликатные - БСС) и фосфор (фосфоросиликатные - ФСС), травятся примерно вдвое быстрее, чем окисел кремния.

Для травления нитрида кремния может использоваться плавиковая кислота. Скорость травления Si₃N₄ в концентрированной плавиковой кислоте может составлять 7-10 нм/мин при различных способах создания слоев нитрида кремния. Для улучшения равномерности травления может использоваться травитель с добавлением NH₄F (45 г HF, 200 г NH₄F, 300 г H₂O) или HF (49%-ный): NH₄F (40%-ный) = 1:7. Скорость травления при этом несколько снижается.

В технологии ИМС часто возникает необходимость в травлении двойного слоя: Si₃ N₄ на SiO₂ или SiO₂ на Si₃ N₄. Поскольку в травителях, содержащих плавиковую кислоту, скорости травления окисла кремния существенно выше скорости травления нитрида кремния, при травлении Si₃ N₄ окисел будет

разрушаться. Травителем для Si₃N₄, не воздействующим на окисел, является фосфорная кислота H₃PO₄. Травление Si₃N₄ в фосфорной кислоте идет интенсивно со скоростью 1 - 20 нм/мин при температуре 150 - 200°С, при этом из раствора интенсивно испаряется вода и травитель обогащается P₂O₅. Скорость травления нитрида кремния падает. С увеличением содержания P₂O₅ начинает травиться окисел кремния. При температуре 180 °С скорость травления Si₃N₄ в водном 90%-ном растворе H₃PO₄ равна 10 нм/мин, а скорость травления SiO₂ на порядок величины меньше.

 

1. Электрохимическое травление кремния.

- простота применяемых средств

-дешевизна и доступность оборудования

-высокое качество поверхности травления

-управляемость процессами травления

-возможность глубокого травления

Суть метода:

-травимый образец – анод

-катод – малоактивный материал (платина, германий, никель и т.д.)

-электролит – водные и неводные растворы, содержащие окислители, комплексообразователи, технологические добавки.

Требования к электролиту:

Неагрессивность к кремнию в отсутствие тока

Электропроводность электролита дожно быть меньше электропроводности объекта травления

Электролит обеспечивает качество поверхности (гладкость, шероховатость)

Особенности электролита:

Активность – зависит от электропроводности (травление ускоряется с ростом электропроводности)

Комплексообразователи (ионы хрома, брома) ускоряют травление

Окислители замедляю процесс

1. Удаление фоторезиста химическим методом и в кислородной плазме.

1. Взрывная фотолитография.

1. Контактная фотолитография на микрозазоре.

Нанесение слоя резиста. Наиболее распространенным методом нанесения фоторезиста на подложки является центрифугирование: при включении центрифуги жидкий фоторезист растекается под действием центробежных сил. При центрифугировании на краю подложки всегда возникает утолщение - "валик", ширина и высота которого зависят от вязкости резиста, скорости вращения центрифуги и формы подложки. В слое, нанесенном на центрифуге, всегда есть внутренние напряжения, плотность дефектов довольно высока, в частности, из-за того, что пыль из окружающей среды засасывается в центр вращающегося диска.

Первая сушка при температурах 80 - 90 °С заканчивает формирование слоя фоторезиста. При удалении растворителя объем полимера уменьшается, слой стремится сжаться, но жестко скрепленная с ним подложка препятствует этому. Величина и характер возникающих напряжений определяются свойствами фоторезиста и режимами сушки, в частности, приближением к температурному интервалу пластичности полимера. Обычно используют ИК сушку.

Экспонирование (совмещение) и проявление неразрывно связаны между собой. В силу этого для выбора режимов, обеспечивающих точную передачу размеров, необходимо одновременно изменять время проявления и время экспонирования. На практике, однако, часто пользуются методом подбора оптимального значения одного параметра при фиксации другого.

Для любого типа резистов снимают зависимости точности передачи размеров изображения от времени проявления при фиксированном времени экспонирования и от времени экспонирования при фиксированном времени проявления. В результате находят оптимальные времена, соответствующие точной передаче размеров.

Проявление. Для проявления позитивных резистов используют водные щелочные растворы: 0,3 - 0,5%-ный раствор едкого кали, 1 - 2%-ный раствор тринатрийфосфата, органические щелочи - этаноламины. При проявлении очень важно контролировать температуру и величину рН проявителя.

При изменении величины рН всего лишь на десятую долю размер элемента меняется примерно на 10 % от номинала. Для проявления негативных фоторезистов используются органические растворители.

Сушка проявленного слоя проводится при температурах 140 - 180 °С. От характера изменения температуры во время сушки зависит точность передачи размеров изображений. Резкий нагрев вызывает оплывание краев, поэтому для точной передачи малых (1 - 2 мкм) размеров следует применять плавное или ступенчатое повышение температуры. Примерный режим сушки позитивного резиста ФП-383: 10 - 15 минут при комнатной температуре, 20 - 25 минут в термостате при 120 °С, затем переключение термостата и нагревание до 150 - 160 °С.

Травление чистой и легированной двуокиси кремния, а также примесносиликатных стекол с защитой рельефом из резиста осуществляется в буферных травителях, состоящих из 1 - 2 частей плавиковой кислоты и 8 - 9 частей 40%-ного водного раствора фтористого аммония. Окисел, легированный бором, травится почти с той же скоростью, что и нелегированный, и только у самой границы с кремнием скорость возрастает. Наоборот, легированные фосфором окислы травятся сначала гораздо быстрее, затем скорость травления уменьшается. Соответственно будут отличаться профили на границе вытравленных в окисле рельефов. Эти соображения носят общий характер, а конкретный процесс травления зависит от степени легирования окисла примесями. Богатые бором и фосфором примесносиликатные стекла травятся очень быстро. Скорость травления фосфоросиликатных стекол достигает 30 нм/с, что в 25 - 40 раз выше скорости травления чистого окисла.

Удаление с подложки фоторезиста завершает фотолитографический процесс, для чего используются в основном химические и термические способы. В последнее время применяется обработка в ВЧ плазме кислорода.

1. Проекционная фотолитография. Используемые варианты.

Современная микроэлектроника требует не только уменьшения размеров элементов микросхем до0.35 мкм и менее, но и размещения элементов подобных размеров на все больших площадях вплоть до использования подложки диаметром 200 мм, 300мм.

Одним из методов, обеспечивающих высокое разрешение на больших полях и исключающих непосредственный контакт подложки и фотошаблона, является проекционная фотолитография.

Возможны следующие варианты оптической проекционной фотолитографии:

1) одновременная передача (проецирование) изображения всего фотошаблона на полупроводниковую пластину, покрытую фоторезистом;

2) последовательное поэлементное экспонирование изображения одного или разных типов модулей с уменьшением или без него;

3) последовательное вычерчивание изображения на фотослое сфокусированным световым лучом, например, лазерным, управляемым от ЭВМ.

Для успешного использования проекционной литографии необходима автоматическая система совмещения. Поэтому наиболее широкое распространение получил первый вариант проекционной фотолитографии; второй вариант применяется при монтаже модулей, третий вариант пока используется главным образом для изготовления фотошаблонов.

Возможны несколько способов проведения проекционной фотолитографии по первому варианту (рис.4.2):

- совмещение и экспонирование посредством одного источника;

- совмещение фотошаблона с подложкой в пространстве изображения с помощью зеркала и микроскопа;

- проекция изображения поверхности полупроводниковой пластины в плоскость фотошаблона.

Рис.4.2. Схемы проекционной фотолитографии: а – одновременное проецирование и совмещение;

б - совмещение в пространстве изображения; в - обратное изображение. 1 - источник света, 2 - конденсор,

3 - фильтр, 4 -фотошаблон, 5 - объектив, 6 - подложка, 7 - полупрозрачное зеркало, 8 -зеркало, 9 - микроскоп

 

 

1. Оптические эффекты, вызывающие размытость рисунка.

1. Основные ограничения проекционной литографии для наноструктур.

1. Металлизированный фотошаблон. Конструкция. Техпроцесс изготовления.

Металлизированный фотошаблон — фотошаблон, на котором изображение элементов схемы сформировано тонкой металлической пленкой.

 

1. Цветной фотошаблон. Конструкция. Техпроцесс изготовления.

Транспарентный (цветной) фотошаблон — фотошаблон, на котором изображение элементов схем сформировано покрытием, не пропускающим актиничное излучение и пропускающим неактиничное (видимая область спектра) для фоторезиста излучение.

 

1. Мультиплицирование изображения растровой оптикой.

1. Электронно- лучевая литография. Основные ограничения для нанострууктур.

Электронно-лучевая или электронолитография - это комплекс технологических процессов для получения прецизионных рисунков на поверхности. Она является наиболее перспективным методом формирования элементов субмикронных размеров.

Известны две различные системы электронно-лучевой литографии: проекционная и сканирующая. Последняя получила сейчас наибольшее распространение.

Длина волны электронов, например с энергией 15 кэВ, равна 10-2 нм или в 50000 раз меньше длины волны средней части видимого спектра. Собственная разрешающая способность электронного пучка примерно на четыре порядка выше светового. Отметим еще одно важное преимущество электронолитографии - большую глубину фокуса, ограничивающуюся главным образом явлением сферической аберрации. В настоящее время технически возможно получить диаметр пучка электронов менее 0,1 мкм при токе более 10^-9 А с глубиной фокуса ±25 мкм, что невозможно в световых оптических системах.

Управление перемещением и включением-выключением луча осуществляется с помощью ЭВМ. Обычно луч отклоняется на небольшое расстояние, а увеличение площади обработки достигается механическим перемещением подложки (сканирующая электронолитография).

Для воспроизведения элементов с малыми размерами требуется несколько перемещений электронного луча. Если интенсивность в луче имеет гауссово распределение, то число перемещений должно быть не менее четырех, причем положения между максимумами интенсивности должны быть равны половине ширины линии луча.

Используется два способа сканирования: векторное и растровое. При векторном сканировании луч направляется в заданное место топологического рисунка и передвигается в пределах очертания данного элемента (возвратно-поступательные движения). Затем луч выключается, направляется на следующий элемент и вновь движется лишь в пределах этого элемента топологии. По окончании сканирования определенного участка передвижением столика устанавливается новое поле сканирования. Этот способ удобен при формировании изображений небольшого числа элементов с одинаковыми размерами (например, при создании контактных окон). Иначе обработка кремниевой пластины диаметром 150 мм занимает много часов.

При растровом сканировании луч непрерывно движется вперед и назад по полю не очень большого размера (256 мкм), а столик с пластиной перемещается в плоскости xy под прямым углом к направлению сканирующего луча. Включение и выключение луча происходит автоматически. В системах растрового сканирования используется менее сложная оптика, чем в системах векторного сканирования. Такие системы применяются наиболее широко при изготовлении фотошаблонов. Их производительность - один шаблон со стороной 125 мкм за 60 мин.

Для совмещения при электронно-лучевой литографии требуется создание на подложке реперных знаков. Реперный знак может быть получен напылением пленки металла, например молибдена. Когда электронный пучок попадает на край знака, сигнал на детекторе отраженных электронов меняется. Информация о несовмещении вводится в ЭВМ, управляющую перемещением луча, и создаваемое изображение совмещается с имеющимися в подложке.

Реальная разрешающая способность электронно-лучевой литографии во многом определяется рассеянием и диффузией электронов в резисте и подложке. Большую роль играет толщина слоя резиста. Для того чтобы

получить размеры линии примерно 0,5 мкм, приходится снижать толщину слоя резиста до 0,1 - 0,2 мкм. Защитные свойства тонких слоев резко ухудшаются.

Повысить производительность метода позволяет проекционная электронолитография, в которой миллионы элементов рисунка проецируются на пластину одновременно. Проекционные электронно-лучевые системы и конструктивно проще, так как данные о рисунке хранятся не в ЭВМ (а значит, связаны с преобразованием и подачей их в управляющее устройство при каждой экспозиции), а заложены в маске.

Принципиальными трудностями при создании эффективной проекционной системы электронолитографии остаются изготовление электроношаблона и уменьшение искажения проецируемого изображения. Сложность изготовления электроношаблона связана с тем, что для его подложки не найдено материала, достаточно прозрачного для электронов.

Рис.4.3 поясняет принцип проекционной электронолитографии с маскированным фотокатодом. Для изготовления фотокатода применяется кварцевая пластина, покрытая тонким слоем титана. В слое титана вытравливается требуемое изображение; свободные от титана области служат в дальнейшем источником фотоэлектронов. Титан окисляется до окиси титана, поглощающей ультрафиолетовое излучение, и затем на всю поверхность напыляется слой палладия толщиной 4 нм. При освещении обратной стороны кварцевой пластины ультрафиолетовым излучением палладий эмитирует фотоэлектроны с энергией 0,1 эВ. Плотность потока электронов составляет 100 мкА/см²

. Ускоряющее электрическое поле и коаксиальное магнитное поле переносят в масштабе 1:1 электронное изображение на кремниевую подложку.

Подобные системы позволяют получать рисунок с размерами элементов менее 1 мкм на рабочем поле около 25 мм. При этом время экспонирования не превышает 4 с (однако общее время обработки определяется скоростью откачки системы до давления 1,3-10^-2 Па и составляет примерно 20 мин).

Рис. 4.3. Схема устройства для электроны о-лучевой литографии: 1 - фотокатод; 2 - пластина кремния; 3 - стеклянный корпус

 

Методу проекционной электронолитографии свойственны два су-

щественных недостатка:

- сложность изготовления реперных знаков;

- сложность получения фотокатодов с высоким разрешением.

Эти недостатки серьезно ограничивают практическое использование

метода.

Сканирующая электронолитография применяется в настоящее время

значительно чаще, несмотря на высокую стоимость оборудования и низкую производительность. Ее использование связано главным образом с изготовлением фотошаблонов для контактной или оптической проекционной литографии с высоким разрешением.

 

1. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.

Рентгенолитография, как и электронолитография, устраняет дифракционные ограничения излучения. Для экспонирования используют

"мягкие" рентгеновские лучи длиной волны 0,4 - 50 нм, возбуждаемые с

помощью интенсивных электронных пучков. Рассеяние рентгеновских квантов в подложке намного меньше, чем рассеяние электронов, которое ограничивает возможную разрешающую способность электроноли-тографии. Такие достоинства, как высокая разрешающая способность (менее 0,01 мкм), большая глубина резкости (до десятков микрометров), обеспечивающая экспонирование с большим зазором и, следовательно, долговечность шаблонов, малая чувствительность к частицам пыли и другим загрязнениям, нечувствительность к внешним магнитным и электрическим полям, делают рентгенолитографию одним из самых интересных методов создания ИМС с высокой плотностью упаковки.

Рентгеновское излучение получают путем воздействия на мишень

сфокусированным пучком электронов. В качестве мишени используют

различные металлы: медь, алюминий, палладий и др.

Пучок электронов, направляемый электронной пушкой, фокусируется на мишени. Для того чтобы обеспечить достаточно мощный поток рентгеновского излучения, необходимо охлаждать мишень водой и вращать с большой скоростью (иначе она расплавится); это является "слабым местом" рентгенолитографических установок. Типичные системы имеют диаметр мишени около 10 см, мощность электронного пучка 10-25 кВт, диаметр пучка в несколько миллиметров, расстояние от мишени до резиста изменяется от 15 до 50 см. Рентгеновский пучок проходит отражатель рассеянных электронов и выводится из вакуумной камеры через тонкое бериллиевое окно. В наполненном гелием (ослабление рентгеновского излучения в гелии намного больше, чем в воздухе) боксе находятся шаблон и пластина с резистом, укрепленные на столике совмещения. Совмещение осуществляется несколькими способами, простейший из которых - оптический: с помощью микроскопа с большим увеличением.

Теоретический предел разрешающей способности рентгенолитографии составляет менее 0,1 мкм. На практике достичь его пока не удается. Это связано, во-первых, с появлением фотоэлектронов, рождаемых рентгеновским излучением, которые вызывают расширение линии примерно на 100 нм, и, во-вторых, с двумя формами искажений, возникающих при экспонировании.

Причины этих искажений следующие:

1) если источник рентгеновского излучения не точечный, то возникает

полутеневая дисторсия;

2) при точечном источнике возникает геометрическая дисторсия;

3) ввиду малой механической прочности рентгеношаблона зазор между

пластиной и шаблоном является необходимой мерой, но выдержать постоянной его величину очень сложно.

Выбор длины волны рентгеновского излучения и выбор вещества маски шаблона, через который проводится экспонирование рентгенорезиста, взаимосвязаны.

Выбор материала мишени, а следовательно, длины волны рентгеновского излучения осуществляется с учетом того, что к рентгеновским лучам низкой энергии (большая длина волны) фоторезисты очень чувствительны, однако такое излучение сильно поглощается материалом шаблона. Жесткое рентгеновское излучение неэффективно поглощается фоторезистом (менее 5 %) и, кроме того, требуются более толстые слои поглощающего покрытия шаблона, что в свою очередь снижает возможность получения малых изображений.

Создание рентгеношаблона является серьезной проблемой данного

метода литографии. Поглощающая пленка должна иметь резкие края, быть тонкой и значительно ослаблять рентгеновское излучение. Для этой цели используют тонкие пленки золота, платины, рения, европия. Подложка для шаблона (мембрана) должна быть механически прочной и пропускать как можно большую долю падающего излучения. В качестве мембраны используют пленки различных неорганических материалов, включая Si, Be, A1₂O₃, SiO₂, Si₃N₄, а также полимеры майлар и полицмид. Толщина мембраны зависит от длины волны излучения и составляет обычно несколько микрометров. При использовании источников длиной волны менее 1,33 нм мембрана интенсивно поглощает излучение и поэтому ее толщину необходимо уменьшить до 1 - 2 мкм.

Шаблон из кремния (рис.4.4) представляет собой пластину с утоненными окнами-мембранами. Мембрана и подложка, на которой они формируются, состоят из одного материала и, следовательно, имеют один коэффициент термического расширения. Изготовление начинается с эпитаксиального выращивания слаболегированного слоя n-типа на сильнолегированной n+-подложке, на которую наносится тонкий

 

Рис.4.4. Шаблон для рентгенолитографии: 1 - пластина кремния n+; 2 - эпитаксиальная пленка n-типа (3 мкм); 3 - пленка окисла алюминия (0,1 мкм): 4 - золото (0,3 мкм) с подслоем хрома

 

слой А1₂О₃. Поглощающая маска создается на поверхности этого слоя методом электронолитографии. Затем идет наиболее ответственная операция - медленное травление окон в n+-кремниевой подложке (площадь окон около 1 см²).

Некоторым преимуществом перед кремниевыми масками обладают маски из тонкой полимерной пленки, натянутой на поддерживающем кольце из стали или алюминия.

Одной из серьезных проблем в рентгенолитографии является деформация шаблона при изготовлении и эксплуатации. Причинами деформации могут быть механические напряжения в мембране или разные температурные коэффициенты расширения мембраны и основания шаблона.

Для устранения искажений рисунка, связанных с дисторсией и большим временем экспонирования в процессе рентгенолитографии, предлагается использование синхротронного излучения. Оно генерируется релятивистскими электронами при их движении по криволинейным траекториям в магнитных полях. По касательной к траектории движения электронов, ускоренных до 1 ГэВ, можно получить мощный плоскопараллельный пучок рентгеновского излучения широкого спектра. Этим методом получены линии шириной 0,05 мкм. Недостатком процесса является использование дорогостоящего оборудования и сложность его эксплуатации.

 

«Сухое» травление.