Измерение ионного тока. Ячейка Фарадея

7. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.

При ионном легировании характерными являются дефекты по Френкелю, представляющие собой совокупность выбитого из узла в междоузлие атома полупроводника и образовавшегося пустого узла - вакансии V. Вакансии мигрируют по кристаллу, при этом энергия их миграции в кремнии р-типа равна 0,33 эВ, а в кремнии n-типа -0,18 эВ. Междоузельные атомы также подвижны: в кремнии p-типа их энергия миграции составляет 0,01 эВ, а в кремнии n-типа - 0,4 эВ.

Вакансии при своем движении по кристаллу могут объединяться в пары - дивакансии или более сложные комплексы - тривакансии, тетравакансии и даже гексавакансии. Эти дефекты устойчивы при комнатной температуре. Вакансии образуют также комплексы с атомами примесей: V + Р, V+Sb, V + А1, V + О. При этом вакансия занимает узел, соседний с примесным атомом.

В результате объединения простых дефектов, например под действием механических напряжений, возникают линейные и плоскостные дефекты - дислокации, дефекты упаковки. Плотность дислокаций, подсчитанная по фигурам травления в кремнии при дозе ионов 3-10¹⁶ ион/см², составляет 3-10⁵ см"². В процессе отжига линейные дефекты могут изменять свою длину, форму и местоположение в кристалле. Характер возникающих дефектов зависит от массы иона, полной дозы и температуры мишени. Простейшие дефекты, например дефекты по Френкелю, возникают в кремнии при внедрении легких и средних ионов малыми дозами при комнатной температуре. Условно легкими и средними считают ионы, с атомной массой М < 60, тяжелыми - с М > 60. При внедрении тяжелых ионов малыми дозами при комнатной температуре в кристаллической решетке возникают разупорядоченные области, называемые кластерами. Кластер в кремнии представляет собой отдельную разупорядоченную область, которая состоит из центральной области нарушенной структуры диаметром, равным примерно 50 нм, окруженной областью объемного заряда, создаваемого благодаря захвату основных носителей дефектами центральной области.

При больших дозах ионов разупорядоченные области, т.е. кластеры, перекрываются, концентрация дефектов может превысить предельную. В этом случае происходит аморфизация полупроводника.

Таким образом, при малых дозах внедрения ионов области разупорядочения, прилегающие к отдельным трекам ионов, пространственно отделены друг от друга, при больших дозах внедрения ионов отдельные области разупорядочения перекрываются, образуя в кристалле сплошной аморфный слой.

Распределение дефектов по глубине кристалла, их концентрация зависят от числа и распределения первоначально смещенных атомов. При вычислении числа смещенных атомов обычно учитывают лишь упругие ядерные столкновения, так как они в основном приводят к разупорядочению решетки вблизи траектории иона и ответственны за эффекты радиационного повреждения. Зная энергию, теряемую ионами в ядерных столкновениях, можно оценить среднее число смещенных атомов, их усредненное пространственное распределение.

Число смещенных атомов N_d в твердом теле обычно находят по формуле, выведенной Кинчином и Пизом:

 

где Е - энергия иона; E_d - эффективная пороговая (т.е. наименьшая) энергия смещения атома мишени из узла кристаллической решетки. При этом предполагается, что атомы при соударении ведут себя как твердые шары и все соударения упругие, т.е. на электронное возбуждение энергия не расходуется. Указанная формула выведена для случая равных масс иона и атома мишени, но и для случая неравных масс это выражение удовлетворительно согласуется с экспериментом.

Имеются теоретические расчеты распределений дефектов (смещенных атомов) по глубине при бомбардировке неориентированных мишеней различными ионами. На рис.3.17 показано распределение концентрации бора N и дефектов N_d) по глубине при бомбардировке Si ионами B+ (расчет методом Монте-Карло). Расчеты, выполненные по этому методу, показывают, что распределение вакансий соответствует распределению потерь энергии в процессе торможения.

 

Рис. 3.17 Распределение внедренных ионов бора N (сплошные кривые) и дефектов N_d (штриховые кривые) в кремнии. (Энергии ионов бора 20 и 40 кэВ).

 

Характерной особенностью распределения дефектов является смещение их максимума в сторону меньших глубин относительно максимума концентрации примесных атомов. Это объясняется тем, что слои, расположенные в районе максимума концентрации примесей, экранируются вышележащими слоями кремния и испытывают смещения от меньшего числа ионов по сравнению со слоями, расположенными ближе к поверхности. Действительно, прежде чем ион в процессе столкновений потеряет значительную часть своей кинетической энергии и прекратит перемещение внутри кристаллической решетки кремния, он создаст на пути своего движения область с высокой концентрацией радиационных дефектов. Это сильно разупорядоченная область оказывает экранирующее действие по отношению к лежащему ниже слою, задерживая часть ионов с энергией E > E_d и уменьшая тем самым вероятность образования дефектов в этом слое.

Возникновение двух пространственно разделенных областей с высокой концентрацией радиационных дефектов и высокой концентрацией примеси может привести к тому, что сильно легированный слой полупроводника окажется отделенным от поверхности образца высокоомным аморфным слоем. Последующий отжиг полупроводника с такой структурой приведет к смещению профиля концентрации примеси ближе к поверхности из-за диффузии атомов примеси в область с наибольшей концентрацией вакансий. Концентрация радиационных дефектов для ионов одинаковой энергии увеличивается с ростом массы иона. Это происходит как за счет уменьшения толщины поврежденного слоя (сокращается длина пробега более тяжелого иона), так и вследствие роста доли энергии, затрачиваемой на упругие столкновения.

Число дефектов зависит также от дозы легирования. При дозах менее 10¹⁴ ион/см² число дефектов линейно растет с увеличением концентрации внедренных ионов, причем максимум дефектов совпадает с областью торможения ионов. Дальнейшее увеличение дозы приводит к переходу кремния в аморфное состояние, при этом концентрация дефектов остается постоянной. Если пучок ионов ориентирован относительно кристаллографической оси, то при малых дозах (менее 10¹⁴ ион/см²) образуется в два-три раза меньше дефектов, чем при неориентированном пучке. С ростом дозы легирования это различие быстро уменьшается вследствие увеличения вероятности деканалирования на накапливающихся дефектах решетки.

Металлизация

1. Назначение металлизации в ИС. Контактное сопротивление металл- полупроводник.

Назначение:

- межкомпонентные соединения с низким сопротивлением

- контакты с низким сопротивлением к высоколегированным областям n- и p- типов и слоям поликремния

- барьерные контакты типа Шоттки

В первых образцах ИС соединения между компонентами осущест­влялись с помощью тонких проволочек, присоединяемых к контактным участкам методом термокомпрессии, но такие соединения были доро­гими и нетехнологичными.

После появления планарной структуры ИМС межсоединения стали выполняться с помощью тонких металлических пленок, нанесенных на изолирующий слой SiO₂.

Для осуществления коммутации в ИС можно использовать сле­дующие материалы: Аu, Ni, Pb, Ag, Сr, Аl, а также системы Ti - Аu, Мо - Аu, Ti - Pt - Аu и т.д.

К системам металлизации ИС предъявляются следующие требования:

- высокая проводимость ( Ом·см);

- хорошая адгезия как к Si, так и к SiO₂;

- способность к образованию качественного омического контакта с кремнием n- и p - типов;

- отсутствие вредных интерметаллических соединений или проте­кания реакций, разрушающих кремний в процессе обработки и эксплуа­тации системы;

- технологичность методов осаждения и нанесения рисунков;

- устойчивость к электродиффузии в металле;

- металлургическая совместимость со сплавами, которые приме­няются для присоединения внешних проводов к металлизированной схеме.

Для создания неинжектирующего контакта с малым сопротивлени­ем необходимо, чтобы электрохимические потенциалы металла и кремния удовлетворяли условиям: для Si n-типа; и для Si p - типа. Однако такие контакты, как правило, обладают нелиней­ными вольт-амперными характеристиками, их сопротивление зависит от величин приложенного напряжения и протекающего тока.

Этого можно избежать путем дополнительного легирования полу­проводника под контактом, например, в кремнии n-типа диффузион­ным способом создается тонкая область n+-типа. Между n-- и n+-областями возникает контактная разность потенциалов, пропорцио­нальная разности концентраций ионизированных доноров. Изменить эту разность потенциалов прилагаемым извне напряжением очень трудно: при любой полярности напряжения будет изменяться только поток ос­новных носителей. За счет этого обеспечивается линейность характери­стики контакта. Линейный неинжектирующий контакт принято харак­теризовать контактным или переходным сопротивлением

Контакт металла и полупроводника в изготавливаемых схемах, как правило, являются омическими. Сопротивление такого рода контактов Rc при слабом уровне легирования полупроводника не зависит от уровня его легирования Nd и задается выражением:

Rc = k/(q·A·T)·exp(q·f/(k·T)), где

A - постоянная Ричардсона,
k - постоянная Больцмана,
f - высота потенциального барьера на границе металл-полупроводник.

При высоком уровне легирования полупроводника Nd > 10¹⁹ см^-3 R_c быстро уменьшается с ростом концентрации примеси по закону:

R_c ~ exp(C·f/Nd^1/2),

где C = 4p·(e·m)^1/2/h - константа.

Следует отметить, что сопротивление контакта в большей степени зависит от технологических факторов, таких как подготовка поверхности, наличие остатков окисла и др.